【課題】セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】（i）水溶性金化合物、
（ii）錯化剤、
（iii）還元剤、並びに
（iv）イソチオ尿素及びその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分からなる安定剤、
を含有する水溶液からなる自己触媒型無電解金めっき液。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステルおよび次式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】導電性が良好で、かつ電極との接続信頼性の高い、突起を持つ銀めっきされた導電性微粒子を提供する。
【解決手段】 基材粒子の表面にニッケルメッキ被膜が形成され、該ニッケルメッキ被膜下地層の表面に無電解銀メッキにより銀メッキ被膜が形成され、最表面に微小突起を有することを特徴とする導電性微粒子。ニッケルメッキ被膜の表面に銀メッキ被膜が形成されていることにより、経時的にニッケルメッキ層が腐食して電気抵抗が増大することなく、しかも安価で電気抵抗が低い銀メッキ被膜を有しているため、導電性が良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】周期的な微細構造を有する金属製薄膜を提供する。
【解決手段】原子番号が２４〜４８である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、０．０１μｍ〜１００μｍの膜厚ならびにハニカム状に整列した孔径０．０１μｍ〜１００μｍの孔を有する金属製薄膜である。また、非水溶性ポリマーからなるハニカム状多孔質体を鋳型として無電解鍍金を行うことを特徴とする、原子番号が２４〜４８である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、０．０１μｍ〜１００μｍの膜厚ならびにハニカム状に整列した孔径０．０１μｍ〜１００μｍの貫通孔を有する金属製薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高価な触媒を使用せずコストを低減し、かつ金属被覆層が均一で経時的安定性が著しく高い導電性微粒子の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、ポリマー微粒子（Ａ）、金属親和性の高い官能基（ｂ）を有する化合物（Ｂ）、金属塩（Ｃ）、２５℃における比誘電率εが２０〜９０である溶媒（Ｄ）、及び必要により還元剤（Ｇ）を含有する混合物にマイクロ波を照射することを特徴とする導電性微粒子（Ｅ）の製造方法であり、また、金属親和性の高い官能基（ｂ）を表面に有するポリマー微粒子（Ｆ）、金属塩（Ｃ）、２５℃における比誘電率εが２０〜９０である溶媒（Ｄ）、及び必要により還元剤（Ｇ）を含有する混合物にマイクロ波を照射することを特徴とする導電性微粒子（Ｅ）の製造方法でもある。 （もっと読む）

安定性に優れて数回使用でき、沈殿物による膜質の低下が防止できるコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及び前記無電解鍍金方法から製造された薄いコバルト系列合金薄膜を提供する。コバルト前駆体、タングステン前駆体、リン前駆体、還元剤、錯化合物形成剤、ｐＨ調節剤、及び安定剤とからなるコバルト系列合金無電解鍍金溶液において、還元剤はジメチルアミンボラン（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅｂｏｒａｎｅ、ＤＭＡＢ）またはホウ水素化物（ｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ）であり、安定剤はイミダゾール、チアゾール、トリアゾール、ジスルフィド、及びこれらの誘導体からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とするコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及びこれから製造された薄膜を提供する。
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【課題】 メッキ面の保存性を損なわずに、スズメッキ後の水洗に際してメッキ面上への白色の微細粒子の発生を防止する方法を提供する。
【解決手段】 酸性無電解スズメッキ液に被メッキ物を浸漬してスズメッキを施し、水洗し、乾燥する無電解スズメッキ方法において、酸性無電解スズメッキ液によるメッキ工程の後で、且つ、水洗工程の前に、メッキ工程で使用した上記メッキ液とは異なる劣化のない酸性無電解スズメッキ液でメッキ面を洗浄することからなる後処理を施す無電解スズメッキの後処理方法である。メッキ直後に水洗せずに、劣化のない無電解メッキ液で洗浄するため、皮膜上の４価スズ塩は酸性を呈するメッキ液に溶解した状態でメッキ液と共に皮膜上から除去され、水洗後に白い微細粒子が凝集することを良好に防止できる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）水溶性銅塩、（Ｂ）還元剤、（Ｃ）錯化剤、（Ｄ）めっき析出抑制剤としてポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール又はエチレングリコール−プロピレングリコール共重合体、及び（Ｅ）めっき析出促進剤として８−ヒドロキシ−７−ヨード−５−キノリンスルホン酸を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、上記（Ａ）成分、（Ｂ）還元剤としてグリオキシル酸又はその塩、上記（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を含有し、Ｎａイオンを含有しない無電解銅めっき浴、並びにこれらを用いた無電解銅めっき方法及びＵＬＳＩ銅配線形成方法。
【効果】ボイド等の欠陥の形成を可及的に防止しつつ、トレンチの効率的な埋め込みが可能であり、更に、微細なトレンチへの均一な付着が難しい乾式法によるシード層形成をせずに、全工程を湿式工程で構成して、より均一かつ確実にトレンチの埋め込みめっきを施すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】 中性且つ低温でも、金の析出速度が高く、安定性も優れた無電解金めっき液を提供すること。
【解決手段】 金塩と、下記一般式（Ｉ）で表される還元剤と、重金属塩と、を含むことを特徴とする無電解金めっき液。
【化１】


