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Fターム[4K022DB03]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | B化合物 (267)

Fターム[4K022DB03]に分類される特許

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【課題】処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅表面の皮膜を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、錯化剤と、銅化合物とを含有し、表面処理剤全体に対するスズ化合物の濃度が10ppm以上、10,000ppm未満の範囲内であり、スズ化合物の濃度に対する銅化合物の濃度の比が0.2以上、2.0以下の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】導電体基板の表面に直接めっき法によって凸状金属構造体を形成できるめっき液およびめっきされた導電体基板を提供する。
【解決手段】導電体基板の表面に二次元的に成長した凸状金属構造体106を形成するためのめっき液であって、Cu,Niなどの金属イオンを含む金属塩,炭化水素からなる疎水基と該疎水基の末端に親水基を有する界面活性剤,前記金属塩と界面活性剤を溶解した水溶液とを含むめっき液、および、該めっき液を用いて凸状金属構造体106を形成した導電体基板。 (もっと読む)


【課題】連続生産プロセスに適した無電解めっき処理により、高い密着強度を有する無電解めっき膜を形成できる、めっき膜を有するプラスチック部材の製造方法を提供する。
【解決手段】高圧二酸化炭素を用いて、プラスチック部材1または成形前の溶融樹脂に対して金属錯体を与えて、上記金属錯体もしくはその変性物が分散したプラスチック部材1を得ることと、上記金属錯体もしくはその変性物が分散した上記プラスチック部材1を、アルコールを含有した無電解めっき液に常圧下で浸漬させることとを含むめっき膜2を有するプラスチック部材1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】有害な金属を含有しない無電解ニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき浴は、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する。このように、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する無電解ニッケルめっき浴を用いることで、有害な金属を使用することなくめっき浴の分解を抑制して、めっき浴の安定化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】大がかりな真空設備を用いることなく、しかも材料の無駄を発生させずに構造体を製造すること
【解決手段】本発明は、基板10上に第1の触媒31を形成する工程と、第1の触媒31上に第2の触媒32の凸パターンを印刷によって形成する工程と、第1の触媒31および第2の触媒32上に無電解めっき膜40を形成する工程とを有する構造体の製造方法である。また、第1の触媒31を基板10上の全面に形成したり、基板10の表面に密着層20を形成し、当該密着層20の上に第1の触媒31を形成する方法でもある。 (もっと読む)


【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、Ti系基材の少なくとも一部を、Niを主成分とするNiメッキ液中に浸漬して、そのTi系基材の表面にNiメッキ層を形成するメッキ工程と、このメッキ工程後のTi系基材を窒化処理を施す窒化工程とを備えてなり、前記Ti系基材の少なくとも一部の表面にTi、NiおよびNを必須構成元素とする耐食性または導電性に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっきが剥離し難く、かつめっきムラが少ない金属めっき繊維構造物を提供する。
【解決手段】本発明の金属めっき繊維構造物は、繊維表面に金属がめっきされてなる繊維構造物であって、前記繊維構造物が異形断面繊維を6質量%以上含む。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】無電解ルテニウムメッキ溶液が開示されている。その溶液は、ルテニウム源と、錯化剤としてのポリアミノポリカルボン酸と、還元剤と、安定化剤と、pH調整物質と、を含む。無電解ルテニウムメッキ溶液を準備する方法も提供されている。 (もっと読む)


本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む:
【化1】


(式中、
は、OH、OCH、OCHCH、および直鎖または分岐鎖のC1−C7アルキルからなる群から選ばれ、
は、Hおよび直鎖または分岐鎖のC1−C7アルキルからなる群から選ばれ、
mは、1〜5の整数、
nは、2〜30の整数、
oは、0〜10の整数、
は、金属イオン、疑似金属イオン、またはHを表す)。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

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【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


