【課題】無電解めっき技術を使用した回路パターン形成方法を提供する。
【解決手段】親水性を有する部分と撥水性を有する部分の両者でパターンが形成された基板を、チオール化合物と貴金属微粒子を含有する触媒化液に浸漬して上記基板の親水性を有する部分又は撥水性を有する部分のいずれか一方に前記貴金属微粒子を選択的に吸着させることにより無電解めっきの触媒となし、次いで該基板上にめっき法によるパターン回路を形成させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超臨界流体又は亜臨界流体を用いることで従来のエッチング処理が不要になるとともに簡略化された工程でメッキ用金属触媒を高分子繊維材料に付与することができるメッキ前処理方法及びメッキ方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】反応室３０内に高分子繊維材料Ｍを配置し、供給室３１内に有機金属錯体を投入する。高圧ボンベ１からシリンジポンプ２に液体二酸化炭素が供給されて所定圧力に昇圧されて超臨界状態となった二酸化炭素が反応器３に導入されると、供給室３１内で超臨界流体と有機金属錯体とが混合して反応室３０に流下し、撹拌装置３３により撹拌されて有機金属錯体が溶解しながら超臨界流体とともに高分子繊維材料に含浸する。反応器３に設けられたヒータ３２により反応室３０内の温度を還元温度に設定することで、含浸した有機金属錯体が還元されて材料表面にメッキ用金属触媒が析出するようになる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を含む組成物を吐出して選択的に光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を形成し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を、めっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質にめっき触媒物質を吸着又は析出させ、めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、めっき触媒物質を吸着又は析出させた光触媒物質又はアミノ基を有する物質表面に金属膜を形成し半導体装置を作製し、めっき触媒物質を含む溶液はｐＨを３以上６以下に調整して用いる。 （もっと読む）

【課題】 耐候性に優れかつ熱負荷における粒成長を抑制した導電性皮膜を得ることができる金属コロイド溶液を提供する。
【解決手段】 銀と、金、白金、パラジウム、鉄、スズ、チタン、ガリウム、ニッケル、亜鉛およびアルミニウムからなる群より選択される元素の少なくとも１種とを含むことを特徴とする金属コロイド溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】配線回路や遮光パターンの形成に適した複合金属コロイド粒子、複合金属コロイド粒子被覆体、混合金属コロイド粒子分散液ならびに導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基体表面に付着させて用いる粒径1nm〜100nmの２種以上の混合金属コロイド粒子からなり、混合金属コロイド粒子100重量部中の0.01重量部 から 10 重量部 がパラジウムコロイド粒子であって、各金属コロイド粒子は、該金属コロイド粒子100重量部あたり0.5重量部〜10重量部の有機保護膜で被覆されている。
この複合金属コロイド粒子の皮膜は、良好な導電性、遮光性を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来の、非導電性の基板（サブストレート）に金属被覆（メタライゼーション）をする方法では、設備の部材に塩の沈殿に起因する付着物ができる、といった問題があった。
【解決手段】（ａ）基板を金属含有活性化溶液に接触させ、
（ｂ）次いで、前記活性化溶液に接触させた基板を、
（１）前記活性化溶液の金属により還元される少なくとも１つの金属を含む金属塩と、
（２）リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、およびセシウムの内の少なくと も一つの金属と錯体をつくる試剤と
から構成される金属塩溶液に接触させ、
（ｃ）続いて、無電解または電解メッキ方法により、前記処理基板に、金属を被覆する
前記金属塩は、弗化物、塩化物、沃化物、臭化物、硝酸化物、硫化物あるいは、これらの混合から構成される塩の形態のリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、およびセシウムから構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多大なエネルギーを必要とせず、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法及び該工程により得られた、基板との密着性に優れ、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板に、無電解メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、及び、主鎖より８元素以上離れた位置に重合性基を有するポリマーを直接化学結合させてポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、（ｂ）該ポリマー層に無電解メッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｃ）無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 基板と金属微粒子（特に金属ナノ粒子）との密着性を向上できる組成物を提供する。
