【課題】本発明は、被めっき物に対し、ナノメートルレベルの平滑さを有するめっき被膜を実現することを可能にする無電解めっき用膜状触媒組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】被めっき表面に金属ガラスからなる平滑な薄膜状の触媒層を形成する。この膜状の金属ガラスからなる触媒層は、無電解めっき反応において、従来の純金属の単結晶粒子と同等以上の触媒活性を示す。また、この触媒層は、従来の純金属の単結晶粒子と異なり、均一性が高く粒界が存在しないため、ナノメートルレベルの平滑さを備えるめっきを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】シアンを含まない金源を用いる無電解金めっき液であって、めっき液の安定性が良好で、かつ金析出が大きく抑制されず、しかも膜物性を損なわないめっき液を提供する。
【解決手段】本発明の無電解金めっき液は、シアンを含まない金源と分解抑制剤とを含有し、分解抑制剤として下記一般式Ｉ：
【化１】


一般式Ｉ中、Ｘは硫酸塩基を示し、ｎは２〜７，０００の整数を示す、で表される構造を含有する重合体を含む。 （もっと読む）

【課題】 最表面が金めっき層である導体層が搭載部に形成されていたとしても、接着剤を介して電子部品を搭載部に強固に固定することが可能で、信頼性に優れた電子装置の作製が容易な電子部品搭載用基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基体１上の電子部品の搭載部１ａに、最表面が金めっき層２ａである導体層２が形成され、金めっき層２ａ上に電子部品５が搭載され接着剤６を介して固定される電子部品搭載用基板９であって、金めっき層２ａの下地めっき層２ｂが、一部が金めっき層２ａの表面に露出したセラミック粉末４を含有している。表面に露出したセラミック粉末４により接着剤６を金めっき層２ａの表面に強固に接着させることができるため、接着剤６を介して電子部品５を搭載部１ａに強固に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱のみで膜形成した場合に比べ、電気抵抗を大幅に低減した金属膜を得る。
【解決手段】金属コロイド粒子が金属粒子と粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成され、保護剤が分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた１種又は２種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有し、保護剤がハイドロキシアルキル基を分子構造に含み、金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させた金属コロイドを基材表面に塗布する工程と、基材を自然乾燥させて金属コロイド中の分散媒を除去する工程と、基材を室温〜２００℃の温度に保持しながら、照射強度が、０．００５〜０．１Ｗ／ｃｍ³のマイクロ波を照射し、基材表面に金属膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅等の不純物が含まれた無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定してパラジウムめっき皮膜を析出させることが可能な無電解パラジウムめっき用の前処理用組成物を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物及びヒドラジン類を含有する水溶液からなる、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行うためのニッケル表面の活性化組成物、並びに。
プリント配線板の導体部分に無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、上記活性化組成物を用いてニッケルめっき皮膜の活性化処理を行い、その後、無電解パラジウムめっきを行う工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】基材上の銅又は銅合金上に、銀、ビスマス、パラジウム、インジウム、亜鉛及びアンチモンから選ばれる１種以上の添加金属を含む錫合金めっき皮膜を形成する際、温度１０〜５０℃の低温置換錫合金めっき浴中で、上記銅又は銅合金上に下地層を形成し、次いで、温度４０〜８０℃の高温置換錫合金めっき浴中で、上記下地層上に上層を形成することにより、上記下地層と上層とからなる置換錫合金めっき皮膜を形成する。
【効果】ウィスカの生成が抑制される錫合金めっき皮膜を、鉛フリーはんだに対して良好なはんだ濡れ性、はんだ接合性を与える均一性に優れた皮膜として形成することができる。 （もっと読む）

【課題】安価な装置において、基板のパターン内部において異方性高くエッチング処理や成膜処理を行うこと。
【解決手段】パターンが形成された基板が吸着保持された処理容器内に、微少な気泡であり、負電荷を持つナノバブルを窒素ガスやＣＦ系のガスなどからなる処理ガスにより形成し、このナノバブルを純水やフッ化水素水溶液などの処理液中に分散させて、更にこの処理液に電界を加えて、ナノバブルと共に処理液をパターン内に引き込むことで、安価な装置で異方性を持つ処理を行うことができる。 （もっと読む）

【解決手段】シアン化金塩、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物を含有する無電解金めっき浴を７０〜９０℃に保持した状態で上記無電解金めっき浴のめっき能を安定に維持管理する方法であって、シアン化アルカリ、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物を第１の補給成分として定期的に補給し、更に、めっき処理により金が消費されためっき浴に対し、シアン化金塩、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物のみを第２の補給成分として補給する無電解金めっき浴のめっき能維持管理方法。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成する無電解金めっき浴のめっき能を長期間、安定的に維持管理することができ、また、めっき処理によりシアン化金塩が消費された無電解金めっき浴を長期間、安定的に維持管理することができる。 （もっと読む）

【課題】低張力でフィルムを搬送させても、特別な外部動力を用いずに、フィルムが液中ロールの外周面上でスリップしてフィルム表面に擦り傷が発生すること防止しながらフィルム表面に連続的にめっきを実施することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのめっき槽と、少なくとも１つの水洗槽とを有し、該めっき槽内及び該水洗槽内にはそれぞれフィルムの搬送方向を変える液中ロールを設け、フィルムの表面に連続的にめっき処理するめっき装置であって、少なくともめっき槽の一つに設けられた液中ロールの表面に、該ロール内部に供給されためっき浴液循環液を排出して該ロールの表面とフィルムの間に液膜を形成しフィルムを浮上させる、複数の透孔が設けられためっき装置。 （もっと読む）