階層的多孔構造を有するモノリス型金属又は金属複合体を製造する方法であって、多孔質構造を有するテンプレート材料を選択する工程;該テンプレート材料を、構造化される1つの又はそれぞれの該金属の溶液と接触させる工程;1つ又はそれぞれの該金属を該テンプレートに堆積させる工程;該金属被覆テンプレートを、更なる金属の堆積の前に洗浄する工程;該金属被覆テンプレート材料を分離する工程;該テンプレート材料の少なくとも一部分を熱的に除去する工程を含む方法。
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【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法を提供する。
【解決手段】(a)基板上に、側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマーを塗布してプライマー層を形成するプライマー層形成工程と、(b)該プライマー層表面に、無電解メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基及び重合性基を有するポリマーを塗布してポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、(c)該ポリマー層に無電解メッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、(d)無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有する金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、3つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属(M1)塩にする金属塩生成工程と、上記金属(M1)イオンよりもイオン化傾向の低い金属(M2)イオンを含有する金属(M2)イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属(M1)塩を、金属(M2)塩とする金属固定工程と、上記金属(M2)イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板との密着性に優れた被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物等の提供。
【解決手段】ラジカル重合性基、10≦pKa≦16の炭素原子に直接結合した活性水素を有する官能基、及びイオン性吸着基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物等を提供する。 (もっと読む)


【課題】ポリイミド樹脂上に密着性良く無電解金属めっき膜を形成でき、また、前処理に高価なPdや環境負荷の高いSnを必要とせず、しかも、還元工程を独立して必要としないため極めて生産性に秀れる実用性に秀れたポリイミド樹脂の無電解めっき方法の提供。
【解決手段】ポリイミド樹脂の表面に金属めっき膜を形成するポリイミド樹脂の無電解めっき方法であって、前記ポリイミド樹脂をアルカリ性水溶液に浸漬し、続いて、このポリイミド樹脂を金属イオンを含む溶液に浸漬し、続いて、このポリイミド樹脂を乾燥させ、続いて、このポリイミド樹脂を無電解めっき浴に浸漬する。 (もっと読む)


【課題】無機シアン化物や、微生物による分解が困難なEDTAおよびその塩を用いなくても、長期にわたって安定して運転が可能な無電解銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤及びpH調整剤を含む無電解銅めっき液において、第一錯化剤として、モノアミン型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を含有し、第二錯化剤として、ジアミン型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を含有し、且つ、めっき液中の銅イオン濃度に対して前記第一錯化剤の濃度が1〜30倍モルであり、該銅イオン濃度に対して前記第二錯化剤の濃度が2倍モル未満である、無電解銅めっき液。 (もっと読む)


【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度8000ルクス〜20,000ルクス、または例えば10,000ルクス〜15,000ルクスの光を、典型的には、0.25秒〜15秒間、より典型的には2秒〜15秒間、最も典型的には5秒〜10秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の20%〜50%、または例えば30%〜40%低減させる。 (もっと読む)


【課題】硫黄系添加剤を含有する潤滑油に接触する環境下で使用されても、保持器の表面に形成した被膜の剥離や金属成分の溶出が生じにくく、すべり性、耐摩耗性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】複数の針状ころ3と、この針状ころ3を保持する保持器2とを備え、硫黄系添加剤を含有する潤滑油に接触する環境下で使用される針状ころ軸受1であって、上記保持器は、Ni-B-W被膜を上記潤滑油が接触する該保持器の表面部位に形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】触媒材料として有効な硫化ニッケルにおいて、触媒能を増強させるために3次元的な微細構造を備えた比表面積の大きい硫化ニッケル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多孔質の銅メッキを形成するなどして作製した比表面積が100mm2/mm3以上の大比表面積を有する銅基材に対し、チオ尿素とニッケル成分を含むめっき液を付与して置換反応を起こすことにより、大比表面積の基材上に均一な硫化ニッケル膜が形成された多孔質体を得る。 (もっと読む)


【課題】
より簡単な無電解メッキ用基材の前処理方法を提供すること。また、より簡単な操作で、しかもメッキ皮膜が基材表面に密着することができる新規な無電解メッキ法を提供すること。
【解決手段】
基材を陽イオン性界面活性剤水溶液中に浸漬し、次いで前記浸漬処理した基材を貴金属ゾル中に浸漬して得られた無電解メッキ用基材を、無電解メッキ液中に浸漬し、無電解メッキ方法にて基材表面にメッキ皮膜を形成させる。 (もっと読む)


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