【解決手段】 ポリシラン化合物と、還元により前記金属微粒子を生成可能な金属化合物（例えば、貴金属化合物）と、無機微粒子（シリカなど）とで前記組成物を構成する。前記ポリシラン化合物は、ポリシランと、金属化合物及び／又は金属微粒子に対する親和性を有するユニットを含むビニル単量体との共重合体であってもよい。このような組成物を基板に塗布し、活性エネルギー線を作用させてポリシラン化合物を分解させることにより、金属微粒子を生成できる。このような方法は種々の方法に応用でき、例えば、基板に、前記組成物を塗布し、露光して金属微粒子を生成させたのち現像して金属微粒子を含むパターンを形成し、無電解めっき処理することにより無電解めっきパターンを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、酸化性ガスを混合することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が酸化剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能であり、さらに結晶性に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、光を照射することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】温・湿度依存性の低い導電膜の形成方法を提供すること。また、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた金属配線を製造する際に好適な導電膜の形成方法を提供すること。更に、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた導電パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、該基板表面に直接結合し、且つ、親水性基を有するグラフトポリマーを生成させる工程と、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する工程と、無電解メッキを行う工程と、前記親水性基を疎水性に変換する工程と、をこの順に有することを特徴とする導電膜の形成方法、及び該方法で得られた導電膜をエッチングする工程を含む導電パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】
有機物で修飾された基板の表面を高度に平滑とし、メッキ核の吸着サイトを均一に分散し、さらにメッキ浴に対する化学的安定性を高めることによって、ナノレベルで均一な金属皮膜を有する無電解メッキ用基板、無電解メッキされたメッキ基板の提供。
【解決手段】
疎水性の繰り返し単位１と金属ナノ粒子が吸着する機能を有する機能団を含む繰り返し単位２を含有するランダム共重合体の単分子膜が１層以上被覆され、金属ナノ粒子が吸着する機能を有する機能団に吸着した金属ナノ粒子をメッキ核として無電解メッキされたメッキ基板およびその製造方法。
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【課題】 めっきランニング安定性に優れた無電解金めっき液又は電解金めっき液を提供すること。また、めっきランニング安定性に優れた金めっき液を得るための、金めっき液用亜硫酸金塩水溶液を提供すること。
【解決手段】 亜硫酸金塩及び亜硫酸塩を含有し、パーティクル増加率が２０％以下であることを特徴とする金めっき液用亜硫酸金塩水溶液を、無電解金めっき液又は電解金めっき液の金源として用いることによって上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せずに、多数の微小突起を有する導電性無電解めっき粉体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の導電性無電解めっき粉体の製造方法では、芯材粉体と半導体粒子とを液体に懸濁させた状態下に光を照射して、該粉体の表面を親水化させると共に該粉体の表面に該半導体粒子を付着させ、次いで親水化され且つ該半導体粒子が付着した状態の該粉体の表面に、無電解めっきにより金属皮膜を形成する。芯材粉体及び半導体粒子として、その粒径比（前者／後者）が１０〜１０⁵のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 下地に最適化された処理液で触媒付与処理等の活性化処理を行うことで、特に、配線等の表面に、該配線の電気特性を劣化させることなく、高品質の金属膜（保護膜）を効率よく形成できるようにする。
【解決手段】 液温を１５℃以下に調整した処理液に、好ましくは１５℃以下の所定の温度に冷却した基板の表面を接触させて該表面を活性化させ、この活性化させた基板の表面をめっき液に接触させて該表面に金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 コストの面で良好であり、良好な導電性を確保することができる無電解用メッキ触媒及びそれを用いた無電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】 金属Ｍ_１及びＭ_２からなる合金ナノ粒子を含有し、上記金属Ｍ_１は、Ａｇであり、上記金属Ｍ_２は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｂｉ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｕからなる群より選択される１種又は２種以上である無電解メッキ用触媒。 （もっと読む）

【課題】 密着性に優れためっき被膜を安定して得ることができる無電解めっき用触媒液及びそれを用いた無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 少なくともパラジウム塩、塩化物イオンを含む水溶液からなり、且つ、この水溶液中の水素イオンの濃度［Ｈ^＋］と塩化物イオンの濃度［Ｃｌ⁻］との積が、１０^−１３＜［Ｈ^＋］^２・［Ｃｌ⁻］^４＜１０^−８の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物に密着性に優れためっき被膜を形成する無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 基板１の表面にシランカップリング処理を施し、基板１をニッケルめっき浴に液浸させることによって、基板１のシランカップリング処理が施された面にＮｉめっき被膜２を形成した後に、基板１をｐＨ１０以下の銅めっき浴に液浸させることによって、基板１のＮｉめっき被膜２が形成された面にＣｕめっき被膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 スズまたはスズ合金めっきを行った後、室温で５０００ｈｒ放置した場合であっても、確実にウィスカーの発生を防ぐことのできる簡便な手段を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体、（Ｂ）過酸化物および（Ｃ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有するスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤並びに被めっき素材を、上記のスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤に浸漬した後、スズまたはスズ合金めっきを行うことを特徴とするスズまたはスズ合金めっきのウィスカー防止方法。 （もっと読む）