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Fターム[4K022CA20]の内容

化学的被覆 (24,530) | 前処理 (4,223) | 液体浸漬、塗布 (2,196) | 無機質成分 (1,492) | 金属、金属化合物 (1,076) | Ag、Au (197)

Fターム[4K022CA20]に分類される特許

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【課題】基板との密着性に優れた金属膜、金属パターンを、低エネルギーで、且つ、簡易に形成しうる表面金属膜材料の作製方法、及び金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】(1)基板に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、ラジカル重合性基、及び、ラジカル発生部位を有するポリマーを接触させた後、該ポリマーに対して露光を行い、該基板上にポリマー層を形成する工程と、(2)該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、(3)該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、並びに、(4)該作製方法により得られた表面金属膜材料のめっき膜をパターン状にエッチングする工程を有することを特徴とする金属パターン材料の作製方法。 (もっと読む)


【課題】基板との密着性に優れた金属膜を有し、且つ、湿度変化による密着力の変動が少ない表面金属膜材料、及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】(1)ポリマーを含有するポリマー溶液を調製する工程と、(2a)該ポリマー溶液に、ポリマーに対して30質量%以上200質量%以下の割合となるモノマーを混合して、混合液を調製する工程と、(3)基板上に、前記混合液を、塗布、乾燥させた後、得られた膜を硬化させ、該基板上に硬化層を形成する工程と、(4)該硬化層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、(5)該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有し、前記ポリマー及び前記モノマーの少なくとも一方が、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、該作製方法により得られた表面金属膜材料。 (もっと読む)


【課題】高精度のメッシュパターン等の精細画像を精確に形成することが可能な無電解メッキ用前処理剤を提供すること、及び光透過性、電磁波シールド性、外観性、及び視認性に優れ、高精度のメッシュパターンを有する光透過性電磁波シールド材を、簡易に得ることができる光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき用触媒微粒子と、合成樹脂とを含む無電解めっき前処理剤であって、剪断速度240s-1における粘度Bに対する剪断速度2.4s-1における粘度Aの比(A/B)で定義されるチキソトロピーインデックスが5以上であることを特徴とする無電解めっき前処理剤。 (もっと読む)


【課題】樹脂表層に銅などのめっきと樹脂がナノメートルオーダーで混在する層を持ち、平滑樹脂上で非常に高いめっき密着性を有するに用いられる樹脂基板であって、平滑樹脂上に高密着強度のめっきを実施できるため、微細配線基板や高周波特性に優れたプリント配線基板を作製する。
【解決手段】シアネート系ビルトアップ樹脂を熱処理し樹脂中にトリアジン環を生成させる工程と、オゾン水により樹脂基体の表層を改質すると共に、貴金属錯イオンを含むキャタリスト液に浸漬し、樹脂マトリックス中に微細な金属粒子が均一に分散してなる樹脂−金属コンポジット層を一体的に形成し、貴金属をトリアジン環によって固定させる工程とによって樹脂基板を製造し、該貴金属を核として樹脂基板の表面に無電解めっきにより金属被膜を形成し、その後に該金属被膜を除去することを特徴とする回路基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】疎水性の被めっき体に対してのめっき時の環境負荷を低減することが可能で、被めっき体の親疎水性に関わらず密着性に優れためっき膜を形成し得るめっき方法を提供すること。
【解決手段】(a)触媒元素と相互作用を形成する官能基を表面に有する被めっき体に対し、触媒元素と有機溶剤とを含有するめっき触媒液を付与する工程と、(b)該めっき触媒液が付与された被めっき体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とするめっき方法。 (もっと読む)


