【課題】 特に、無電解メッキ法を用いて、従来に比べて半田転写の改善や接触抵抗の安定性等を図ることが可能な表面層を弾性変形部に形成することが可能な接触子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 弾性変形部を備える接触子の製造方法において、固定部２１と、前記固定部２１から延出形成された前記弾性変形部２２とを有する芯部２３を形成する工程、前記芯部２３の表面に、無電解メッキ法にて、白金族金属層２８をメッキ形成する工程、前記白金族金属層２８の表面に、無電解メッキ法にて、Ａｕ層２９をメッキ形成する工程、加熱処理を施して、最表面層に、白金族元素とＡｕとの合金層を形成する工程、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜を基体に付着させる際の適切な形成条件を定め、磁性膜の膜厚が２μｍを超えるような場合であっても剥離の生じないような磁性膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】磁性膜５を基体３に付着してなる磁性膜付着体１０の製造方法を提供する。この製造方法は、基体３を準備する工程と、交互に積層された有機物膜６及びフェライト膜７からなる磁性膜５を基体３上に形成する工程とを備える。この製造方法において、磁性膜５を形成する工程は、２０μｍ以下の膜厚を有するフェライト膜７をフェライトメッキ法により形成する工程と、０．１μｍ以上２０μｍ以下の膜厚を有する有機物膜６であって当該有機物膜６の膜厚ｔとヤング率Ｅとの比ｔ／Ｅが０．０２５μｍ／ＧＰａ以上である有機物膜６を形成する工程とを交互に行うものである。 （もっと読む）

【課題】大がかりな真空設備を用いることなく、しかも材料の無駄を発生させずに構造体を製造すること
【解決手段】本発明は、基板１０上に第１の触媒３１を形成する工程と、第１の触媒３１上に第２の触媒３２の凸パターンを印刷によって形成する工程と、第１の触媒３１および第２の触媒３２上に無電解めっき膜４０を形成する工程とを有する構造体の製造方法である。また、第１の触媒３１を基板１０上の全面に形成したり、基板１０の表面に密着層２０を形成し、当該密着層２０の上に第１の触媒３１を形成する方法でもある。 （もっと読む）

【課題】離型剤を使用しなくても、高い離型効果を発揮し、耐摩耗性に優れる金型を提供する。
【解決手段】金型１の母材４の表面に、Ｎｉ−Ｐ合金メッキのメッキ皮膜の第１メッキ層１２ａ，１２ｂと、その外側に設けられ、かつＮｉ−Ｐ合金メッキのメッキ皮膜にフッ素樹脂粒子が分散した複合メッキ皮膜の第２メッキ層１３ａ，１３ｂとから形成された被覆層１１ａ，１１ｂを形成させ、金型１の成形面とする。第２メッキ層１３ａ，１３ｂ中のフッ素樹脂粒子の含有量は、２０〜３３体積％とする。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌまたはＣｕ表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板に関する：（ａ）Ｎｉ−Ｐ層、（ｂ）Ｐｄ層、および任意的に、（ｃ）Ａｕ層、ここで、Ｎｉ−Ｐ層（ａ）の厚さは０．２〜１０ｍであり、Ｐｄ層（ｂ）の厚さは０．０５〜１．０ｍであり、そして任意的なＡｕ層（ｃ）の厚さは０．０１〜０．５ｍであり、そしてＮｉ−Ｐ層（ａ）のＰ含量は１０．５〜１４重量％である。得られるＮｉ−Ｐ／Ｐｄ積層の堆積内部応力は、３４．４８ＭＰａ（５，０００ｐｓｉ）以下である。さらに、このような基板の調製プロセスを記述した。 （もっと読む）

特に印刷版の表面から印刷インキを掻き取るための、および/またはペーパドクターナイフとして使用するためのドクターブレード(100、200)が、長手方向に作用エッジ領域(113、213)が形成された平坦かつ細長い本体部分(111、211)を有し、少なくとも作用エッジ領域(113、213)は、ニッケル−リン合金を主成分とする第1の被膜(120、220)により覆われる。このドクターブレード(100、200)は、単結晶ダイヤモンド粒子および/または多結晶ダイヤモンド粒子(120.1、220.1)が、第1の被膜(120、220)中に分散され、ダイヤモンド粒子(120.1、220.1)の粒径が、5nm以上50nm未満であることを特徴とする。
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【課題】耐磨耗性等の表面特性が優れた摺動部品、および耐磨耗性等に優れた摺動部品を得ることができ、さらにアルミニウム基材などの耐熱温度の低い基材に対しても適用することのできる摺動部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属基材と、該金属基材の表面に形成されたニッケル−タングステン合金めっき皮膜またはニッケル−モリブデン合金めっき皮膜と、該皮膜上に形成されたフッ化ニッケル膜からなる最表面層とを有する金属材料からなることを特徴とする摺動部品、および金属基材にニッケル−タングステン合金めっき処理またはニッケル−モリブデン合金めっき処理を行いニッケル−タングステン合金めっき皮膜またはニッケル−モリブデン合金めっき皮膜を形成させ、次いで該皮膜の表面層をフッ素化してフッ化ニッケル膜を形成させることを特徴とする摺動部品の製造方法。 （もっと読む）

