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【課題】プリント配線板の端子部分、他の電子部品の端子部分、或いは、その他の金属微細パターン付き樹脂基材などのめっき処理対象面に、無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う際に、下地である樹脂表面の金属異常析出が抑えられ、めっき処理面の品質に優れる方法を提供する。さらに本発明は、めっき処理面の品質に優れためっき処理物、特に、インターポーザ、マザーボード、及び、それらを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線板の端子部分などの被処理部分に金属微細パターン付き基材の無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う方法であって、パラジウム触媒付与工程の後、無電解パラジウムめっき処理を行う前の任意の段階において、pH10〜14の溶液による処理およびプラズマ処理よりなる群から選ばれる少なくとも一つの表面処理を行う。 (もっと読む)


【課題】表面に均一に金属メッキを施したポリエチレン粒子及び該ポリエチレン粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が1μm〜100μmの樹脂粒子の表面に無電解メッキ層が形成されていることを特徴とする機能性微粒子であって、上記樹脂粒子がポリエチレン粒子に極性モノマーをグラフト重合したグラフト共重合体であることを特徴とする機能性粒子、および極性モノマーをグラフト重合する方法が、放射線グラフト重合である上記機能性微粒子。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のしきい値電圧特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】半導体基板2の表面にアルミニウム電極3を形成する。次いで、半導体基板2の表面にジンケート処理を行った後、水洗処理を行う。次いで、無電解めっき処理を行い、アルミニウム電極3の表面にニッケルめっき層5および金めっき層6をこの順で形成する。ジンケート処理後の水洗処理により、アルミニウム電極3の表面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を9.20×1014atoms/cm2以下にする。無電解ニッケルめっき浴中のナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を3400wtppm以下とする。このように作製された半導体装置1の、ニッケルめっき層5およびニッケルめっき層5とアルミニウム電極3との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は3.20×1014atoms/cm2以下である。 (もっと読む)


本発明は、プリント回路板、IC基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての1μm以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解(浸漬)めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 (もっと読む)


光起電太陽電池における金属接点にめっきを施すための方法及び組成物を記載する。めっき性金属イオン及び化学還元剤を含有する水性浴に前記電池を浸漬する。次いで、前記電池を光に曝露して、前記電池の2つの側面を逆の極性に帯電させる。外部電気接触、裏側のアノード腐蝕、及び裏側の犠牲物質の必要なしに、金属イオンをめっきできる。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−2〜+5の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、3−アミノプロピオン酸、3−アミノブタン酸、3−アミノ−4−メチル吉草酸、並びに2−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物0.001〜0.1モル/l、前記アミン化合物は0.05〜5モル/l、前記無機硫黄化合物0.01〜0.1モル/l、前記次亜リン酸化合物は0.05〜1.0モル/l、前記ギ酸またはギ酸化合物は0.001〜0.1モル/lであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 (もっと読む)


【課題】腐食性液体や腐食性気体を流すのに適した内面被覆パイプを得るためのパイプ内面の被覆方法を提供する。
【解決手段】ポリシラザンと有機溶媒とを含有する塗付液をパイプ内面にスプレーコーティングし、ポリシラザンの塗布膜を形成した後、非晶質シリカに転化することにより非晶質シリカを主成分とした塗膜を形成することを特徴とするパイプ内面の被覆方法。この被覆方法により、配管抵抗が小さく、酸やアルカリなどの腐食性液体やSO2、NO2、2Sなどの腐食性気体への耐久性が高いパイプを安価に得ることができる。 (もっと読む)


【解決手段】水溶性金塩と還元剤と錯化剤とを含有し、シアンイオンを含有しない無電解非シアン化金めっき浴であって、下記一般式(1)


で示されるバルビツール酸化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】無電解金めっき浴は、ニッケルに対する金めっき及びパラジウムに対する金めっきの双方に使用することができ、この無電解金めっき浴を用いれば、例えば、1つの製造ラインでNi/AuプロセスにもNi/Pd/Auプロセスにも対応することができ、生産性が高い。また、形成された金めっき皮膜の特性も良好である。更に、めっき浴の安定性も高い。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極6を形成する。エミッタ電極6として、第1のアルミニウム膜61および第1のニッケル膜62が形成される。次いで、半導体基板1の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極9を形成する。コレクタ電極9として、第2のアルミニウム膜91および第2のニッケル膜92が形成される。次いで、エミッタ電極6の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極6の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極6の表面を活性化する。次いで、半導体基板1のエミッタ電極6およびコレクタ電極9の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも以下の工程:(A)相応する金属の、少なくとも3個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも1種の金属酸化物の少なくとも1種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも1種の溶媒中で製造する工程、(B)工程(A)からの溶液を基材に施与する工程及び(C)前記少なくとも1種の前駆体化合物を、少なくとも1種の半導体金属酸化物に変えるために、工程(B)からの基材を、20〜200℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程(A)において電気的に中性の[(OH)x(NH3yZn]z(x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも1種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも1種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の[(OH)x(NH3yZn]z(式中、x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)を、酸化亜鉛及び/又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって:この基体上に、少なくとも1つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と;少なくとも1つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも1つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン(単数または複数)を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化/還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 (もっと読む)