【課題】 高分子材料に対する金属被膜の密着性を高めためっき前処理方法,めっき方法及びこれら方法による導電性繊維を用いた被覆電線を提供する。
【解決手段】 有機金属錯体を含む超臨界流体を高分子材料の表面に接触させる接触工程と、この接触工程で高分子材料に含浸又は付着した前記有機金属錯体をめっき用金属触媒に還元して活性化する活性化工程とを備える高分子材料のめっき前処理方法において、前記超臨界流体における処理中に、前記高分子材料を、少なくとも活性化工程での処理温度と同じかそれよりも高い温度であって、前記高分子材料が熱分解する温度よりも低い温度まで昇温し、所定時間加熱する加熱工程を設けた。加熱工程は、高分子材料から流体を除去して行ってもよく、また、その双方で行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】材料損失が少なく、基板との高い密着性を有するめっき膜の製造技術を提供すること。
【解決手段】(a)金型(4)の凹部(2)内に、触媒液を付着させることによって触媒層(10)を形成すること、(b)金型の一面側に樹脂を鋳込むことにより、凹部に対応した凸部を一面側に有するスタンプ(12)を形成すること、(c)金型からスタンプを取り外し、触媒層を凸部に転写すること、(d)スタンプの一面側を、基板(16)上に配置された半硬化状態の樹脂(14)に押し当てることにより、凸部に対応した形状を半硬化状態の樹脂に転写するとともに触媒層を半硬化状態の樹脂に転写すること、(e)半硬化状態の樹脂を硬化させること、(f)基板上の樹脂に転写された触媒層上にめっき膜を形成すること、を含むめっき膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。
【解決手段】シリコン100の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第1金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第2金属又は前記第2金属の合金106により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。 (もっと読む)


【課題】電子回路の集積化を容易にすると共に、触媒に含まれる貴金属の省資源化を図り、更に無電解めっきによる精密な導電性回路を形成する方法を提供する。
【解決手段】射出成形した第1のばね基体2を粗化して、ポリ乳酸等からなる被覆材3を部分的に被覆して第2のばね基体4を形成し、触媒5を付与する。疎水性の被覆材3の表面に付着した触媒5を水洗浄で除去する。次に被覆材3で被覆されていない無電解めっきを形成する部分4aに、浴組成が酸性または中性の無電解めっきを行なって導電性回路6を形成し、その後にアルカリ性溶液でこの被覆材3を加水分解して除去する。被覆材3は耐酸性であるため、酸性または中性の無電解めっき液で溶解せず、また無電解めっき後に被覆材3を除去するため、無電解めっきを形成する部分4aに付与した触媒5がアルカリ性溶液によって脱落するという問題が生じない。 (もっと読む)


【課題】疎水性めっき触媒受容領域を形成した基板の所望領域のみに選択的にめっき触媒を吸着させることができる触媒吸着方法、及び、それを用いた金属層付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】重合性基と相互作用性基とを有する化合物を含有し、硬化物が疎水性表面である感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程、パターン状に露光し、該組成物を硬化させる工程、未硬化物を現像除去する工程、及び、該基板に、めっき触媒と有機溶剤とを含有する水性めっき触媒液を接触させる工程、を含み、パラジウムをめっき触媒として含むめっき触媒液を接触させたときの、めっき触媒受容領域における吸着量をAmg/m、未形成領域における吸着量をBmg/mとしたとき、下記式(A)、(B)を満たす。
式(A):10mg/m≦A≦150mg/m
式(B):0mg/m≦B≦5mg/m (もっと読む)


【課題】エネルギー消費量及び材料消費量を低減しつつ、種々の基材上へ自在にめっき膜を形成することが可能な製造技術を提供すること。
【解決手段】本発明に係る一態様の銅めっき膜の製造方法は、(a)第1基材(2)上に触媒層(6)を形成すること、(b)第1基材をめっき浴に浸漬することにより、前記触媒層上にめっき膜(10)を析出させること、(c)前記第1基材上の前記めっき膜を、接着層(22)を介して第2基材(22)と接合すること、(d)第1基材を第2基材から分離することにより、前記めっき膜を前記第1基材上から前記第2基材上へ転写すること、を含む。 (もっと読む)


【課題】表面への金属メッキ層の形成が容易で、金属メッキ層との密着性に優れた複合材料およびその製造方法、ならびに該複合材料を含む成形体を提供する。
【解決手段】(1)特定の繰り返し単位を有するケイ素系重合体(A)と、炭素−炭素不飽和結合を有する重合体(B)とを含有する樹脂組成物からなる成形物を得る工程、(2)架橋構造を形成させる工程、および、(3)成形物表面および/または成形物内部に金属微粒子を形成する工程を有することからなる複合材料の製造方法、および該複合材料。 (もっと読む)