【課題】コバルト合金の無電解堆積を行なう。
【解決手段】 銅表面の上にコバルト合金層を無電解堆積させるためのシステム及び方法は、低ｐＨによって特徴付けられる溶液を含む。この溶液は、例えば、コバルト（II）塩と、少なくとも２つのアミン基を含む錯化剤と、ｐＨを７．０未満に調整するように構成されるｐＨ調整剤と、還元剤とを含んでよい。幾つかの実施形態では、コバルト合金は、集積回路において、銅表面と誘電体との間の接合特性及び銅拡散特性を助長するように構成される。 （もっと読む）

【課題】低張力でフィルムを搬送させても、特別な外部動力を用いずに、フィルムが液中ローラーの外周面上でスリップしてフィルム表面に擦り傷が発生すること防止しながらフィルム表面に連続的にめっきを実施することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのめっき槽と、少なくとも１つの水洗槽とを有し、該めっき槽内及び該水洗槽内にはそれぞれフィルムの搬送方向を変える液中ローラーを設け、フィルムの表面に連続的にめっき処理するめっき装置であって、少なくともめっき槽の一つに設けられた液中ローラーの側面又は軸に固着され、めっき浴液の循環液の吹き付けにより回転し、該液中ローラーの回転を補助する回転補助駆動手段を設け、該液中ローラーの回転速度とフィルムの搬送速度を同調させるよう構成しためっき装置。 （もっと読む）

【課題】金属層を含む微細な構造体を簡便に製造できる製造方法および該製造方法により製造される構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも、基材１上に設けられた鋳型１１の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜２１を形成する工程と、前記被覆膜２１の一部または全部を残したまま、前記鋳型１１の一部または全部を除去する工程とを行うことにより、前記基材１上に構造体を形成する。または、少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部を除去する工程とを行うことにより、前記基材上に構造体を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、アルデヒド化合物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】めっき処理を施す下地金属が侵食されず、安定した析出速度で無電解金めっき処理することができ、析出速度が速く、置換・還元タイプであるので、１液でめっき皮膜の厚膜化が可能であり、皮膜の色が劣化することなく金特有のレモンイエロー色が保たれ、外観も良好である。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトクロミックな金属酸化物前駆体溶液を用いた新規な金属酸化物薄膜の製造方法とその表面微構造を紫外線照射により制御する方法を提供する。
【解決手段】フォトクロミズムを示す金属酸化物前駆体溶液を原料として用い、薄膜作製プロセスに紫外線照射の過程を加えることで、焼成後の金属酸化物薄膜の表面微構造を簡便に制御する方法、該方法による表面微構造を制御した金属酸化物薄膜の製造方法、及びその表面微構造を制御した金属酸化物薄膜。
【効果】光化学反応を積極的に取り入れて調製したフォトクロミックな金属酸化物前駆体溶液を用いて、薄膜作製プロセス中において紫外線照射の効果を利用した、新規な金属酸化物薄膜の表面微構造制御技術を提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、０．０１〜２０ｇ／Ｌの銀イオンまたは銀錯体イオン、０．１〜１５０ｇ／Ｌのアミン錯化剤、０．１〜１５０ｇ／Ｌのアミノ酸錯化剤、および０．１〜１５０ｇ／Ｌのポリヒドロキシ酸錯化剤を含む弱アルカリ性の化学銀めっき溶液に関する。本発明において提供する弱アルカリ性の化学銀めっき溶液は、国内および国外の両方で現在一般的に用いられている酸性の化学銀めっきプロセスに存在する欠点を克服することが出来る。これらの欠点としては、銅ワイヤの消耗および腐食、側面の腐食、ブラインドホール内に銀めっきをすることの困難性、はんだボールの孔隙および溶接の低い強度が挙げられる。前記銀めっき溶液によってめっきされた銀層は、高い腐食耐性、低い接触抵抗、エレクトロマイグレーションが無いこと、高い溶接強度などの特性を有し、めっき片が溶接された場合に、はんだ中に気泡が発生しない。
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【課題】金属光沢があり、装飾性に富むとともに、人体への影響を考慮して安全性が高く、かつ検針機が作動することのないボタンを提供する。
【解決手段】ボタンの基材の表面に、少なくとも無電解めっきの前処理をする工程と、銀鏡用めっき液を吹き付けて銀鏡皮膜を形成する工程と、銀鏡皮膜上にトップコート層を設ける工程を経て得ることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき浴の強アルカリ性への耐性が付与された、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有する導電性膜の形成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記導電性膜の形成方法を用いて形成された導電性膜を提供することにある。
【解決手段】ガラス基材上に、前記ガラス基材と直接化学結合可能な部位を有するラジカル重合開始剤を前記ガラス基材に結合させる工程と、分子内にラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着しうる部位とを有するポリマーを接触し、３２０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光により露光を行う工程と、無電解めっき触媒となる金属イオンを吸着させ、該触媒金属イオンを還元して薄膜を形成した後、無電解めっき処理を行う工程と、を有することを特徴とする導電性膜の形成方法、それを用いた形成された導電性膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔度が段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を、簡便な方法により得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属元素の異なる２種類以上の金属源を用い、上記２種類以上の金属源の金属源モル分率が異なる金属酸化物膜形成用溶液を、上記金属源モル分率を変化させつつ、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に、多孔度が変化した金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、塩素アルカリ電気分解における水素発生に特に適した電解プロセス用の陰極に関し、パラジウムを含有する保護ゾーンと、白金もしくはルテニウムを含有する物理的に異なる触媒活性化ゾーン〔必要に応じて酸化力の高い金属酸化物（好ましくは、酸化クロムまたは酸化プラセオジム）と混合する〕とを含む被膜が施されているニッケル基材からなる。 （もっと読む）