【課題】常温常圧で動作し、大きな酸素運搬能力を容易に出しえ、電解質の漏出など事故の問題が無い、酸素ポンプの提供。
【解決手段】金属コバルトを表面に有する多孔質のガス交換性の負極３と多孔質のガス交換性の正極２との間に、電解液を含浸させた多孔質セパレータ１とを有し、集電構造を介して外部直流電源より両電極２，３に給電して、互いに隔離された気相の負極側から正極側に酸素の移動を行うものであり、常温常圧で動作する水系溶剤を用い、極めて少ない量の電解質が含浸保持されるので、電解質の漏出などの恐れが無い。また、構造的に薄くやわらかく、大面積にして酸素運搬能力を大きくすることが可能である。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】 生産性よく、パターンが施された金属箔を製造する方法により得られた金属箔を提供する。
【解決手段】 （イ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広で導電性基材が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、（ロ）上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程を含むパターンが施された金属箔の製造方法。絶縁層は幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されており、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを１〜１５ｐｐｍ含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドのような、分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 （もっと読む）

【課題】処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅表面の皮膜を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、錯化剤と、銅化合物とを含有し、表面処理剤全体に対するスズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ未満の範囲内であり、スズ化合物の濃度に対する銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】連続生産プロセスに適した無電解めっき処理により、高い密着強度を有する無電解めっき膜を形成できる、めっき膜を有するプラスチック部材の製造方法を提供する。
【解決手段】高圧二酸化炭素を用いて、プラスチック部材１または成形前の溶融樹脂に対して金属錯体を与えて、上記金属錯体もしくはその変性物が分散したプラスチック部材１を得ることと、上記金属錯体もしくはその変性物が分散した上記プラスチック部材１を、アルコールを含有した無電解めっき液に常圧下で浸漬させることとを含むめっき膜２を有するプラスチック部材１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっきが剥離し難く、かつめっきムラが少ない金属めっき繊維構造物を提供する。
【解決手段】本発明の金属めっき繊維構造物は、繊維表面に金属がめっきされてなる繊維構造物であって、前記繊維構造物が異形断面繊維を６質量％以上含む。 （もっと読む）

【課題】フェライト皮膜形成作業が終了するまでに要する時間を短縮できるプラント構成部材の表面へのフェライト皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラント構成部材であるＢＷＲプラントの再循環系配管に皮膜形成装置を接続する（ステップＳ１）。皮膜形成装置から、ｐＨ調整剤、鉄（II）イオンを含む薬剤及び酸化剤を含む皮膜形成水溶液を再循環系配管に供給する（ステップＳ４〜Ｓ６）。再循環系配管の皮膜形成水溶液と接触する内面にフェライト皮膜が形成される。皮膜形成装置の皮膜形成水溶液を供給する皮膜形成液配管内に配置された水晶振動子電極装置によって、フェライト皮膜の形成量を計測する（ステップＳ７）。計測されたフェライト皮膜量に基づいて得られたフェライト皮膜の厚みが設定厚みになったかを判定する（ステップＳ８）。皮膜の厚みが設定厚みになったとき、フェライト皮膜形成作業を終了する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、疎水性が高く、成型加工性に優れ、めっき層と良好な密着性を示すめっき可能な樹脂複合体、この樹脂複合体からなる層を備える積層体、およびこの積層体を製造する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体または金属と相互作用できる官能基を有する疎水性化合物Ａと、前記疎水性化合物Ａとは相溶しない疎水性樹脂Ｂとを含み、前記疎水性化合物Ａが分散相、前記疎水性樹脂Ｂが連続相となる相分離構造を形成し、表面上の少なくとも一部に疎水性化合物Ａが露出している、めっき可能な樹脂複合体。 （もっと読む）

本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む：
【化１】


（式中、
Ｒ^１は、ＯＨ、ＯＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＨ_３、および直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
Ｒ^２は、Ｈおよび直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
ｍは、１〜５の整数、
ｎは、２〜３０の整数、
ｏは、０〜１０の整数、
Ｍ^＋は、金属イオン、疑似金属イオン、またはＨ^＋を表す）。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

