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Fターム[4K022DB02]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | P化合物 (407)

Fターム[4K022DB02]に分類される特許

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【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記改質層の表面にエネルギーを付与して該改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の端子部分、他の電子部品の端子部分、或いは、その他の金属微細パターン付き樹脂基材などのめっき処理対象面に、無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う際に、下地である樹脂表面の金属異常析出が抑えられ、めっき処理面の品質に優れる方法を提供する。さらに本発明は、めっき処理面の品質に優れためっき処理物、特に、インターポーザ、マザーボード、及び、それらを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線板の端子部分などの被処理部分に金属微細パターン付き基材の無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う方法であって、パラジウム触媒付与工程の後、無電解パラジウムめっき処理を行う前の任意の段階において、pH10〜14の溶液による処理およびプラズマ処理よりなる群から選ばれる少なくとも一つの表面処理を行う。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、表面に均一に金属メッキを施した微小ポリエチレン粒子を製造することを目的とする。
【解決手段】
平均粒子径が1μm〜100μmのポリエチレン粒子を用意する第1の工程と、前記粒子を大気圧近傍の圧力下でプラズマに接触させる第2の工程と、前記第2の工程で処理されたポリエチレン粒子(以下、被処理粒子という)を溶媒中に分散させ無電解メッキ処理を行う第3の工程と、を含んでなる、機能性粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面に均一に金属メッキを施したポリエチレン粒子及び該ポリエチレン粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が1μm〜100μmの樹脂粒子の表面に無電解メッキ層が形成されていることを特徴とする機能性微粒子であって、上記樹脂粒子がポリエチレン粒子に極性モノマーをグラフト重合したグラフト共重合体であることを特徴とする機能性粒子、および極性モノマーをグラフト重合する方法が、放射線グラフト重合である上記機能性微粒子。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板において、導電性パターン部にのみ良好なめっき皮膜を形成できる特性に優れた無電解ニッケルめっき皮膜の形成を可能にする、触媒残渣除去剤を提供する。
【解決手段】
下記一般式(I)


[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、それぞれ、水素原子又は下記基:


(式中、Rは、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、mは1〜10の整数である)であり、nは2又は3である。]で表されるアルキレンジアミン化合物を含有することを特徴とするプリント配線板用触媒残渣除去剤。 (もっと読む)


光起電太陽電池における金属接点にめっきを施すための方法及び組成物を記載する。めっき性金属イオン及び化学還元剤を含有する水性浴に前記電池を浸漬する。次いで、前記電池を光に曝露して、前記電池の2つの側面を逆の極性に帯電させる。外部電気接触、裏側のアノード腐蝕、及び裏側の犠牲物質の必要なしに、金属イオンをめっきできる。 (もっと読む)


本発明は、プリント回路板、IC基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての1μm以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解(浸漬)めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 (もっと読む)


【課題】複数の被めっき物をめっきしつつ、被めっき物に対するめっき液の温度及び所定成分の濃度のばらつきを低減でき、且つ廃液量の削減を図ることが可能な無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】制御装置31は、第1〜第5のめっき槽2,3,4,5,6のうち補給対象となる1つのめっき槽に対応する分析用バルブを開状態に設定するとともに分析用ポンプを駆動し、1つのめっき槽内のニッケルめっき液33を分析部41に供給し、分析部41の分析結果に基づいて1つのめっき槽内のニッケルめっき液33中の所定成分の濃度を所定の濃度にするために加える補給液の供給量を算出し、算出した供給量の補給液を1つのめっき槽に供給する分析補給処理を実行する。制御装置31は、予め定められた補給順序に従って補給対象となるめっき槽を順次変更して分析補給処理を繰り返して実行する。 (もっと読む)


【課題】 種々の微細なパターン化金属箔の作製が可能なパターン化金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 (A)表面に開口方向に向かって幅広な凹部が形成されており、表面が導電性であるめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、
(B)上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程
を含むことを特徴とする、少なくとも片面にパターンが施された金属箔の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第1めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程(ステップS52)と、第2めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程(ステップS54)と、第3めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程(ステップS56)を含む。第1めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第2めっき槽および第3めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 (もっと読む)


