【課題】 微細なパターンを有するパターン構造体を製造できるパターン構造体の製造方法、前記パターン構造体を製造する際に用いることができる金属構造体含有高分子膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン伝導性ドメインと非イオン伝導性ドメインとからなるミクロ相分離構造を有する高分子膜と、前記イオン伝導性ドメインに局在する金属構造体と、からなることを特徴とする金属構造体含有高分子膜。 （もっと読む）

本発明は、スルホン化されてもめっき性にはならない第１のポリマー樹脂部分と、スルホン化されてめっき性になる第２のポリマー樹脂部分とを含むプラスチック物品に対して選択的にめっきを施す方法に関する。前記方法は、前記プラスチック物品をスルホン化する工程と、スルホン化されたプラスチック物品がめっきを受容するようにスルホン化された前記プラスチック物品を活性化する工程と、スルホン化及び活性化された物品に無電解めっき浴中でめっきを施す工程とを含む。前記プラスチック物品は、第１のポリマー樹脂部分にはめっきが施されず第２のポリマー樹脂部分には無電解的にめっきが施されるように選択的にめっきされる。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきに用いる鋳型を容易かつ安定的に形成することができるとともに、無電解めっき後、鋳型を必ずしも除去する必要のないコンポジットナノチューブ、およびその製造方法、さらには、コンポジットナノチューブを利用した金属ナノチューブおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性解離基を備えた有機ナノチューブ３を準備する。かかる有機ナノチューブ３は、親水部３１と疎水部３２を備えたペプチド脂質３０からなり、アニオン性解離基として、カルボキシル基を有している。そこで、有機ナノチューブ３におけるアニオン性解離基と金属イオンとの親和性を利用して、有機ナノチューブ３の少なくとも外周面に金属を無電解めっきし、無電解めっき層５と有機ナノチューブ３とのコンポジットナノチューブ１Ａを得る。かかるコンポジットナノチューブ１Ａから有機ナノチューブ３を除去すれば金属ナノチューブ１Ｂを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材の成形時に凸部があったとしても、めっき処理後の表面の平滑化を安価に図ることができるめっき処理方法を提供する。
【解決手段】不飽和結合を有する樹脂基材１１の基材表面に酸化処理を行う工程Ｓ２と、該酸化処理後の基材表面に、５ｍｏｌ／Ｌ以上の水酸化物イオン濃度となるアルカリ溶液を接触させて前記基材表面を平滑化処理する工程Ｓ３と、該平滑化処理工程後の基材表面に、無電解めっき処理を行う工程Ｓ４と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】導電膜と基板との密着性に寄与する樹脂層の柔軟性、耐熱衝撃性に優れた導電膜の形成方法、該導電膜の形成方法を工程中に含むプリント配線板の製造方法及び導電膜材料を提供する。
【解決手段】（ａ）有機樹脂基材上に、ラジカル重合性基を有する化合物と、熱可塑性樹脂とを含有してなる樹脂層を形成する工程、（ｂ）無電解めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂とラジカル重合性基を有する化合物とを含有する無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる樹脂層を形成する工程、（ｃ）無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる層に、無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する工程、及び、（ｄ）無電解めっきを行い、無電解めっき膜を形成する工程、を含む導電膜の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ガスと被処理物とを反応槽内で反応させるにあたり、１回の処理毎にオゾン反応槽内のガスを排出・再充填しなくても被処理物を反応槽から出し入れでき、かつ反応槽内に充填されているガスが周囲に拡散するのを抑制した、処理性と安全性の良いガス反応槽、ガス反応装置及びガス反応処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガス反応槽は、開口を通して被処理物を内部に受け入れ、被処理物とガスとを接触させて被処理物の処理を行うようにしたものである。開口３にガス漏出防止手段を構成するゴム片４が設けられている。ゴム片４は、開口３の全体を覆う大きさを有している。ゴム片４には、開口３の長手方向に延在する切り込み４ａが設けられている。ガス反応槽１の一端側にオゾンなどの反応ガス供給部５が接続され、他端側に流出するガスを無害化処理するためのガス無害化手段６が接続されている。 （もっと読む）

金属で部分的にコーティングすることのできる易金属化組成物と難金属化組成物とを含むあるタイプの２ショット成形物品、および物品の製造方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを１〜１５ｐｐｍ含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドのような、分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 （もっと読む）

【課題】改質すべき固体材料いかんにかかわらず比較的小さいエネルギーの紫外線照射によっても、光化学反応により永続的な表面改質を行うことができる固体材料表面の改質方法を提供する。
【解決手段】固体材料（フッ素樹脂を除く）表面に、化学種を含有し、かつ液体の形態にある化合物の薄層を形成し、該薄層を介して該固体材料表面に紫外線を照射して該固体表面と該化合物を励起して該化学種を該固体材料表面に導入することによって該固体材料表面を光化学的に改質することを包含し、該固体材料表面に該薄層を形成するに先立ち、該固体材料表面を活性化エネルギーまたは酸化剤で処理して該固体材料表面の光化学的改質を促進させることを特徴とする固体材料表面の光化学的改質方法。 （もっと読む）