【課題】金属膜の密着性に優れ、湿度変化による密着力の変動が少なく、耐熱性及びフレキシブル性に優れた表面金属膜材料を簡易な方法で得ることができる作製方法、金属パターンの非形成領域の絶縁信頼性に優れ、耐熱性及びフレキシブル性に優れた金属パターン材料を簡易な方法で得ることができる作製方法を提供すること。
【解決手段】(a1)ポリイミドフィルム上に、シアノ基を有し、且つ、該ポリイミドフィルムと直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、(a2)該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、(a3)該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、該表面金属膜材料の作製方法により得られた表面金属膜材料のめっき膜をパターン状にエッチングする工程を有することを特徴とする金属パターン材料の作製方法。 (もっと読む)


【課題】めっきにより形成される金属膜との密着性及び、樹脂−金属界面の平滑性に優れ、高い膜形成感度を有する製造適性が良好な、めっき触媒若しくはその前駆体受容性層を形成しうるめっき用感光性樹脂組成物、及び金属層と基板との密着性に優れた金属層付き基板を、低エネルギーで容易に形成することができる金属層付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体と配位結合性の相互作用を形成する官能基、及び重合性基を有するポリマー並びに分子内に少なくとも2つの重合性基を有する多官能モノマーを含有することを特徴とする、めっき触媒若しくはその前駆体受容性層を形成しうるめっき用感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】任意の基板に対して、安価に金属膜および金属パターンを形成することができる金属膜の製造方法、下地組成物、金属膜およびその利用を提供する。
【解決手段】本発明に係る金属膜の製造方法は、3つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、塩基性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属(M1)塩にする金属塩生成工程と、上記金属(M1)イオンよりもイオン化傾向の低い金属(M2)イオンを含有する金属(M2)イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属(M1)塩を、金属(M2)塩とする金属固定工程と、上記金属(M2)イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む (もっと読む)


【課題】
【解決手段】金属の無電解析出用に、酸化物表面を活性化する溶液を提供する。溶液には、酸化物表面と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、触媒と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、を有する結合剤が含まれる。本発明は、また、電子デバイスの製造方法と、その製造方法を用いて製造した電子デバイスとを提供する。 (もっと読む)


【課題】クロム酸−硫酸混液によるエッチング工程を含むめっき処理方法において、エッチング処理液に含まれるクロム酸に対する安定した中和作用を有し、且つ、各種の樹脂成形品に対して優れた触媒付着能力を発揮できる新規な処理剤を提供する。
【解決手段】ジアミン化合物、又は該ジアミン化合物とエピクロルヒドリンとの重縮合物を有効成分として含有する水溶液からなる、クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤、及び
樹脂成形品に対してクロム酸−硫酸混液を用いてエッチング処理を行った後、該樹脂成形品を上記後処理剤に接触させ、その後、触媒付与及び無電解めっきを行い、更に、必要に応じて電気めっきを行うことを特徴とする樹脂成形品に対するめっき方法。 (もっと読む)


有機金属化合物を溶液から基板上に塗布するコーティングステップと、還元剤を含有する酸性溶液を用いて実施することを特徴とする還元ステップとを含む、導電性トラックの製造方法を開示する。
(もっと読む)


【課題】密着性がよく、錆が発生し難いめっきパターン部材及び電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】基材1と、基材1上に設けられた樹脂層2と、樹脂層2上に所定のパターンで設けられた被めっき層3と、被めっき層3上に設けられためっき層4と、めっき層4を隙間無く覆うように設けられた後処理層5とを有し、被めっき層3の下にある樹脂層2は、被めっき層3が設けられていない部分Bの厚さTよりも厚い山形状又は丘形状からなり、被めっき層3は、樹脂層2の中腹より上に形成されているように構成される。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に、触媒材料を含む第1下地層13Aを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第1下地層13Aを覆うように第1めっき層14Aを形成する。こののち、基板11上の第1めっき層14Aの近傍領域に、触媒材料を含む第2下地層13Bを形成し、この第2下地層13Bと第1めっき層14Aを触媒として、さらに2回目の無電解めっき処理を施す。第1下地層13A上に堆積した第1めっき層14Aと、第2下地層13Bとを覆うように第2めっき層14Bが成膜される。第1下地層13Aに対向する領域と第2下地層13Bに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜10の端部にテーパ14A−1が形成される。 (もっと読む)


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