【課題】Ｃｕ等の金属層の酸化が生じ難く、かつ、結晶性がよく、かつ、クラックの発生し難いＢａ及びＴｉ含有酸化物層の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。アモルファス層形成工程では、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層を形成すること、及び、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層に１パルスあたり１〜１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射することの組合わせを１回行う又は複数回繰り返し行うことにより厚みが３００〜６６０ｎｍのＢａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを形成する。また、結晶化工程では、酸化物のアモルファス層２０Ｃに１パルスあたり６０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】極めて高い導電性を実現できるメッキ構造体、及び、下地金属を侵食することなくパラジウムメッキ層の表面に高い導電性を有する金メッキ層を形成できるメッキ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】パラジウムメッキ層の表面に金メッキ層が形成されたメッキ構造体であって、前記金メッキ層は、Ｘ線回折法によって測定される（１１１）面の結晶配向率が５０％以上であり、還元剤としてチタン還元剤、及び、上記チタン還元剤以外の還元剤を含有するメッキ液を用いる還元金メッキ方法により、製造できる。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＣＣ基板の配線パターン間の金異常析出不具合、金とニッケルめっき皮膜間の密着不良、はんだはじき現象、およびはんだ継ぎ手の強度劣化などの問題の発生を低減する。
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が７重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜が基板から引き剥がれることなく、銅回路と基材の密着の向上した良好な回路基板を製造することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂１３からなる基材上に、下地めっき皮膜１４ａを形成する一次めっき処理を工程と、この一次めっき処理工程にて形成された下地めっき皮膜１４ｂ上に、当該下地めっき皮膜１４ｂよりも膜厚の厚い厚付けめっき皮膜１４ｂを形成する二次めっき処理工程とを備え、一次めっき処理工程では、二次めっき処理工程において形成される厚付けめっき皮膜１４ｂの内部応力の向きと異なる向きの内部応力を有する下地めっき皮膜１４ａを形成させる無電解めっき浴を用いてめっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造として、簡便な工程で形成することが可能なめっき層構造を提供する。
【解決手段】めっき層構造１００は、電子部品２００の外部電極３００の表面を被覆するために形成されるめっき層構造であって、外部電極３００の側に形成されたニッケルめっき層１１０と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に形成された金めっき層とを備え、金めっき層が、不連続な界面を介して接するように形成された複数の金めっき層部１２１、１２２からなる。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき時に配線パターン間に発生する金の異常析出を抑制し、所望の配線パターンに損傷を与えない無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の無電解めっき方法は、ガラスセラミックからなる絶縁基材と金属焼結体配線パターンとから構成されるガラスセラミック配線基板において、金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程と、無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する置換型無電解金めっき工程と、置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する還元型無電解金めっき工程とを含む無電解めっき方法であって、上記無電解ニッケルめっき工程と置換型無電解金めっき工程との間、または上記置換型無電解金めっき工程と還元型無電解金めっき工程との間にガラスエッチング処理工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 導電性無電解めっき粉体の無電解めっき工程で形成する突起の大きさや数及び突起の有無を制御し、さらに無電解めっきされない粉体を充分に低減することで、接続抵抗の充分な低減を図り、異方導電性材料または導電性材料に用いた場合に優れた接続信頼性が得られる導電性無電解めっき粉体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 めっき触媒を芯材粉体の表面に担持させてめっき触媒担持粉体を得るめっき触媒担持工程と、無電解めっき液を用いて上記めっき触媒担持粉体を無電解めっきし、無電解めっき粉体を得る無電解めっき工程と、を少なくとも含み、上記無電解めっき工程において、上記芯材粉体に担持されていない上記めっき触媒の存在下で無電解めっきを行うことで、該めっき触媒により上記無電解めっき液を自己分解させ、めっき表面に突起を形成させる、導電性無電解めっき粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 めっき層が形成される面にニッケル下地層が設けられた配線、端子、電極部材等の被めっき素材表面に所望とする金属のめっきを施す場合、得られた該金属めっき層の剥離や該金属めっき層面のふくれ等の欠陥部分が生じないめっき方法、及びそのために使用されるめっき前処理液を提供すること。
【解決手段】 被めっき素材上に形成されたニッケル下地層の表面を、亜硝酸イオンを含有する少なくとも１種類の無機酸または有機酸からなるめっき前処理液に接触させた後に該下地層の上に金属めっきを施す。特に、前記無機酸または有機酸としてその組成中にハロゲン元素を含まない酸を用い、また、該めっき前処理液中には界面活性剤を含有させるのが好ましい。
【効果】 所望とする金属めっき層との密着性が極めて良好で、該金属めっき層の剥離や金属めっき層表面のふくれ等の欠陥の発生頻度が低減される。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する２層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜（上層皮膜）を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が０.０２５〜０.５μｍで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が０.１〜６μｍであり、下地皮膜中の銀の組成比率が５〜９０重量％であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 （もっと読む）

