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Fターム[4K022DB04]の内容

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【課題】VGCF(商標)のような大きなサイズのCNTであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ni−Pめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ni−Pめっき液へのVGCF(商標)(市販の直径150nm前後、長さ10〜20μm程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ)の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてNi−Pめっきを施すめっき方法。 (もっと読む)


【課題】 基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に100μm以下の素地露出部の幅を有する高さ3μm以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、100μm以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。 (もっと読む)


【課題】 電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずCuめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いCuめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面がCuの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Cuめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にCuめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Cuめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含む。 (もっと読む)


【課題】建浴後、所定日数が経過してもめっき析出速度が著しく低下せず、長期に亘ってほぼ一定のめっき析出速度を維持する無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法を提供する。
【解決手段】パラジウムを0.1〜g/0.4L含有し、且つ、パラジウムと錯形成する錯化剤をパラジウムとのモル比(錯化剤/パラジウム)が25〜250となる濃度で含有する無電解パラジウムめっき浴に被めっき物を浸漬して被めっき物上に無電解パラジウムめっき皮膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】樹脂層との密着性に優れためっき膜の形成に有用な、表面が平滑であっても、その表面に形成されるめっき膜との高密着性を達成しうるめっき用感光性樹脂組成物、それを用いた、表面金属膜材料、及びその作製方法などを提供する。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体と配位結合性の相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマー、及び、合成ゴムとエポキシアクリレートモノマーとベンジルアルコール基を有する重合性モノマーとからなる群より選択される1種以上を含有するめっき用感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。
【解決手段】非シアンの亜硫酸金塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸、ベンゾトリアゾール化合物、硫黄を含有するアミノ酸化合物、ヒドロキノンを所定の濃度で含有しためっき液を使用する。 (もっと読む)


【課題】処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅表面の皮膜を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、錯化剤と、銅化合物とを含有し、表面処理剤全体に対するスズ化合物の濃度が10ppm以上、10,000ppm未満の範囲内であり、スズ化合物の濃度に対する銅化合物の濃度の比が0.2以上、2.0以下の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】 3価のチタン塩を含む無電解スズメッキ浴において、簡便な操作で無電解スズ浴のメッキ機能を長期に安定化させる。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩とレドックス系還元剤としての3価チタン塩と錯化剤とを含有した無電解スズメッキ浴を用いて、3価のチタンイオンから4価への酸化によりスズイオンを金属スズに還元して析出させる際に、スズメッキ浴に陰極と陽極を臨ませ、無電解メッキ処理と並行して、或は無電解メッキ処理後に、メッキ液を電解還元処理してチタンイオンを4価から3価に還元・再生する無電解スズメッキ方法である。微量の電圧で電解還元して、チタンイオンを4価から3価に還元するため、浴でのスズの析出作用を長期に保持できる。 (もっと読む)


【課題】連続生産プロセスに適した無電解めっき処理により、高い密着強度を有する無電解めっき膜を形成できる、めっき膜を有するプラスチック部材の製造方法を提供する。
【解決手段】高圧二酸化炭素を用いて、プラスチック部材1または成形前の溶融樹脂に対して金属錯体を与えて、上記金属錯体もしくはその変性物が分散したプラスチック部材1を得ることと、上記金属錯体もしくはその変性物が分散した上記プラスチック部材1を、アルコールを含有した無電解めっき液に常圧下で浸漬させることとを含むめっき膜2を有するプラスチック部材1の製造方法。 (もっと読む)


無電解パラジウムめっき液は、極性溶媒、少なくとも1つのパラジウム塩、少なくとも1つの非窒素化錯化剤、めっき液を少なくとも8.0のpHに調整するアルカリ性調整剤、及び還元剤を含む。めっき液は、基板の表面にパラジウムの層を形成するのに使用され、基板上にほぼ純粋なパラジウム皮膜をもたらす。還元されたパラジウムのめっき液中での析出は実質的に防止される。
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【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式(1)で示される単位構造を分子内に2つ以上有することを特徴とする化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
【化1】
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【課題】
【解決手段】無電解ルテニウムメッキ溶液が開示されている。その溶液は、ルテニウム源と、錯化剤としてのポリアミノポリカルボン酸と、還元剤と、安定化剤と、pH調整物質と、を含む。無電解ルテニウムメッキ溶液を準備する方法も提供されている。 (もっと読む)


本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む:
【化1】


(式中、
は、OH、OCH、OCHCH、および直鎖または分岐鎖のC1−C7アルキルからなる群から選ばれ、
は、Hおよび直鎖または分岐鎖のC1−C7アルキルからなる群から選ばれ、
mは、1〜5の整数、
nは、2〜30の整数、
oは、0〜10の整数、
は、金属イオン、疑似金属イオン、またはHを表す)。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

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【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法を提供する。
【解決手段】(a)基板上に、側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマーを塗布してプライマー層を形成するプライマー層形成工程と、(b)該プライマー層表面に、無電解メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基及び重合性基を有するポリマーを塗布してポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、(c)該ポリマー層に無電解メッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、(d)無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有する金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】基板との密着性に優れた被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物等の提供。
【解決手段】ラジカル重合性基、10≦pKa≦16の炭素原子に直接結合した活性水素を有する官能基、及びイオン性吸着基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物等を提供する。 (もっと読む)


金属表面のはんだ付け性を向上させる方法であって、はんだ付けする前に金属表面に銀めっきを施し、メルカプト置換又はチオ置換シラン化合物を含む添加剤で浸漬銀めっきを処理する方法を開示する。好ましい後処理は、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン及び/又は3−オクタノイルチオ−1−プロピルトリエトキシシランを含む。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、3つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属(M1)塩にする金属塩生成工程と、上記金属(M1)イオンよりもイオン化傾向の低い金属(M2)イオンを含有する金属(M2)イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属(M1)塩を、金属(M2)塩とする金属固定工程と、上記金属(M2)イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】触媒材料として有効な硫化ニッケルにおいて、触媒能を増強させるために3次元的な微細構造を備えた比表面積の大きい硫化ニッケル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多孔質の銅メッキを形成するなどして作製した比表面積が100mm2/mm3以上の大比表面積を有する銅基材に対し、チオ尿素とニッケル成分を含むめっき液を付与して置換反応を起こすことにより、大比表面積の基材上に均一な硫化ニッケル膜が形成された多孔質体を得る。 (もっと読む)


【課題】電界紡糸法により一次元的に伸びた繊維を用いて長尺の一本の金属ナノチューブが調整できる金属ナノチューブ製造方法およびこの方法で製造した長尺の金属ナノチューブを提供する。
【解決手段】電界紡糸によりナノファイバーを調製し、このファイバーの表面を無電解めっきにより金属層で被覆した後、ファイバーを加熱除去する金属ナノチューブの製造方法。
ナノファイバーには、ポリメタクリル酸メチルを使用し、ナノファイバーに被覆する金属層には、Niを使用する。 (もっと読む)


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