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Fターム[4K022DB03]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | B化合物 (267)

Fターム[4K022DB03]に分類される特許

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【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式で示される化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
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【課題】めっき溶液の解析及び制御のための方法と装置
【解決手段】めっきシステムは、めっき溶液と、めっき溶液の制御のための装置とを含み、装置は、有機成分の測定のためのラマン分光計と、金属成分の測定のための可視光分光計と、pHプローブとを含む。めっき溶液は、連続的に又は間欠的にサンプリングすることができる。めっき溶液の注入は、めっきプロセス中に消費された又は失われた成分の調整を行う。注入の方法は、めっき溶液を所望の組成に維持することに基づいている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶性の低い金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるホウ素化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ブリッジとスキップの両方が発生していない接続端子の製造方法、およびその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材16と、該基材16上に形成された接続端子(導体15)と、を備える基板の表面に、硫黄有機物を含んだ溶液(無電解めっき用前処理液)に接触させる第1工程と、前記第1工程の後にドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは物理的研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより前記接続端子(導体15)上面の硫黄有機物を一部除去する第2工程とを有する、接続端子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供する。
【解決手段】可溶性銀錯体化合物Aを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Bを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性を付与するための被膜の作業性が良く、かつ耐摩耗性のバラツキが少ない耐摩耗補強方法及び摺動構造体を提供する。
【解決手段】摺動関係にある部品1,2からなり、一方の部品2の摺動面にはシール部材2bが設けられている航空機用アクチュエータAの耐摩耗補強方法において、シール部材2bと一定の反応性を有するRh(ロジウム)からなるRhめっき膜1fを他方の部品1の摺動面に設ける。 (もっと読む)


【課題】パターニングされた微細な導電性金属層を有する導電性材料を高効率で生産可能な導電性材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】透明支持体16上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部20を形成する。その後、金属イオンを含む溶液中で金属銀部20をカソードとして被めっき材料24を通電する。その後、通電後の被めっき材料24に対して無電解めっき処理を行って、金属銀部20のみにめっき層34を担持させる。金属イオンを含む溶液中の金属イオンは銅、ニッケル、コバルト、スズのいずれかであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】金ナノ粒子が表面に形成された金ナノ粒子−ハロイサイトナノチューブおよびそれを形成する方法を提供する。
【解決手段】金ナノ粒子をハロイサイトナノチューブの表面上に形成するために攪拌された懸濁液に金塩を加える。金塩によってハロイサイトナノチューブの表面には金イオンが形成される。金イオンが形成されたハロイサイトナノチューブに還元剤を加えると金イオンが金ナノ粒子に還元する。形成された金ナノ粒子は非常に小さい大きさを有し、ハロイサイトナノチューブの表面上に分布する。よって、別途の保護剤や表面改質を施すことなく容易に金ナノ粒子を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】金属薄膜とポリイミド樹脂との間で十分な密着強度を示す金属薄膜、ポリイミド配線板およびそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】第1のアルカリ性溶液によりポリイミド樹脂表面を処理してイミド環を開環し、改質層を形成する改質工程;金属イオン含有溶液により該改質層を処理する金属イオン吸着工程;酸溶液により該改質層を処理する第1の酸溶液処理工程;および還元溶液により該改質層を処理して、改質層に吸着した金属イオンを還元して、金属薄膜を析出させる還元工程;を含むポリイミド樹脂表面への金属薄膜の製造方法、および該方法によって製造された金属薄膜。該金属薄膜の製造方法を実施した後に、配線パターンを形成する配線形成工程を含むことを特徴とするポリイミド配線板の製造方法、および該方法によって製造されたポリイミド配線板。 (もっと読む)


金属を表面上に無電解めっきする、多孔質金属被膜を形成させるための新規な無電解めっき方法を提供する。該金属内の微粒子を除去して金属被膜内に細孔を残す。ブロッキング配位子を表面に結合させ、次いで第2の被覆工程を行う別の無電解被膜形成方法も提供する。本発明は、本発明の方法によって形成された被膜及び被覆装置を包含する。また、本発明は、緻密基材を有する触媒構造及び該緻密基材に付着した多孔質金属(具体的な特徴の一つ以上によりさらに特徴付けられる)を包含する。
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本発明は、本質的に触媒を含まない基体に金属を沈着させるための無電解法を提供し、上記方法は、(a)本質的に触媒を含まない基体を用意する工程、および(b)上記本質的に触媒を含まない基体を無電解溶液に暴露して上記基体上に金属を沈着させる工程、ここで上記溶液は金属イオンおよび上記金属イオンを金属に還元するための還元剤を含む、を含み、上記基体の少なくとも表面が、上記溶液の温度(T2)よりも高い温度(T1)を有しまたは上記温度(T1)に加熱される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、金属またはその合金の層が表面または内部に適用された成形製品の作製方法を提供する。
【解決手段】この方法では、成形型が使用され、この方法は、成形工程および金属化工程から構成され、成形工程および金属化工程は、両方とも、成形型内で行われ、該金属化工程は、無電解プロセスよりなり、本発明は、さらに、該方法により得られた成形製品を含むデバイスに関するものである。 (もっと読む)