【課題】クロム酸−硫酸混液によるエッチング工程を含むめっき処理方法において、エッチング処理液に含まれるクロム酸に対する安定した中和作用を有し、且つ、各種の樹脂成形品に対して優れた触媒付着能力を発揮できる新規な処理剤を提供する。
【解決手段】ジアミン化合物、又は該ジアミン化合物とエピクロルヒドリンとの重縮合物を有効成分として含有する水溶液からなる、クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤、及び
樹脂成形品に対してクロム酸−硫酸混液を用いてエッチング処理を行った後、該樹脂成形品を上記後処理剤に接触させ、その後、触媒付与及び無電解めっきを行い、更に、必要に応じて電気めっきを行うことを特徴とする樹脂成形品に対するめっき方法。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、無電解銅めっきによる導体回路の線幅の太りが少ない配線パターンを形成することが出来る導電性材料の作製方法を提供する。
【解決手段】支持体上の少なくとも一方の面に銀画像を形成させた後、該銀画像に無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が４ｐｐｍ以上である第一めっき浴にてめっき処理を施し、その後無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が４ｐｐｍ未満である第二めっき浴にてめっき処理を施す。 （もっと読む）

【課題】従来に比較して、第２の無電解金属めっき層を安定して成膜することができ、製造コストの増加を抑制可能な多層金属めっき基材の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方表面に、第１の無電解金属めっき層、第２の無電解金属めっき層がこの順に積層されている多層金属めっき基材を製造するにあたり、基材表面に触媒を有するリード基材を、第２の無電解金属めっき浴に先に浸漬させた後、引き続き、基材表面に第１の無電解金属めっき層が積層された本体基材を、第２の無電解金属めっき浴に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】導電性及び絶縁性に優れた高信頼性の異方導電性フィルムを実現可能な導電粒子、該導電粒子を用いた絶縁被覆導電粒子及びその製造方法、並びに該絶縁被覆導電粒子を用いた異方導電性接着剤を提供すること。
【解決手段】本発明の導電粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面に設けられた金属層と、を備え、金属層は、樹脂粒子に近い順に、銅又は銅合金を含有する第１の層と、パラジウムを含有する第２の層とが積層された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム素地上の酸化皮膜を除去するとともに、アルミニウム素地へのアタック性を抑え、平滑性が高く、めっき外観の優れためっき皮膜を形成させるための表面処理に用いられるアルミニウム又はアルミニウム合金の金属置換処理液を提供する。
【解決手段】 少なくともアルミニウムと置換可能な金属の塩とアルカリ化合物とを含有するアルミニウム又はアルミニウム合金上の金属置換処理液において、アルカリ化合物として、水酸化第４級アンモニウムを含有させる。 （もっと読む）

【課題】ブリッジとスキップの両方が発生していない接続端子の製造方法、およびその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１６と、該基材１６上に形成された接続端子（導体１５）と、を備える基板の表面に、硫黄有機物を含んだ溶液（無電解めっき用前処理液）に接触させる第１工程と、前記第１工程の後にドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは物理的研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより前記接続端子（導体１５）上面の硫黄有機物を一部除去する第２工程とを有する、接続端子の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、型押し工具の構造化された表面を加工するための方法に関するものであり、この方法では表面に金属製の第１の被覆部（６）が全面で設けられる。構造化された表面の形態可能性を高めるために、本発明によれば第１の被覆部（６）上の所定の領域に金属製の別の被覆部（７）が少なくとも部分的に配置され、前記１の被覆部（６）の光沢度は、前記別の被覆部（７）の光沢度とは異なる。この手段によって例えば木孔を、格段に良好に模造することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）