【課題】めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はＮｉＳＯ_４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さい回路基板である。 （もっと読む）

【課題】導電膜と基板との密着性に寄与する樹脂層の柔軟性、耐熱衝撃性に優れた導電膜の形成方法、該導電膜の形成方法を工程中に含むプリント配線板の製造方法及び導電膜材料を提供する。
【解決手段】（ａ）有機樹脂基材上に、ラジカル重合性基を有する化合物と、熱可塑性樹脂とを含有してなる樹脂層を形成する工程、（ｂ）無電解めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂とラジカル重合性基を有する化合物とを含有する無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる樹脂層を形成する工程、（ｃ）無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる層に、無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する工程、及び、（ｄ）無電解めっきを行い、無電解めっき膜を形成する工程、を含む導電膜の形成方法である。 （もっと読む）

【解決手段】主金属イオン、次亜りん酸イオン、上記主金属イオンの錯化剤、及び亜りん酸イオンを含む無電解めっき液を陽イオン交換樹脂に通液し、金属イオンを分離した次亜りん酸イオン及び亜りん酸イオンを含む脱金属めっき液を通過させる処理と、上記陽イオン交換樹脂に吸着した金属イオンを溶離液にて溶離させ、主金属イオンを分離、回収する処理と、脱金属めっき液を電界透析処理して次亜りん酸イオン及び１価錯化剤イオンを含む１価アニオン溶液と、亜りん酸及び２価以上の錯化剤イオンを含む多価アニオン溶液とに分離する処理とを有する無電解めっき液の再生方法。
【効果】本発明によれば、金属イオン、次亜りん酸イオン及び１価の錯化剤イオンを効率よく回収し得ると共に、亜りん酸やめっき液中に存在する不純物金属イオンを効率よく分離することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子（単一粒子）で存在している割合が高く、接続抵抗の低減に有用な突部が表面に形成されている、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。更に、この無電解メッキ金属薄膜の表面には、接続抵抗を低減できる突部が形成されている。このような導電粒子は、メラミン化合物を樹脂粒子表面に吸着させるメラミン吸着処理工程、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】めっき金属中にカーボンナノチューブもしくはその誘導体を常温で混入させることのできる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき方法は、無電解ニッケルめっき液もしくは無電解銅めっき液中に、カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体を添加して、該めっき液を用いて基材１２上に無電解めっきを施して、基材１２表面に、前記カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜１４を形成する無電解めっき方法であって、前記めっき液中に分散剤としてポリアクリル酸もしくはその塩を添加して、カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体をめっき液中に分散させて無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】ＶＧＣＦ（商標）のような大きなサイズのＣＮＴであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ｎｉ−Ｐめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ｎｉ−Ｐめっき液へのＶＧＣＦ（商標）（市販の直径１５０ｎｍ前後、長さ１０〜２０μｍ程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ）の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてＮｉ−Ｐめっきを施すめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に１００μｍ以下の素地露出部の幅を有する高さ３μｍ以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、１００μｍ以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れたアルミニウム酸化物膜を有する積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、アルミニウム源を含有し、かつ、分極率の値の差が５以下である状態の溶媒を含有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液を、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上にアルミニウム酸化物膜を形成することを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
特に、Ｐ含有量が大きいＮｉ−Ｐ無電解めっき膜の上に形成される無電解めっきによる貴金属めっき膜の析出性及び密着性に優れた電気接点の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
無電解めっき法にてＮｉ−Ｐ無電解めっき膜をめっき形成し、次に、めっき浴中に陰極および陽極を設けて電流を流すことにより、前記Ｎｉ−Ｐ無電解めっき膜の陽極側に向く表面に、バイポーラ現象を利用してＮｉ−ＰからなりＮｉ含有量がＮｉ−Ｐ無電解めっき膜よりも大きいバイポーラめっき膜をめっき形成する。バイポーラめっき膜はＮｉ含有量が大きいため、貴金属めっき膜を無電解めっきするときの表面活性が高く貴金属めっき膜の析出性と密着性に優れた電気接点を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】還元型の無電解錫めっき浴を用いて、プリント配線基板に適した処理条件で、所望とする膜厚を有する錫めっき皮膜を形成させるための錫めっき皮膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】３価のチタン化合物を還元剤とする無電解錫めっき浴に銅又は銅合金を浸漬させて錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜形成工程と、錫めっき皮膜が形成された銅又は銅合金を無電解銅めっき浴に浸漬して錫めっき皮膜上に銅めっき皮膜を形成する銅めっき皮膜形成工程と、銅めっき皮膜が形成された銅又は銅合金を無電解錫めっき浴に浸漬して銅めっき皮膜上に錫めっき皮膜を形成する厚膜化工程とを有する。そして、銅めっき皮膜形成工程と厚膜化工程とを交互に繰り返し実行して、銅又は銅合金の膜厚方向に錫めっき皮膜を膜厚化する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずＣｕめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いＣｕめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面がＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Ｃｕめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にＣｕめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Ｃｕめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含む。 （もっと読む）