【課題】 弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴の経時安定性を向上する。
【解決手段】 (A)可溶性第一スズ塩と、(B)無機酸及び有機酸の少なくともいずれかの酸と、(C)チオ尿素類と、(D)オキシカルボン酸よりなる浴安定用錯化剤と、(E)クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンよりなる群から選ばれた金属のイオンとを含有し、上記金属イオン(E)の含有量が0.01〜6.0モル/Lであり、且つ、pH2.5〜7である無電解スズメッキ浴である。鉄、マンガン、クロムなどの特定の金属イオンを所定濃度でオキシカルボン酸に共存させるため、無電解スズ浴は弱酸性ないし中性域を呈すると共に、経時安定性にも優れる。 (もっと読む)


【課題】磁性鋼構成要素を製造する方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっきを、磁性鋼を含む基体10表面に形成する。その後、熱サイクルを、無電解ニッケルめっきを焼結して基体10表面に緻密化されためっき16を形成するのに十分に高い温度で実行する。一つの実施態様では、熱サイクルは、基体10及び緻密化されためっき16を、少なくとも約1300°F(約704℃)の温度であって、しかし無電解ニッケルめっきの融解温度未満の温度に加熱する固相拡散焼結プロセスを含む。別の実施態様によれば、熱サイクルは、基体10及び緻密化されためっき16を少なくとも無電解ニッケルめっきの融解温度に加熱する過渡的液相焼結プロセスを含む。 (もっと読む)


【課題】金属めっき浴中に良好に炭素短繊維を分散させてこの炭素短繊維の表面に均一に無電解めっきを施すことができる金属被覆炭素短繊維の製造方法を提供すること。
【解決手段】10〜1000ppmの架橋型カルボキシビニルポリマーおよび/または10〜1000ppmのHLB値が10以下の非イオン性界面活性剤を含有する金属めっき浴中で炭素短繊維を無電解めっきして前記炭素短繊維の表面を金属で被覆することを特徴とする金属被覆炭素短繊維の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層1の被覆、活性化処理、保護多孔体層1の除去、基材表層への保護多孔体層2の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。
【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。 (もっと読む)


基板上に金属クラスター種の均一な被覆を提供する方法が記載され、この方法は、基板上に非晶質下塗り被覆を堆積する段階と、前記非晶質被覆に結合するための金属イオンの源を提供する段階と、そこに還元性条件を適用することによって前記下塗り被覆に金属クラスターを生成する段階と、を備える。 (もっと読む)


【課題】金属パターンの非形成領域の絶縁信頼性に優れた金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】(a1)基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基を有し、且つ、該基板と直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、(a2)該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、(a3)該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、(a4)形成されためっき膜をパターン状にエッチングする工程と、を有し、前記ポリマー層が下記1〜4の条件の全てを満たす金属パターン材料の作製方法。条件1:25℃−50%での飽和吸水率が0.01〜10質量%、条件2:25℃−95%での飽和吸水率が0.05〜20質量%、条件3:100℃煮沸水に1時間浸漬後の吸水率が0.1〜30質量%、条件4:25℃−50%で、蒸留水5μLを滴下し、15秒静置後の接触角が50〜150度 (もっと読む)


【課題】半導体素子の薄膜形成方法が開示される。
【解決手段】前記方法は、基板に液状金属イオンソースを吸着するステップと、前記基板に吸着されない液状金属イオンソースをリンス液で除去するステップと、前記吸着された液状金属イオンソースを液状還元剤で金属膜に吸着するステップと、前記基板に残存する液状還元剤と反応副産物を前記リンス液で除去して半導体素子の薄膜を形成するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】 無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき液を貯留する無電解めっき槽と、前記無電解めっき槽に接続し、その無電解めっき槽との間で前記無電解めっき液を循環する循環流路を有する外部循環手段と、を備え、前記外部循環手段が、その循環流路内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液に混入すると共に前記無電解めっき液を加圧して前記気体を前記循環流路内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段と、を更に有する無電解めっき装置。 (もっと読む)


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