【課題】 導体層パターンを容易に生産性よく作製するためのめっき方法、また、耐久性のよいめっき用導電性基材を使用するめっき方法、さらに、めっき速度が速く従って生産効率のよいめっき方法を提供する。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材にめっきにより金属を析出させることを特徴とするめっき方法。めっき用導電性基材にめっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている上記絶縁層はダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】孔径大きさが４ｎｍを越えてもっと大きく、しかも均一な孔大きさを有する大細孔径メソポーラス金属を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、次の工程を含む。
（１）大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な周期性を有するリオトロピック液晶を形成できる界面活性剤と、水溶性金属塩と、揮発性有機溶媒と、水とを、混合する（前駆体溶液の調製）；
（２）前記前駆体溶液から揮発性有機溶媒を優先的に揮散させて、大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な大きさのリオトロピック液晶を形成させる；
（３）液晶中に溶存する金属イオンを還元することで、前記リオトロピック液晶の周囲に金属を析出させる；
（４）更に水性溶媒で処理してリオトロピック液晶を洗い去り、空隙を形成させる。 （もっと読む）

【課題】水素分離用薄膜として供する緻密なパラジウムと銀合金膜を作製するに当たり、非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させて成膜し、６００℃以下の加熱で迅速に合金化させた水素分離用薄膜を提供する。
【解決手段】パラジウムと銀とを含むメッキ浴に、種核を付着させた多孔質基材を浸し、メッキを施す過程において、一定の流速で連続的に銀含有水溶液を添加することで、両元素の析出速度を制御して、一定の組成比のパラジウムと銀を深さ方向に均一に成膜する方法、及び該方法で作製した水素分離用薄膜。
【効果】非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させた水素分離膜として供するためのパラジウムと銀の合金膜を作製する方法及びその水素分離用薄膜を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する２層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜（上層皮膜）を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が０.０２５〜０.５μｍで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が０.１〜６μｍであり、下地皮膜中の銀の組成比率が５〜９０重量％であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成されたアルミニウム又は銅からなる導体パターンを被覆するパターンめっきとその形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又はウエハー１上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン３上に形成されたパターンめっき９であって、導体パターン３上に順次形成された無電解ニッケルめっき皮膜５、無電解金-パラジウム合金めっき皮膜７からなるパターンめっき。ニッケルめっき皮膜の膜厚は1〜20μｍ、金-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚は0.01μm以上とすることが好ましい。金-パラジウム合金めっきには、可溶性金塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解金-パラジウム合金めっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】ブリッジとスキップの両方が発生していない接続端子の製造方法、およびその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１６と、該基材１６上に形成された接続端子（導体１５）と、を備える基板の表面に、硫黄有機物を含んだ溶液（無電解めっき用前処理液）に接触させる第１工程と、前記第１工程の後にドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは物理的研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより前記接続端子（導体１５）上面の硫黄有機物を一部除去する第２工程とを有する、接続端子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供する。
【解決手段】可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた微細な導電性金属層を有する導電性材料を高効率で生産可能な導電性材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】透明支持体１６上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部２０を形成する。その後、金属イオンを含む溶液中で金属銀部２０をカソードとして被めっき材料２４を通電する。その後、通電後の被めっき材料２４に対して無電解めっき処理を行って、金属銀部２０のみにめっき層３４を担持させる。金属イオンを含む溶液中の金属イオンは銅、ニッケル、コバルト、スズのいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】金ナノ粒子が表面に形成された金ナノ粒子−ハロイサイトナノチューブおよびそれを形成する方法を提供する。
【解決手段】金ナノ粒子をハロイサイトナノチューブの表面上に形成するために攪拌された懸濁液に金塩を加える。金塩によってハロイサイトナノチューブの表面には金イオンが形成される。金イオンが形成されたハロイサイトナノチューブに還元剤を加えると金イオンが金ナノ粒子に還元する。形成された金ナノ粒子は非常に小さい大きさを有し、ハロイサイトナノチューブの表面上に分布する。よって、別途の保護剤や表面改質を施すことなく容易に金ナノ粒子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性、及び光堅牢性に優れた金属粒子含有膜を備え、優れた表面硬度を有し、種々の波長に対する遮光性に優れる遮光材料を簡便な工程により作製しうる遮光部材の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）露光によりラジカルを発生しうる基材上に、ラジカル重合可能な不飽和部位と金属イオン又は金属塩を吸着する部位とを有する化合物を接触させた後、露光を行うことにより、前記基材上に直接結合したポリマーを生成させてポリマー層を形成する工程と、（ｂ）該ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ｃ）該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元して金属粒子を析出させる工程と、（ｄ）該金属粒子が析出した後、前記ポリマー層を構成するポリマー中の１価の金属塩構造に対して、多価金属架橋処理、化学修飾、及び酸処理からなる群より選択される１つを施す工程と、を有することを特徴とする遮光材料の作製方法。 （もっと読む）

