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Fターム[4K022BA36]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被膜 (7,733) | 多層被膜 (225)

Fターム[4K022BA36]に分類される特許

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配線基板の半田接続用の端子である銅のランド部(4b)上に、無電解Ni−Pめっき層(13a)を形成し、その上に無電解Pdめっき層(13b)を形成し、その上に無電解Auめっき層を形成する。無電解Ni−Pめっき層(13a)上に無電解Pdめっき層(13b)を形成する工程では、下地の無電解Ni−Pめっき層(13a)から無電解Pdめっき液中へのニッケルの溶出量が5×10−6kg/m以下となるようにする。無電解Ni−Pめっき層(13a)と無電解Pdめっき層(13b)の界面には、10nm以上のボイドは形成されない。その後、配線基板に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行い、樹脂封止し、配線基板のランド部(4b)に半田ボールを接続して、半導体装置を製造する。 (もっと読む)


洗浄する為に1以上の処理溶液を用いて多層を無電解で堆積させ、その後、単一処理セルを用いて導電性表面上に不連続の又は種々の組成をもつ金属膜を無電解で堆積させるための方法及び装置。プロセスは、導電性表面上での酸化物の形成を最小限にするために、洗浄ステップと無電解堆積プロセスステップの間、導電性表面を酸素にさらすのを最小限にするか防止することによるインサイチュ洗浄ステップを含んでいる。一態様においては、1以上の処理溶液に用いられる化学成分は、種々の化学成分の相互作用が、相互作用流体のそれぞれの望ましい特性が急激に変化しないように選ばれる。連続無電解堆積プロセスは、以下の元素、すなわちコバルト、タングステン、リン又はホウ素の少なくとも2つを含む第一層と、以下の元素、すなわちコバルト、ホウ素又はリンの少なくとも2つを含む第二層とを形成するために用いることができる。 (もっと読む)


【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が0.2nm以上で10nm以下である触媒層6、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の1原子層以上で10nm以下である触媒層6、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層7を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層8で埋め込む工程とを含む。 (もっと読む)


本発明は、集積回路のメッキ方法を提供する。活性化プレートが、少なくとも一つの集積回路に隣接して配置される。集積回路は、接着パッド金属からなる複数の接着パッドを備え、また、活性化プレートも前記接着パッド金属からなる。無電解ニッケル層は、接着パッド及び活性化プレート上にメッキされ、金層は、接着パッド及び活性化プレート上の無電解ニッケル層を覆うようにメッキされる。活性化プレートを用いてメッキされた接着パッドを有する集積回路、ならびに集積回路をメッキするシステムについても開示されている。
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【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム1上に接着剤層2を介して施された銅箔3の表面の全面にスズめっき層4を厚さ0.01〜0.2μm形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔3に微細配線パターン30を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト6を塗布した後、前記端子部分に、厚さ0.15〜0.80μmのスズめっき層4を形成し、加熱処理することにより、厚さ0.20μm以上のスズ−銅合金層5bと厚さ0.15〜0.80μmの純スズ層4bを形成する。 (もっと読む)


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