［式中、Ｒ^１は水酸基又はアミノ基を示し、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に水酸基、アミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】 金属、セラミックス及び樹脂表面に原子、原子団及び分子レベルで付着して機能的な反応性を付与する。
【解決手段】
下記一般式（１）：
【化７】


で示されるアルコキシシリルトリアジンジチオール。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とすることなく、高品質の保護膜を金属部の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】処理槽を有する前処理ユニットと、めっき槽を有する無電解めっきユニットと、後洗浄ユニットとを有し、前処理ユニットと無電解めっきユニットは、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッドの周囲を囲繞する基板受け２３６を備えた共通の基板保持ヘッドを有し、吸着ヘッドには、円周方向に沿って延びる真空引き可能な凹状部２５０ａを有する吸着リング２５０が取付けられ、基板受けは、内方に突出し内周端部にシールリング２５４ａを有し、吸着ヘッドによってシールリングを基板の周縁部に圧接させて、基板の周縁部をシールリングでシールして基板を保持し、吸着リングの凹状部を真空引きして、基板の周縁部を吸着リングでシールしながら基板を吸着保持して基板を基板受けから引離す。 （もっと読む）

【課題】生産性及び材料効率の高い湿式めっき法により、光輝性及び不連続構造の金属皮膜を高生産性・低コストで得る方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂膜のイミド環を開環させてカルボキシル基を導入し、前記カルボキシル基に金属イオンを吸着させ、前記金属イオンを還元して金属皮膜を成膜するダイレクトメタライゼーションを用いた樹脂製品の製造方法であって、樹脂基材１１の上にポリイミド樹脂膜１２を形成し、ポリイミド樹脂膜１２の上に、前記カルボキシル基の導入、前記金属イオンの吸着、及び前記金属イオンの還元のいずれか一又は二以上において処理条件を不足側に制御して前記ダイレクトメタライゼーションを行うことにより、光輝性及び不連続構造の金属皮膜１３を成膜する。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板に要求される半田付け性およびワイヤボンディング性を満足させることが可能なプリント回路基板のメッキ層形成方法を提供する。
【解決手段】半導体表面実装のためのワイヤボンディング部１２、１３および外部部品との接続のための半田付け部を含み、一定の回路パターンが形成されたプリント回路基板を用意する段階と、プリント回路基板のワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部を除いた部分にフォトソルダレジスト層１４を形成する段階と、ワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部に無電解パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５を形成する段階と、パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５上に、水溶性金化合物を含む置換型浸漬金メッキ液を接触させて無電解金または金合金メッキ層１６を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】色調および耐磨耗性に優れた無電解ニッケル黒色めっき膜を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケル黒色めっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬してめっき膜を形成し、前記めっき膜に黒色化処理を施し、前記めっき膜を黒色保持処理に付し、次いで、前記黒色保持処理後のめっき膜を１００〜３００℃の範囲の温度で熱処理する。Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θ＝４６〜４９°に回折ピークを有する無電解ニッケル黒色めっき膜。 （もっと読む）