金属を表面上に無電解めっきする、多孔質金属被膜を形成させるための新規な無電解めっき方法を提供する。該金属内の微粒子を除去して金属被膜内に細孔を残す。ブロッキング配位子を表面に結合させ、次いで第２の被覆工程を行う別の無電解被膜形成方法も提供する。本発明は、本発明の方法によって形成された被膜及び被覆装置を包含する。また、本発明は、緻密基材を有する触媒構造及び該緻密基材に付着した多孔質金属（具体的な特徴の一つ以上によりさらに特徴付けられる）を包含する。
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本発明は、本質的に触媒を含まない基体に金属を沈着させるための無電解法を提供し、上記方法は、（ａ）本質的に触媒を含まない基体を用意する工程、および（ｂ）上記本質的に触媒を含まない基体を無電解溶液に暴露して上記基体上に金属を沈着させる工程、ここで上記溶液は金属イオンおよび上記金属イオンを金属に還元するための還元剤を含む、を含み、上記基体の少なくとも表面が、上記溶液の温度（Ｔ２）よりも高い温度（Ｔ１）を有しまたは上記温度（Ｔ１）に加熱される。 （もっと読む）

【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層１の被覆、活性化処理、保護多孔体層１の除去、基材表層への保護多孔体層２の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。
【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜を形成しうる金属膜形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ１）基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する吸着性基を２以上含む部分構造を有し、該基板と直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 （もっと読む）

基板上に金属クラスター種の均一な被覆を提供する方法が記載され、この方法は、基板上に非晶質下塗り被覆を堆積する段階と、前記非晶質被覆に結合するための金属イオンの源を提供する段階と、そこに還元性条件を適用することによって前記下塗り被覆に金属クラスターを生成する段階と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属パターンの非形成領域の絶縁信頼性に優れた金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ１）基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基を有し、且つ、該基板と直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、（ａ４）形成されためっき膜をパターン状にエッチングする工程と、を有し、前記ポリマー層が下記１〜４の条件の全てを満たす金属パターン材料の作製方法。条件１：２５℃−５０％での飽和吸水率が０．０１〜１０質量％、条件２：２５℃−９５％での飽和吸水率が０．０５〜２０質量％、条件３：１００℃煮沸水に１時間浸漬後の吸水率が０．１〜３０質量％、条件４：２５℃−５０％で、蒸留水５μＬを滴下し、１５秒静置後の接触角が５０〜１５０度 （もっと読む）

【課題】半導体素子の薄膜形成方法が開示される。
【解決手段】前記方法は、基板に液状金属イオンソースを吸着するステップと、前記基板に吸着されない液状金属イオンソースをリンス液で除去するステップと、前記吸着された液状金属イオンソースを液状還元剤で金属膜に吸着するステップと、前記基板に残存する液状還元剤と反応副産物を前記リンス液で除去して半導体素子の薄膜を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス。
【解決手段】本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。また、本開示は、固体電解質デバイスを作製するプロセスにも関する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき工程を必要とせずに、絶縁基材との密着強度に優れ、かつ欠陥が少ない導体層を絶縁基材上に形成する。
【解決手段】導体層の形成方法は、ポリイミド前駆体樹脂を含有する塗布液を絶縁基材表面に塗布し、乾燥して塗布膜を形成する塗布膜形成工程（Ｓ１）と、前記塗布膜を金属化合物を含有する溶液に浸漬して、該溶液中の金属イオンを前記塗布膜の表層に含浸させる浸漬工程（Ｓ２）と、前記浸漬工程によって前記塗布膜の表層に含浸させられた金属イオンを還元処理して金属被膜を形成する金属被膜形成工程（Ｓ３）と、熱処理を行って前記塗布膜中の前記ポリイミド前駆体樹脂をイミド化してポリイミド樹脂層を形成するイミド化工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）

本発明は亜鉛めっきおよび／または亜鉛合金めっきされた鋼材表面または少なくとも部分的に亜鉛表面を有する接合された金属構造部品を、複数の処理工程を含む表面処理により金属被覆前処理する方法に関する。本発明の方法においては、処理後の亜鉛表面上に、特に１００mg／ｍ²以下のモリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル、鉛、錫および／または好ましくは鉄による金属被覆層が形成される。本発明の他の態様には、本発明の金属被覆前処理が施されているが、その後の被覆が施されていない、または次の被覆が予定されている金属構造部材、並びに自動車製造工程における車体製造、造船、建設、および白物家電製品の製造を目的とする上記構造部材の利用も含まれる。 （もっと読む）