本発明は、基材を、ａ）少なくとも１種のインジウムアルコキシド及びｂ）少なくとも１種の溶媒を包含する液状の無水組成物でコーティングし、任意に乾燥し、かつ２５０℃より高い温度で熱的に処理する半導体の酸化インジウム膜の製造法、この方法に従って製造可能な膜及び該膜の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。
【解決手段】非シアンの亜硫酸金塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸、ベンゾトリアゾール化合物、硫黄を含有するアミノ酸化合物、ヒドロキノンを所定の濃度で含有しためっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ可溶性基板に対して、高い密着強度で密着された無電解めっき膜を形成することができる無電解めっき物の製造方法の提供。
【解決手段】アルカリ可溶性基板１０１上に、金属酸化物層１０２を形成する金属酸化物層形成工程と、金属酸化物層１０２上に、カップリング剤及びトリアジンチオールの少なくともいずれかによるパターン状の密着層１０３ａを形成する密着層形成工程と、密着層１０３ａ上に、無電解めっきにより、めっき層からなる配線層１０５を形成するめっき層形成工程とを含むことを特徴とする無電解めっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ優れた抵抗体特性を有する抵抗体皮膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】先駆体溶液として、スズと、アンチモン、タンタル、ニオブから選ばれた少なくとも１つの金属とを含む有機金属化合物からなる金属有機化合物の溶液を、アルミナ基板等の支持体の上に塗布して乾燥させる。その後、弱いレーザーを照射してパターニングを行い、未反応部を酸で除去する。そして、基板を２００℃から５００℃で加熱しながら強いレーザーを照射して結晶性薄膜への変換を行う。 （もっと読む）

【課題】長期間経過してもめっき形成された導電膜が変色せず、良好な外観を維持することができる電子部品のめっき方法、及びこのめっき方法を使用して製造されたセラミック多層基板等の電子部品を実現する。
【解決手段】部品素体の表面にめっき処理を行い、少なくとも一層以上の導電膜を形成した後、水洗し、その後、水分除去処理を行う電子部品のめっき方法において、前記水分除去処理は、前記水洗された電子部品を凍結させた後、減圧して水分を昇華させる。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性、及び耐エロージョン性の２つの特性を同時に向上させることができ、かつ、製造工程が簡易で製造コストが安価な蒸気タービン翼及び蒸気タービンを提供する。
【解決手段】蒸気タービン３は、タービンロータ４と、タービンロータ４に植設される動翼５と、動翼５の上流側に配設される静翼６と、静翼６を支持するとともにタービンロータ４、動翼５、静翼６を内包するタービンケーシング１３とを具備し、動翼５と静翼６との対により一つの段落７を形成すると共にタービンロータ４の軸方向に複数の段落７を並べて蒸気通路８を形成した構成である。静翼６表面、動翼５表面の少なくとも一部に非晶質セラミックマトリックス中にビッカース硬度が８００以上の結晶質からなる硬質粒子が分散して存在するコーティング皮膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ３価のチタン塩を含む無電解スズメッキ浴において、簡便な操作で無電解スズ浴のメッキ機能を長期に安定化させる。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩とレドックス系還元剤としての３価チタン塩と錯化剤とを含有した無電解スズメッキ浴を用いて、３価のチタンイオンから４価への酸化によりスズイオンを金属スズに還元して析出させる際に、スズメッキ浴に陰極と陽極を臨ませ、無電解メッキ処理と並行して、或は無電解メッキ処理後に、メッキ液を電解還元処理してチタンイオンを４価から３価に還元・再生する無電解スズメッキ方法である。微量の電圧で電解還元して、チタンイオンを４価から３価に還元するため、浴でのスズの析出作用を長期に保持できる。 （もっと読む）

【課題】処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅表面の皮膜を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、錯化剤と、銅化合物とを含有し、表面処理剤全体に対するスズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ未満の範囲内であり、スズ化合物の濃度に対する銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡略化した突起電極の形成方法、及びこれに用いる置換金めっき液を提供する。
【解決手段】本発明に係るバンプ２の形成方法は、電極１２上に形成された導電性のコア２１の表面を、亜硫酸カリウムとポリエチレンイミン又はその誘導体とを含む置換金めっき液を用いて被覆する被覆工程を包含し、一回の被覆工程において、厚さ０．１μｍ以上０．５μｍ以下の金膜２２をコア２１の表面に形成する。これにより、バンプ２を形成するに十分な膜厚の金膜２２を形成するために、被覆処理を繰り返し行う必要がない。その結果、製造工程を簡略化し、コストを低減させることが可能になる。 （もっと読む）