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【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上に、側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマーを塗布してプライマー層を形成するプライマー層形成工程と、（ｂ）該プライマー層表面に、無電解メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基及び重合性基を有するポリマーを塗布してポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、（ｃ）該ポリマー層に無電解メッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｄ）無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有する金属膜形成方法。 （もっと読む）

階層的多孔構造を有するモノリス型金属又は金属複合体を製造する方法であって、多孔質構造を有するテンプレート材料を選択する工程；該テンプレート材料を、構造化される１つの又はそれぞれの該金属の溶液と接触させる工程；１つ又はそれぞれの該金属を該テンプレートに堆積させる工程；該金属被覆テンプレートを、更なる金属の堆積の前に洗浄する工程；該金属被覆テンプレート材料を分離する工程；該テンプレート材料の少なくとも一部分を熱的に除去する工程を含む方法。
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【課題】基板との密着性に優れた被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物等の提供。
【解決手段】ラジカル重合性基、１０≦ｐＫａ≦１６の炭素原子に直接結合した活性水素を有する官能基、及びイオン性吸着基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物等を提供する。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（Ｍ１）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（Ｍ１）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する金属（Ｍ２）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（Ｍ１）塩を、金属（Ｍ２）塩とする金属固定工程と、上記金属（Ｍ２）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】
より簡単な無電解メッキ用基材の前処理方法を提供すること。また、より簡単な操作で、しかもメッキ皮膜が基材表面に密着することができる新規な無電解メッキ法を提供すること。
【解決手段】
基材を陽イオン性界面活性剤水溶液中に浸漬し、次いで前記浸漬処理した基材を貴金属ゾル中に浸漬して得られた無電解メッキ用基材を、無電解メッキ液中に浸漬し、無電解メッキ方法にて基材表面にメッキ皮膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】常温常圧の開放系（大気中）であっても長期間駆動することができる耐久性に優れ、弾性率及び屈曲量または変位量が非常に大きい高分子アクチュエータ素子を提供する。さらには、前記高分子アクチュエータ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】金属電極と、高分子電解質を含む電解質とを含む高分子アクチュエータ素子であって、前記金属電極が対を形成することができるように形成され、前記金属電極が前記電解質と接し、かつ、前記金属電極が前記高分子電解質の表面及び／又は内部に形成されたものであり、前記電解質中に、金コロイド、及び、常温常圧下で液状の分子中に少なくとも１つ以上のヒドロキシル基を有する分子量が４００以下の低分子量有機化合物を含有し、前記金コロイドの平均粒子径が、１０〜１００ｎｍで表面プラズモン吸収を示し、前記電解質が、前記低分子量有機化合物により膨潤した状態であることを特徴とする高分子アクチュエータ素子。 （もっと読む）

本発明の第１主題は、１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を基材上にスプレーすることにより、非電解的に基材の表面を金属被覆する方法である。本発明の方法は、工業化可能であり、自動化可能であり、クリーンであり、多層基材に適用可能であり、固着性や装飾的外観に関しても最適である。この目的を達成するため、本発明は、次のステップを含む。ａ）金属被覆の前に基材の表面張力を減少させるための物理的処理あるいは化学的処理、ｂ）１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を１つまたそれ以上のエアロゾルの形でスプレーすることにより、ステップａ）において処理された基材表面の非電解的金属被覆処理、ｃ）金属被覆された基材表面上の保護膜の形成処理。本発明の他の主題は、本発明の方法を実現する小型機器、及び得られる製品であり、特に、化粧用の中空ガラスのフラスコ、家庭電化製品や飛行機のための部品、導電性トラックや無線周波数用アンテナ、電磁気スクリーニングのためのコーティングなどの電子部品である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機溶剤を吸着させる無機系吸着材からなる吸着体であって、マイクロ波又は高周波で直接加熱し、無機系吸着材の再生を行うことができる吸着体、及び通電加熱で加熱再生可能な吸着体を提供する。
【解決手段】本発明は、有機溶剤を吸着し、マイクロ波又は高周波照射により加熱再生される吸着体であって、無機系吸着材の表面に、空孔を持つ金属被膜層を形成したことを特徴とする金属被膜吸着体の構成、有機溶剤を吸着し、通電により加熱再生される吸着体であって、担体の表面に、金属被膜層を形成し、次に、無機系吸着材をバインダーと共に担持させたことを特徴とする金属被膜吸着体の構成とした。 （もっと読む）