【課題】錫めっき層を正常に形成することが可能な配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース絶縁層４１上に複数の配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１を形成し、その後、配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１の表面に無電解錫めっき処理を施す。これにより、配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１の表面を覆うように錫めっき層Ｓ１，Ｓ２が形成される。無電解錫めっき処理には、ホウフッ酸、硫酸、アルカノールスルフォン酸、有機カルボン酸およびフェノールスルフォン酸のうち少なくとも１つ、ならびに銀イオンを含む無電解錫めっき液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、Ｔｉ系基材の少なくとも一部を、Ｎｉを主成分とするＮｉメッキ液中に浸漬して、そのＴｉ系基材の表面にＮｉメッキ層を形成するメッキ工程と、このメッキ工程後のＴｉ系基材を窒化処理を施す窒化工程とを備えてなり、前記Ｔｉ系基材の少なくとも一部の表面にＴｉ、ＮｉおよびＮを必須構成元素とする耐食性または導電性に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う（ステップＳ３）。ついで、電極の表面に第１ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ４）、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する（ステップＳ５）。ついで、電極の表面に第２ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ６）、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

【課題】基板に対する吸着または機械的な保持力を強めることなく、基板の離脱や脱落を確実に防止しつつ基板を保持して処理ができるようにする。
【解決手段】基板の裏面周縁部をシールしながら基板を保持する環状シールを備えた回転自在な保持ヘッド１８４を有し、保持ヘッド１８４は、基板を保持した状態での該保持ヘッド１８４の回転に伴って、環状シールでシールされた基板の裏面側に負圧を発生させる絞り機構２６０を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、疎水性が高く、成型加工性に優れ、めっき層と良好な密着性を示すめっき可能な樹脂複合体、この樹脂複合体からなる層を備える積層体、およびこの積層体を製造する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体または金属と相互作用できる官能基を有する疎水性化合物Ａと、前記疎水性化合物Ａとは相溶しない疎水性樹脂Ｂとを含み、前記疎水性化合物Ａが分散相、前記疎水性樹脂Ｂが連続相となる相分離構造を形成し、表面上の少なくとも一部に疎水性化合物Ａが露出している、めっき可能な樹脂複合体。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、無電解ニッケルメッキ廃液を浄化するための従来の酸化方法の問題点を排除して、簡便な装置を用い低コストで効果的な方法により、無電解ニッケルメッキ廃液の浄化と、ニッケルおよびリン酸塩を回収して再資源化する方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルメッキ廃液からニッケルイオンを分離する第一工程と、第一工程で得られた分離液中の次亜リン酸イオンを酸化触媒により亜リン酸イオンに酸化する第二工程と、第二工程で得られた亜リン酸イオンを酸化触媒により正リン酸イオンに酸化する第三工程および、第三工程で得られた正リン酸イオンをリン酸塩に転換してろ過分離することにより、リン濃度が１６ｍｇ／ｌ以下の廃液に浄化し、リン酸をリン酸塩として回収する第四工程とからなることを特徴とする無電解ニッケルメッキ廃液の浄化方法である。 （もっと読む）

【課題】オゾン酸化の促進とオゾンの分解抑制との両方を兼ね備えたオゾン水を用いた固体有機物表面の酸化装置を提供する。
【解決手段】オゾン酸化促進剤が充填された前処理槽１と、オゾン水処理槽３を有するオゾン処理装置２とを備える。前処理槽１は、オゾン酸化促進剤Ｑで満たされており、ワークＰが、前処理槽１とオゾン水処理槽３との間を図示しない駆動装置により往復動可能な複数の固定用保持具４に保持されている。 （もっと読む）

本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む：
【化１】


（式中、
Ｒ^１は、ＯＨ、ＯＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＨ_３、および直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
Ｒ^２は、Ｈおよび直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
ｍは、１〜５の整数、
ｎは、２〜３０の整数、
ｏは、０〜１０の整数、
Ｍ^＋は、金属イオン、疑似金属イオン、またはＨ^＋を表す）。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

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本発明は、ＡｌまたはＣｕ表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板に関する：（ａ）Ｎｉ−Ｐ層、（ｂ）Ｐｄ層、および任意的に、（ｃ）Ａｕ層、ここで、Ｎｉ−Ｐ層（ａ）の厚さは０．２〜１０ｍであり、Ｐｄ層（ｂ）の厚さは０．０５〜１．０ｍであり、そして任意的なＡｕ層（ｃ）の厚さは０．０１〜０．５ｍであり、そしてＮｉ−Ｐ層（ａ）のＰ含量は１０．５〜１４重量％である。得られるＮｉ−Ｐ／Ｐｄ積層の堆積内部応力は、３４．４８ＭＰａ（５，０００ｐｓｉ）以下である。さらに、このような基板の調製プロセスを記述した。 （もっと読む）