【課題】アルカリ可溶性基板に対して、高い密着強度で密着された無電解めっき膜を形成することができる無電解めっき物の製造方法の提供。
【解決手段】アルカリ可溶性基板１０１上に、金属酸化物層１０２を形成する金属酸化物層形成工程と、金属酸化物層１０２上に、カップリング剤及びトリアジンチオールの少なくともいずれかによるパターン状の密着層１０３ａを形成する密着層形成工程と、密着層１０３ａ上に、無電解めっきにより、めっき層からなる配線層１０５を形成するめっき層形成工程とを含むことを特徴とする無電解めっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
大気圧プラズマプロセスとナノレベルの自己組織化との融合により、外部金属種を全く必要としない無公害高効率を実現する誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材を提供する。
【解決手段】
誘電体基材の表面を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して表面に親水性官能基を導入する工程、錯化高分子及びめっき層と同じ金属種を含む前駆体を液相法により塗布し超薄膜を作製する工程、親水性官能基を反応点として錯化高分子が自発的に共有結合を形成し高密度にグラフト化し、錯化高分子に前駆体が配位結合により連結され、この金属イオンを含む錯化高分子膜を、大気圧プラズマ処理して、金属イオンを原子状金属へ還元する工程、生成した原子状金属が自己組織的に凝集してナノサイズのクラスターを形成した後、無電解めっき浴中に浸漬して金属層を形成する工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】パターン化されためっき物の製造方法及びそれに用いる下地塗料を提供する。
【解決手段】基材上に無電解めっき法によりパターン化された金属膜を形成するための下地塗料であって、
前記下地塗料は、導電性又は還元性の高分子微粒子、バインダー及び無機系フィラーを含み、前記導電性又は還元性の高分子微粒子と前記バインダーとの質量比は、１：１１ないし１：６０の範囲であり且つ５０ｃｐｓ以上の粘度を有する
下地塗料及びそれを用いるパターン化されためっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オゾン酸化の促進とオゾンの分解抑制の両方を兼ね備えたオゾン水を用いた固体有機物表面の酸化装置を提供する。
【解決手段】ワークＰの表面の酸化装置は、オゾン水処理槽１と、オゾン水供給装置２と、このオゾン水処理槽１内でワークＰを保持する複数の固定用保持具３とを有し、このオゾン水処理槽１内には、それぞれの固定用保持具３に対応してオゾン酸化促進剤Ｑの噴射手段たる噴射ノズル４が複数設けられている。そして、原水Ｗは、第１の供給管路７を介してエジェクタ１２に供給され、エジェクタ１２にオゾン製造装置６で製造されたオゾンガス（Ｏ_３）を供給してオゾン水Ｗ０を製造し、これを第２の供給管路８を介してオゾン水処理槽１に供給する。 （もっと読む）

【課題】オゾン酸化の促進とオゾンの分解抑制との両方を兼ね備えたオゾン水を用いた固体有機物表面の酸化装置を提供する。
【解決手段】オゾン酸化促進剤が充填された前処理槽１と、オゾン水処理槽３を有するオゾン処理装置２とを備える。前処理槽１は、オゾン酸化促進剤Ｑで満たされており、ワークＰが、前処理槽１とオゾン水処理槽３との間を図示しない駆動装置により往復動可能な複数の固定用保持具４に保持されている。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌまたはＣｕ表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板に関する：（ａ）Ｎｉ−Ｐ層、（ｂ）Ｐｄ層、および任意的に、（ｃ）Ａｕ層、ここで、Ｎｉ−Ｐ層（ａ）の厚さは０．２〜１０ｍであり、Ｐｄ層（ｂ）の厚さは０．０５〜１．０ｍであり、そして任意的なＡｕ層（ｃ）の厚さは０．０１〜０．５ｍであり、そしてＮｉ−Ｐ層（ａ）のＰ含量は１０．５〜１４重量％である。得られるＮｉ−Ｐ／Ｐｄ積層の堆積内部応力は、３４．４８ＭＰａ（５，０００ｐｓｉ）以下である。さらに、このような基板の調製プロセスを記述した。 （もっと読む）

【課題】コア粒子の表面に薄い被膜を有する重合体微粒子であって、平均粒子径が小さく、被膜が平滑であり、被膜の厚みが均一であり、被膜の被覆率が高く、粒度分布の揃った重合体微粒子を提供する。また、そのような重合体微粒子の製造方法を提供する。さらに、そのような重合体微粒子を用いた導電性微粒子を提供する。
【解決手段】本発明の重合体微粒子は、Ｓｉ原子を含むコア粒子Ｐの表面に金属原子Ｍを含むポリメタロキサン被膜を有する重合体微粒子であって、該コア粒子Ｐの表面に該ポリメタロキサン被膜が−Ｓｉ−Ｏ−Ｍ−を含む構造によって結合されている。 （もっと読む）

【課題】めっき析出の面内均一性に優れ、めっき析出速度が高く、密着性に優れためっき膜を形成させるめっき方法の提供。
【解決手段】基材上に式（１）及び（２）のユニットを含む共重合体を含有する組成物を接触、硬化させて被めっき体を形成し、触媒を付与し、めっきする工程を有し、これらの工程間において被めっき体にアルカリ液を接触させる工程を更に有するめっき方法。
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【課題】プラスチック成形体に対して、プラスチック成形体に密着し且つプラスチック成形体との接触面が平滑な配線パターンを形成する製造方法およびプラスチック成形体を得る。
【解決手段】本発明の製造方法は、表面部２に金属元素含有微粒子３を分散させたプラスチック成形体１を用意することと（図１（Ａ））、プラスチック成形体１についての配線パターン４の輪郭の領域に対してレーザ光１０などの電磁波を照射して、電磁波が照射された表面部２または表面部２に分散した金属元素含有微粒子３を選択的に除去することと（図１（Ｂ））、除去処理後のプラスチック成形体１を、アルコールを含む無電解めっき液に常圧下で浸漬して、配線パターン４の形状に無電解めっき膜を形成することとを含む（図１（Ｃ））。 （もっと読む）