Fターム[4K022BA36]の内容

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【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。ガス供給機構170は、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して基板保持機構110に保持された基板Wに向けて供給する。少なくとも吐出機構21、めっき液供給機構30およびガス供給機構170は、制御機構160によって制御される。 (もっと読む)


【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。基板保持機構110の周囲に、基板Wから飛散しためっき液を排出する液排出機構140が配置され、基板保持機構110に保持された基板Wの上方において、基板Wの表面側を覆うようにトッププレート151が設けられている。基板W、液排出機構140およびトッププレート151の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスGが滞留する滞留空間156が形成される。 (もっと読む)


【課題】無電解パラジウムの安定性低下による異常析出の問題を解消し、ENIGAGよりもコスト面でも優れた無電解めっき層を含む基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板製造方法は、回路パターン10が設けられた基板に金(Au)層30をめっきする第1のステップと、金(Au)層30にパラジウム(Pd)層40をめっきする第2のステップと、パラジウム(Pd)層40に金(Au)層30をめっきする第3のステップと、から成る表面処理めっき層形成ステップを含む。 (もっと読む)


【課題】コスト性に優れながら、接触抵抗が小さく、かつ耐食性に優れて長期にわたって信頼性良く使用することができる燃料電池用集電板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池単位セルが複数積層されたセル積層体の両端に配設されて電流を取り出すのに用いる燃料電池用集電板1であって、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミ基材2の片側表面に、Niめっき皮膜4と、Pd、Pt、Ag、Rh、Ir、Os、及びRuからなる群から選ばれたいずれか1以上の貴金属を含んだ貴金属めっき皮膜5と、Auめっき皮膜6とを備えるようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プリント回路基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、微細パターンの形成のために基板を表面処理する段階を含むプリント回路基板の製造方法であって、前記表面処理する段階は、表面処理前にパターンの間の銅を除去する時に残留された銅を除去する段階と、前記残留された銅が除去された基板をヨウ素化合物で処理する段階と、前記ヨウ素化合物で処理された基板を有機二価硫黄化合物で処理する段階と、前記基板を酸洗する段階と、パラジウム活性化段階と、前記酸洗された基板に無電解ニッケルメッキ層を形成する段階と、を含むことを特徴とする。本発明によると、SAPにより製作された製品に対して、滲み改善のための回路工程を別に施さなくても、表面処理工程で微細パターンの滲みを改善することができるため、工程が単純化し、これによる工程コストの低減が可能であり、銅との密着力も改善する効果を有する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ガラスの持つ表面平滑性、透明性、高耐熱性、電気特性などの特徴を保持したまま、ガラス材料と金属膜との密着力を高めることにより、金属膜の剥離が生じにくい金属膜付きガラス材料を作製する方法を提供する。
【解決手段】ガラス1上に無電解めっき法によりCu膜4を形成後、続いてその上にAg、Au、Ptのうちの少なくとも1種のめっき層5を形成し、熱処理を行うことで密着性に優れた金属膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層と、その製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。
【解決手段】本発明は、無電解ニッケル(Ni)めっき被膜/パラジウム(Pd)めっき被膜/金(Au)めっき被膜からなり、前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜はその厚さがそれぞれ0.02〜1μm、0.01〜0.3μm、及び0.01〜0.5μmであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層とその製造方法、及びこれを含むプリント回路基板に関する。本発明によると、プリント回路基板の無電解表面処理めっき層は、特にニッケルめっき被膜の厚さを0.02〜1μmに最小化させることにより最適化された無電解Ni/Pd/Au表面処理めっき層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】アノードにおける反応で発生した酸素によって白金触媒が酸化されて触媒能が低下することを抑制し、それにより固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極の寿命を延ばすことができる製造方法を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜1の両面に、白金イオンの還元により析出した白金を含む触媒層2が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に金層3が形成されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極とする。アノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に、酸化還元電位の高い金層が形成されているので、触媒層に含まれる白金の酸化を効果的に抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】導電性及び絶縁性に優れた高信頼性の異方導電性フィルムを実現可能な導電粒子
、該導電粒子を用いた絶縁被覆導電粒子及びその製造方法、並びに該絶縁被覆導電粒子を
用いた異方導電性接着剤を提供すること。
【解決手段】本発明の導電粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面に設けられた金属層と、を備え、金属層は、樹脂粒子に近い順に、銅又は銅合金を含有する第1の層と、パラジウムを含有する第2の層とが積層された構造を有し、金属層における銅/(金+パラジウム)比は0.4以下である。 (もっと読む)