階層的多孔構造を有するモノリス型金属又は金属複合体を製造する方法であって、多孔質構造を有するテンプレート材料を選択する工程；該テンプレート材料を、構造化される１つの又はそれぞれの該金属の溶液と接触させる工程；１つ又はそれぞれの該金属を該テンプレートに堆積させる工程；該金属被覆テンプレートを、更なる金属の堆積の前に洗浄する工程；該金属被覆テンプレート材料を分離する工程；該テンプレート材料の少なくとも一部分を熱的に除去する工程を含む方法。
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【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上に、側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマーを塗布してプライマー層を形成するプライマー層形成工程と、（ｂ）該プライマー層表面に、無電解メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基及び重合性基を有するポリマーを塗布してポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、（ｃ）該ポリマー層に無電解メッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｄ）無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有する金属膜形成方法。 （もっと読む）

ニッケル含有金属および金含有金属で順次にめっきされる外部銀含有電気端子を備えるＬＴＣＣデバイスが記載されている。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物等の提供。
【解決手段】ラジカル重合性基、１０≦ｐＫａ≦１６の炭素原子に直接結合した活性水素を有する官能基、及びイオン性吸着基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物等を提供する。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（Ｍ１）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（Ｍ１）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する金属（Ｍ２）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（Ｍ１）塩を、金属（Ｍ２）塩とする金属固定工程と、上記金属（Ｍ２）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高分子樹脂からなる基材の表面に無電解めっき処理を行って、被膜を形成した場合であっても、この被膜と基材との密着信頼性を高めることができる無電解めっき処理方法を提供する。
【解決手段】不飽和結合を有する高分子樹脂の基材の処理表面に有機化合物を含む溶液を接触させて、前記処理表面を含む表面層を膨潤させる工程とＳ１１、前記膨潤した表面層を加熱して、前記表面層に残留する前記溶液を除去する工程Ｓ１２と、前記溶液を除去した表面層の前記処理表面にオゾン水を接触させて、前記処理表面にオゾン水処理する工程Ｓ１４と、前記オゾン水処理した処理表面を無電解めっきする工程Ｓ１９と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、酒石酸ナトリウムカリウムの濃度を調整して、表面側に数ｎｍの酸化防止膜を形成することが可能なＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態のＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜１には、表面１ａ側に、ＣＯＯＨ、ＦｅＯ₂、ＦｅＯ及びＮｉＯを含む数ｎｍの膜厚の酸化防止膜２が形成されている。これにより、メッキ膜中の酸化を抑制でき、磁気特性の経時変化を小さくでき、安定した磁気特性を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】不純物が可及的に少ない再生めっき液を得ることにより、めっき特性を向上させると共に、ニッケル及びキレート等の有用成分のロスを防止し経済性を向上させる無電解ニッケルめっき液の再生方法及び装置を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき液の再生方法は、ニッケルイオン（Nｉ2＋）を含有する次亜リン酸水溶液を主成分とする無電解ニッケルめっき液を原液とした無電解めっき１における副生物を含有した老化液を、圧力透析膜２で透析して前記副生物含有液に含まれる副生物を原液から分離し、副生物が除去された再生液は原液４に戻す。また、副生物を含んだ分離液にカルシウム塩又はカルシウム塩及びバリウム塩を添加して分離液中の副生物である亜リン酸イオン及び硫酸イオンを不溶性化合物として沈殿分離３し、沈殿した不溶性化合物が分離された再生液を前記原液に戻す。 （もっと読む）

【課題】
より簡単な無電解メッキ用基材の前処理方法を提供すること。また、より簡単な操作で、しかもメッキ皮膜が基材表面に密着することができる新規な無電解メッキ法を提供すること。
【解決手段】
基材を陽イオン性界面活性剤水溶液中に浸漬し、次いで前記浸漬処理した基材を貴金属ゾル中に浸漬して得られた無電解メッキ用基材を、無電解メッキ液中に浸漬し、無電解メッキ方法にて基材表面にメッキ皮膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 鋳型のパターン形状が精密に転写されており、かつ、導体層と樹脂層との密着性に優れた回路配線基板を効率良く製造する。
【解決手段】 凹凸パターンを有する鋳型に、ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させてポリアミド酸層を形成した後、これを鋳型から剥離して凹凸面を有するポリアミド酸フィルムとする。このポリアミド酸フィルムに金属イオンを含浸させた後、金属イオンを還元して凹凸面の表面に金属析出層を形成させる。この金属析出層の上に、無電解めっきおよび／又は電気めっきを施して導体層を形成した後、ポリアミド酸フィルムが部分的に露出するまで導体層および金属析出層を削り、パターン化導体層を形成する。ポリアミド酸フィルムのポリアミド酸は熱処理によってイミド化してポリイミド樹脂層とする。 （もっと読む）