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Fターム[4K022DA01]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被膜反応 (2,044) | 化学メッキ、無電解メッキ (1,706)

Fターム[4K022DA01]の下位に属するFターム

熔融塩(浴)
置換メッキ (192)
接触メッキ (10)

Fターム[4K022DA01]に分類される特許

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無電解ニッケルメッキ浴で使用するためのポリテトラフルオロエチレン分散液に、低粘性シリコーングリコール界面活性剤をグリセリンと一緒に添加する。この改良されたメッキ浴は、メッキ浴が古くなるにつれても機能し続け且つ付着物中にPTFEを20容量%以上を有する無電解ニッケル付着物を生成する安定なPTFE分散液を生成する。 (もっと読む)


【課題】 金属酸化物と導体膜との間の良好な密着性を確保し、かつ導体損失を低減させて共振特性を向上させることのできるようにした。
【解決手段】 表面の平滑なセラミック素体1を作製した後(a)、Znの酸化還元電位よりも電気化学的に卑な電位を有する両性金属の金属イオン、例えばAl3+、Si4+を添加したZn溶液を調製し、セラミック素体1をZn溶液に浸漬して該セラミック素体1の表面にZn皮膜2を形成し(b)、この後、無電解めっき処理を施してZn皮膜2上にめっき皮膜3を形成する(c)。 (もっと読む)


【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 (もっと読む)


【課題】 高分子成形材とメッキ膜間の密着性が照射領域で位置によらず所望の値以上になる高分子成形材のメッキ形成方法を提供することである。
【解決手段】 高分子材料に無機フィラーを充填した高分子成形材に照射するレーザの下限のフルーエンスを、メッキ形成に必要な最低フルーエンス以上で高分子成形材の表面粗さが増加傾向にある範囲で決定し、レーザの上限のフルーエンスを、高分子材料のアブレーションしきい値もしくは充填した無機フィラーのアブレーションしきい値のうち低い方で決定し、フルーエンスを、下限のフルーエンスと上限のフルーエンスとの間の一定範囲内に収めるようにした。 (もっと読む)


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