【課題】電気化学反応を用いて、金属を析出させるために効果的な有機物質を含んでいても該物質を酸化分解させることなく陽極として使用できる電解用電極、ハロゲン塩や不純物を含む電解液を用いても電解オゾンや酸素、水素を優先的に生成させるための電解用電極を提供することを目的とする。
【解決手段】弁金属基体上に形成された白金族金属及び/またはその酸化物を含む触媒層とを有する電解用電極において、触媒層上に、金属−酸素結合による架橋構造中に金属−有機官能基を有する連続細孔構造である多孔質体層がゾルゲル法により形成されていることを特徴とする電解用電極。 (もっと読む)


【課題】単分散性が良好で、コストが安く、マイグレーションが起こり難く、導電性に優れた導電性微粒子を提供すること。
【解決手段】コア粒子102と、コア粒子102の表面に形成され、ニッケル及びリンを含有する金属めっき被膜層104と、コア粒子102に対して反対側を向く金属めっき被膜層104の表面に形成されたパラジウム層と、を備え、金属めっき被膜層104においてコア粒子102側の金属めっき被膜層104の表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの20%以下である領域A内でのリンの含有率が、領域A全体に対して7〜15重量%であり、金属めっき被膜層104においてパラジウム層側の金属めっき被膜層104の表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの10%以下である領域B内でのリンの含有率が、領域B全体に対して0.1〜3重量%であり、金属めっき被膜層全体に対するリンの含有率が7重量%以上であることを特徴とする、導電性微粒子100。 (もっと読む)


【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を回転保持する基板回転保持機構110と、基板回転保持機構110に保持された基板2に対してめっき液35を供給するめっき液供給機構30と、を備えている。また、基板回転保持機構110に保持された基板2に対して物理力を印加することにより基板2を洗浄する物理洗浄機構70が設けられている。物理洗浄機構70は、基板2が乾燥されるよりも前に基板2に対して物理力を印加することにより、基板2上のめっき膜からデフェクトを除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、化学パラジウム/金めっき皮膜構造及びその製造方法、銅線またはパラジウム/銅線で接合されたパラジウム/金めっき皮膜パッケージ構造、及びそのパッケージプロセスを提供する。
【解決手段】化学パラジウム/金めっき皮膜は半田パッドの上に位置し、かつ、半田パッドの上に位置するパラジウムめっき層と、パラジウムめっき層の上に位置する金めっき層とを含む。この化学パラジウム/金めっき皮膜及びワイヤボンディングで金めっき層に接合される銅線やパラジウム/銅線はパッケージ構造となる。本発明は、化学パラジウム/金めっき皮膜の製造方法及びそのパッケージ構造のパッケージプロセスも提供する。本発明では、従来のニッケル層の代わりに、パラジウムめっき層を使用することで、銅線や銅パラジウム線と半田パッドのワイヤボンディング接合強度を向上させる。 (もっと読む)


【課題】優れた強度、靱性及び硬度を有し、かつ、密着性及び光輝性に優れためっきが施されたアルミニウム合金鋳物を提供する。また、そのようなアルミニウム合金鋳物の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき層を有するアルミニウム合金鋳物であって、該アルミニウム合金が、Mg:1.5〜5.5重量%、Zn:1.6〜5.0重量%、Si:0.4重量%以下、Fe:0.4重量%以下、Cu:0.4重量%以下、Ti:0.2重量%以下、B:0.1重量%以下及びBe:0.1重量%以下を含有し、残部がAl及び不可避不純物からなり、電解研磨された前記鋳物の表面に、ジンケート処理層を有し、さらに、その上に前記無電解ニッケルめっき層を有することを特徴とする、めっきが施されたアルミニウム合金鋳物とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、導電性パターンの腐食及び変色を防止する基板構造物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板構造物100は、導電性パターン116が形成されたベース基板112と、導電性パターン116を覆う第1のめっき膜122と、第1のめっき膜122を覆う第2のめっき膜124とを含む。第1のめっき膜122は無電解還元めっき膜を含む。 (もっと読む)


【課題】近年の電子機器の急激な進歩や発展に伴って、異方性導電材料として用いられる導電性粒子の接続抵抗の更なる低減が求められてきているのに対し、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子及び異方性導電材料を提供する。
【解決手段】基材粒子と、前記基材粒子の表面に形成されたニッケル又はニッケル合金を含有する導電層とからなる導電性粒子であって、前記導電層は、表面に塊状微粒子の凝集体からなる突起を有する導電性粒子。 (もっと読む)


【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Pdめっき液と無電解Auめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がCu、Ni−Pからなる導体上にPdあるいはAuの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりPtとRuを0.05mg/dm以下の付与量で形成する工程と、前記PtとRuからなる触媒層を付与した導体上にPdあるいはAuの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、pHが5以下で、炭素の数が3以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 (もっと読む)


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