【解決課題】白金化合物の種類によらず緻密な白金皮膜を安定的に形成できる無電解めっき方法を提示する。
【解決手段】本発明は、白金化合物を基材表面で還元処理して白金を析出させる白金の無電解めっき方法において、前記還元処理を、少なくとも１種以上のアルカリ土類金属化合物を含む溶液中で行なうことを特徴とする無電解めっき方法である。本発明により製造される白金めっき品は、アルカリ土類金属含有量が０．０１〜５重量％となっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシート上に電極パターンを薄く形成することができるとともに、生産性が高く、高品質の積層電子部品を得ることができる無電解めっき膜形成方法、及び、無電解めっきのための触媒パターン形成装置を提供する。
【解決手段】触媒溶液３２、４２を含浸させた転写材３１、４１をセラミックグリーンシート１に接触させて、同シート１上に、触媒溶液３２、４２による触媒パターン３２０、４２０を形成する。その後、触媒パターン３２０、４２０に無電解めっきを施す。転写装置３、４は、支持体３０、４０と、転写材３１、４１とを含み、支持体３０、４０は転写材３１、４１を支持し、転写材３１、４１は触媒溶液３２、４２に対する保液性を有する。 （もっと読む）

【課題】細孔とセル径を制御可能とし、大面積基板に対して適用可能で、低コスト且つ簡易な装置によるナノ構造体を得る方法、及び該ナノ構造体を鋳型として金属ナノ構造体を得る方法及び金属ナノ構造体の提供。
【解決手段】アルミニウム等の基体２を陽極酸化し、細孔拡大処理により孔径を拡大させたアルミナ皮膜３からなる多孔質酸化皮膜ナノ構造体１を鋳型とし、金属Ｍ２よりも酸化還元電位の低い金属Ｍ３のイオンを含む溶液に超音波をかけながら鋳型を浸漬して鋳型に金属イオンＭ３を担持させる工程、金属Ｍ２のイオンを含む溶液に超音波をかけながら金属イオンＭ３を担持した鋳型を浸漬して鋳型に金属Ｍ２のコロイドを担持させる工程、金属Ｍ１のイオン、還元剤及び平滑化剤を含む溶液に金属Ｍ２のコロイドを担持した鋳型を浸漬する無電解めっき工程、及び、酸化皮膜３を選択的にエッチング除去する工程とを含む方法により金属ナノ構造体４を得る。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクデバイスの製造においてコバルト，ニッケル，あるいはこれらの合金を基板上に無電解的に(electrolessly)堆積する(depositing)方法と組成体(composition)。無電解コバルト及びニッケル堆積溶液のためのグレインリファイナー(grain refiner)， レベラー（leveler），酸素除去剤(oxygen scavenger) ，及び安定化剤(stabilizer)。 （もっと読む）

【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも１種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が０．０００５〜１０ｇ／Ｌであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量Ｘ（ｍＬ／Ｌ）と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Ｙ（ｇ／Ｌ）との比（Ｘ／Ｙ）が８００００以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【課題】プリント基板などの銅電極の上に、選択的に直接無電解ニッケルめっき膜の形成が可能な無電解ニッケルめっき浴およびそれを用いた無電解めっき方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】酢酸ニッケルを主成分とする金属供給源としてのニッケル塩と、還元剤としてのヒドラジンと、錯化剤としてのＥＤＴＡおよび乳酸と、ｐＨ緩衝剤としてのホウ酸とからなる無電解めっき浴とし、絶縁樹脂１の表面に銅電極２が形成された被めっき物を無電解めっきすることにより、高純度ニッケルめっき膜４を形成する。 （もっと読む）