【課題】各種の下地金属上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に、金めっきの析出性、カバーリング性などを向上させることが可能な新規な置換析出型無電解金めっき方法、及びこの方法に用いる処理剤を提供する。
【解決手段】亜硫酸塩、アミノカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類、ホスホン酸類及びポリエチレンンアミン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を有効成分とする水溶液からなる置換析出型無電解金めっきの前処理用活性化液、並びに
該活性化液に被処理物を接触させた後、水洗を行うことなく、該被処理物を置換析出型無電解金めっき液に接触させることを特徴とする置換析出型無電解金めっき方法。 (もっと読む)


【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】溶液塗布法による電子回路等の銅配線を形成するプロセスにおいて、大気中であっても、300℃程度の低温であっても、得られる銅薄膜の導電性を充分に維持することが可能な薄膜形成用組成物がない。
【解決手段】必須成分として、ギ酸銅又はその水和物、アルカノールアミン化合物及びこれらを溶解せしめる有機溶剤を含有し、アルカノールアミン化合物がギ酸銅又はその水和物1モルに対して0.5〜5モル含有される銅薄膜形成用組成物を提供する。アルカノールアミンは、好ましくはジエタノールアミンであり、有機溶剤は、好ましくは1−ブタノールである。 (もっと読む)


【課題】導電膜と基板との密着性に寄与する樹脂層の柔軟性、耐熱衝撃性に優れた導電膜の形成方法、該導電膜の形成方法を工程中に含むプリント配線板の製造方法及び導電膜材料を提供する。
【解決手段】(a)有機樹脂基材上に、ラジカル重合性基を有する化合物と、熱可塑性樹脂とを含有してなる樹脂層を形成する工程、(b)無電解めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂とラジカル重合性基を有する化合物とを含有する無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる樹脂層を形成する工程、(c)無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる層に、無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する工程、及び、(d)無電解めっきを行い、無電解めっき膜を形成する工程、を含む導電膜の形成方法である。 (もっと読む)


【解決手段】主金属イオン、次亜りん酸イオン、上記主金属イオンの錯化剤、及び亜りん酸イオンを含む無電解めっき液を陽イオン交換樹脂に通液し、金属イオンを分離した次亜りん酸イオン及び亜りん酸イオンを含む脱金属めっき液を通過させる処理と、上記陽イオン交換樹脂に吸着した金属イオンを溶離液にて溶離させ、主金属イオンを分離、回収する処理と、脱金属めっき液を電界透析処理して次亜りん酸イオン及び1価錯化剤イオンを含む1価アニオン溶液と、亜りん酸及び2価以上の錯化剤イオンを含む多価アニオン溶液とに分離する処理とを有する無電解めっき液の再生方法。
【効果】本発明によれば、金属イオン、次亜りん酸イオン及び1価の錯化剤イオンを効率よく回収し得ると共に、亜りん酸やめっき液中に存在する不純物金属イオンを効率よく分離することができる。 (もっと読む)


銅イオン源と、式Iの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが30ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化1】


[式中、
−R1基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−R2基は、それぞれ独立して、R1またはアルキルから選ばれ、−XとYは独立して、また各繰返単位のXが独立して、C1〜C6アルキレン及びZ−(O−Z)m(但し、Z基はそれぞれ独立してC2〜C6アルキレンから選ばれる。)から選ばれるスペーサー基であり、−nは0以上の整数であり、−mは1以上の整数である。] (もっと読む)


【課題】VGCF(商標)のような大きなサイズのCNTであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ni−Pめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ni−Pめっき液へのVGCF(商標)(市販の直径150nm前後、長さ10〜20μm程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ)の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてNi−Pめっきを施すめっき方法。 (もっと読む)


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