【課題】配線の耐折性が向上し且つ比較的低コストで製造できるフレキシブル銅張積層板及びCOF用フレキシブルプリント配線板並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面を表面改質してニッケル系シード層及び銅めっき層を順次積層した銅張積層板であって、前記ニッケル系シード層の厚さを40〜80nmとする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−2〜+5の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、3−アミノプロピオン酸、3−アミノブタン酸、3−アミノ−4−メチル吉草酸、並びに2−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 (もっと読む)


基板上に硬さが増加した金属−セラミック複合コーティングを製造する方法は、セラミック相のゾルをめっき液又は電解液を添加することを含む。めっき若しくはコーティングの前及び/又は間に、セラミック相のナノ粒子が基板の直接上に若しくは基板で形成する、並びに/あるいは金属−セラミックコーティングが主として結晶構造で基板上に形成する、並びに/あるいはめっき液若しくは電解液中でのセラミック相のナノ粒子の形成及び/又はセラミック相の粒子の凝集を実質的に避けるのに十分低く調節したゾル添加割合で、ゾルを添加することができる。セラミック相は、Ti、W、Si、Zr、Al、Y、Cr、Fe、Pb、Co若しくは希土類元素の単一又は混合酸化物、炭化物、窒化物、ケイ酸塩、ホウ化物であってよい。セラミック相以外のコーティングは、Ni、Ni−P、Ni−W−P、Ni−Cu−P、Ni−B、Cu、Ag、Au、Pdを含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】密着性に優れためっき被膜を形成することができる無電解ニッケルめっき浴、及び、無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】水1Lに、次亜リン酸を110〜130g/L、硫酸ニッケルを98〜120g/L、酢酸ナトリウムを45〜60g/L、硝酸鉛を0.005〜0.025g/L、チオ尿素を0.003〜0.023g/L、リンゴ酸を70〜95g/L、さらに、pH緩衝剤として苛性ソーダを30〜50g/L溶解させて、pH4.8〜5.3に調節した無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を形成した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物0.001〜0.1モル/l、前記アミン化合物は0.05〜5モル/l、前記無機硫黄化合物0.01〜0.1モル/l、前記次亜リン酸化合物は0.05〜1.0モル/l、前記ギ酸またはギ酸化合物は0.001〜0.1モル/lであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 (もっと読む)


【課題】めっき触媒等の金属に対して充分な吸着性を有し、吸水性が低く、重合性に優れ、且つアルカリ水溶液による加水分解を抑制しうる新規共重合ポリマーの提供。
【解決手段】下記式(1)で表されるユニット、及び、下記式(2)で表されるユニットを含むポリマー。式(1)及び式(2)中、R〜Rは、夫々独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換のアルキル基を表し、Rは、無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、V及びZは、夫々独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、L及びLは、夫々独立して、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
(もっと読む)


【課題】常温常圧で動作し、大きな酸素運搬能力を容易に出しえ、電解質の漏出など事故の問題が無い、酸素ポンプの提供。
【解決手段】金属コバルトを表面に有する多孔質のガス交換性の負極3と多孔質のガス交換性の正極2との間に、電解液を含浸させた多孔質セパレータ1とを有し、集電構造を介して外部直流電源より両電極2,3に給電して、互いに隔離された気相の負極側から正極側に酸素の移動を行うものであり、常温常圧で動作する水系溶剤を用い、極めて少ない量の電解質が含浸保持されるので、電解質の漏出などの恐れが無い。また、構造的に薄くやわらかく、大面積にして酸素運搬能力を大きくすることが可能である。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極6を形成する。エミッタ電極6として、第1のアルミニウム膜61および第1のニッケル膜62が形成される。次いで、半導体基板1の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極9を形成する。コレクタ電極9として、第2のアルミニウム膜91および第2のニッケル膜92が形成される。次いで、エミッタ電極6の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極6の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極6の表面を活性化する。次いで、半導体基板1のエミッタ電極6およびコレクタ電極9の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 (もっと読む)


【課題】各種の下地金属上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に、金めっきの析出性、カバーリング性などを向上させることが可能な新規な置換析出型無電解金めっき方法、及びこの方法に用いる処理剤を提供する。
【解決手段】亜硫酸塩、アミノカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類、ホスホン酸類及びポリエチレンンアミン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を有効成分とする水溶液からなる置換析出型無電解金めっきの前処理用活性化液、並びに
該活性化液に被処理物を接触させた後、水洗を行うことなく、該被処理物を置換析出型無電解金めっき液に接触させることを特徴とする置換析出型無電解金めっき方法。 (もっと読む)


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