ニッケル含有金属および金含有金属で順次にめっきされる外部銀含有電気端子を備えるＬＴＣＣデバイスが記載されている。 （もっと読む）

【課題】別途の追加装備なしで、既存の装備を用いて無電解金メッキ時のニッケルメッキ層の過置換を防止でき、低コストで優れた品質のニッケル−金メッキ層を形成できるニッケル−金メッキ方法及び印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るニッケル−金メッキ方法は、対象物を無電解ニッケル−金メッキする方法であって、対象物の表面に第１ニッケルメッキ層を形成する工程と、第１ニッケルメッキ層上に第２ニッケルメッキ層を形成する工程と、第２ニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、酒石酸ナトリウムカリウムの濃度を調整して、表面側に数ｎｍの酸化防止膜を形成することが可能なＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態のＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜１には、表面１ａ側に、ＣＯＯＨ、ＦｅＯ₂、ＦｅＯ及びＮｉＯを含む数ｎｍの膜厚の酸化防止膜２が形成されている。これにより、メッキ膜中の酸化を抑制でき、磁気特性の経時変化を小さくでき、安定した磁気特性を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】低過電圧で、塩素ガス中の酸素ガス濃度が低く、優れた長期耐久性を有する塩素発生用電極を提供すること。
【解決手段】本発明の塩素発生用電極は、導電性基材上に、酸化パラジウム（ＰｄＯ）および白金からなる電極触媒被覆層を最表面に有する電極であって、該酸化パラジウムが白金を固溶していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき被膜と金めっき被膜間で発生する剥離や金めっき被膜のフクレの発生を顕著に防止し、はんだ接合及びワイヤー接合等に優れた無電解金めっき被膜を有する接続端子部を提供する。
【解決手段】接続端子部の基材上に、無電解ニッケル又は無電解ニッケル合金からなるめっき被膜、置換型無電解金めっき被膜、還元型無電解金めっき被膜の順に積層した構造の被膜層を有する接続端子部であって、前記置換型無電解金めっき被膜のピンホールの数が、２５μｍ^２当たり３個以下であることを特徴とする接続端子部。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションを防止でき、導通性を高く維持でき、粒子の凝集に起因する短絡も防止できるような導電性粒子を提供することである。
【解決手段】導電性粒子は、樹脂粒子、および樹脂粒子を被覆する金属被覆層を備えている。金属被覆層が、無電界メッキされた内側銅メッキ層および置換メッキされた外側錫メッキ層を備えている。銅メッキ層の膜厚が０．０４０μｍ以上、０．１２０μｍ以下であり、錫メッキ層の膜厚が０．０３０μｍ以上、０．１１０μｍ以下であり、金属被覆層全体の膜厚が０．０７０μｍ以上、０．１５０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】表面を化学的に十分改質する事が困難である３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られる芳香族ポリイミドにおいても、従来に比べポリイミドフィルム表面と金属導電層との常態及び高温下でのエージング処理後の密着性が向上し、かつ電気絶縁信頼性の良好なポリイミド金属積層体提供する。
【解決手段】片面若しくは両面をアルミニウム酸化物、チタン酸化物及びシリコン酸化物より選ばれる成分により変性されたポリイミドフィルムの変性した表面に、湿式めっきプロセスにより金属層を形成したポリイミド金属積層体であり、湿式めっきプロセスは、ポリイミドフィルムの変性した表面をアルカリ溶液で処理する工程、塩基性アミノ酸溶液で処理する工程、触媒を付与する工程、無電解金属めっきによる金属層を形成する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】 化学的に非常に安定で表面を化学的に十分改質する事が困難である３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られる芳香族ポリイミドフィルムにおいても、従来に比べポリイミドフィルム表面と金属配線パターンとの密着性が向上し、高温下でのエージング処理後の密着性が向上し、かつ電気絶縁信頼性の良好な高精細なポリイミド配線基板を安定して提供すること。
【解決手段】 ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られ、片面若しくは両面を無機酸化物変性したポリイミドフィルムの変性した表面に、湿式めっきプロセスによるアディティブ法で金属配線パターンを形成したポリイミド配線基板であり、
特定のめっきプロセスを少なくとも備えて製造される事を特徴とするポリイミド配線基板に関する。 （もっと読む）

【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機酸化物膜中に金属微粒子が層状に配列された新規な配列膜を、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程（Ａ）と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、被めっき物の金属導体部分にのみ選択的に、無電解ニッケルめっき処理、置換金めっき処理および無電解金めっき処理を、順次行う無電解金めっき方法において、無電解金めっきの未析出が発生しない無電解金めっき方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、金属導体配線を形成した被めっき物の金属導体部分にのみ選択的に無電解ニッケルめっき処理、置換金めっき処理および無電解金めっき処理を、順次行う無電解金めっき方法において、該被めっき物に置換金めっき処理を行った後、還元剤を含む液で処理してから無電解金めっき処理を行うことを特徴とする無電解金めっき方法である。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき液を短期間で交換することなく配線パターン間の金の析出が抑制されるめっき装置と、めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき装置１０は、めっき液７を貯留する金属製のめっき槽１、めっき液７に浸漬される電極２および電源部６を備えている。めっき槽１には、それぞれ電源部６に繋がれた参照電極のリード線４と対極のリード線５とが接続されて、めっき槽１が陽極とされ、電極２には、電源部６に繋がれた試料電極のリード線３が接続されて、電極２が陰極とされる。電源部６によって、めっき槽１と電極２との間の電位差が自然分極電位に設定される。 （もっと読む）