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Fターム[4K022DB07]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | カルボン酸、オキシカルボン酸 (330)

Fターム[4K022DB07]に分類される特許

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【課題】耐ウィスカ性の錫系コーティング層を銅基板の表面に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、表面を有する銅基板からなる部材に、その基板表面に錫系コーティング層を施すのに有用であり、錫系コーティング層は、0.5〜1.5μmの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の生成を抑制し、その金属間化合物の生成抑制は、その物品を少なくとも7回の加熱・冷却サイクルに曝露した際、その各サイクルは、その物品を少なくとも217℃に加熱し、その後20〜28℃に冷却することからなり、その結果、少なくとも0.25μm厚の銅のない錫コーティング層の領域が残存する。 (もっと読む)


堆積および処理時に導電性金属膜および金属線を形成するように適合させた金属錯体を提供する。該金属錯体は共有結合錯体であってよく、第1および第2の配位子を含みうる。低温処理を使用して該錯体を金属に変換することができる。該金属膜および金属線は純金属と同様の低い抵抗率および仕事関数を有しうる。貨幣金属を使用することができる(例えばAg、Au、Cu)。該配位子は、アミン、非対称アミンを含む供与結合配位子およびカルボキシレート配位子でありうる。硫黄錯体を使用することができる。カルボキシレート配位子を使用することができる。該錯体は高濃度の金属を有し得、芳香族炭化水素溶媒に可溶性でありうる。十分に揮発するように配位子を適合させることができる。インクジェット印刷を行うことができる。高導電率と共に高収率の金属を実現することができる。

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マグネシウムおよびマグネシウム合金基材をジンケート処理するための改良された組成物および方法。約8から約11のpHを有し、かつ亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオン、および還元剤を含む、水性ジンケート処理組成物。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、非電解水性ジンケート処理組成物を、基材上に亜鉛酸塩を析出させるに充分な時間浸漬する工程、を含む、方法。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオンを含み、そして約8から約11の範囲のpHを有する水性非電解組成物を調製する工程;該組成物に、該マグネシウムまたはマグネシウム合金基材上への亜鉛酸塩の析出を向上させるに充分な量の還元剤を添加する工程;および該基材を該組成物中に、該亜鉛酸塩を該基材上に析出させるに充分な時間浸漬する工程;を包含する、方法。 (もっと読む)


【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法を提供する。また、該無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有することを特徴とする無電解銅めっき液、さらに、該無電解銅めっき液に、孔2の形成された基板1を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層6を形成することを特徴とする無電解銅めっき方法、及び、該無電解銅めっき液に、孔2の形成された基板1を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層6からなる埋め込み配線を形成することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法の提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、基板、特に半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法に関する。本発明によれば、この組成物は、A)1以上のパラジウム錯体からなる活性化剤と;B)1以上の有機シラン錯体からなる二官能性有機結合剤と;C)上記活性化剤及び上記結合剤を溶解させるための1以上の溶媒からなる溶媒系とを含有する。用途:電子デバイス、特に集積回路、とりわけ3次元集積回路などの製造。 (もっと読む)


【課題】ボイドのないポリマー層を、塗布液に用いる溶媒の沸点に関わらず、短い乾燥時間で形成することが可能な、ポリマー層の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明のポリマー層の形成方法は、(a)ガラス転移温度が180℃以下のポリマーP、及び、該ポリマーPを溶解する溶媒Aを含む塗布液を、支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、(b)該塗膜に、前記ポリマーPを溶解しない、水及びアルコールの少なくとも一方を含む液体Bを接触させて、当該塗膜から溶媒Aを取り除く工程と、(c)該塗膜を乾燥する工程と、をこの順に含み、前記溶媒Aと前記液体Bとが「溶媒Aの沸点」>「液体Bの沸点」の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の端子部分、他の電子部品の端子部分、或いは、その他の金属微細パターン付き樹脂基材などのめっき処理対象面に、無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う際に、下地である樹脂表面の金属異常析出が抑えられ、めっき処理面の品質に優れる方法を提供する。さらに本発明は、めっき処理面の品質に優れためっき処理物、特に、インターポーザ、マザーボード、及び、それらを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線板の端子部分などの被処理部分に金属微細パターン付き基材の無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う方法であって、パラジウム触媒付与工程の後、無電解パラジウムめっき処理を行う前の任意の段階において、pH10〜14の溶液による処理およびプラズマ処理よりなる群から選ばれる少なくとも一つの表面処理を行う。 (もっと読む)


【課題】共鳴波長をチューニング可能な異方成長した微粒子の特徴と、より強い表面プラズモン増強場の生成が可能な近接微粒子の特徴とを併せ持つ複合金属ナノ粒子の簡略な製造方法と複合金属ナノ粒子を含む多光子吸収材料並びに多光子吸収反応助剤を提供する。
【解決手段】形状異方性を有するナノ粒子(例えば、金)の表面に被覆された卑なる金属(例えば、銀)の少なくとも一部を、プラズモン増強場を発生させ得る、前記卑なる金属よりも貴なる金属(例えば、金)のイオンを含む溶液中でイオン化傾向の違いにより貴金属(例えば、金)に置換して複合金属ナノ粒子とし、これを含む多光子吸収材料または同反応助剤を、例えば、三次元多層光メモリ、光造形用材料、二光子蛍光顕微鏡へ応用する。 (もっと読む)


【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩(A)、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド(B)を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 (もっと読む)


【課題】表面に均一に金属メッキを施したポリエチレン粒子及び該ポリエチレン粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が1μm〜100μmの樹脂粒子の表面に無電解メッキ層が形成されていることを特徴とする機能性微粒子であって、上記樹脂粒子がポリエチレン粒子に極性モノマーをグラフト重合したグラフト共重合体であることを特徴とする機能性粒子、および極性モノマーをグラフト重合する方法が、放射線グラフト重合である上記機能性微粒子。 (もっと読む)


本発明は、プリント回路板、IC基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての1μm以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解(浸漬)めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 (もっと読む)


光起電太陽電池における金属接点にめっきを施すための方法及び組成物を記載する。めっき性金属イオン及び化学還元剤を含有する水性浴に前記電池を浸漬する。次いで、前記電池を光に曝露して、前記電池の2つの側面を逆の極性に帯電させる。外部電気接触、裏側のアノード腐蝕、及び裏側の犠牲物質の必要なしに、金属イオンをめっきできる。 (もっと読む)


【課題】プラントを構成する炭素鋼部材の腐食をさらに抑制することができる炭素鋼部材の防食方法を提供する。
【解決手段】ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる皮膜形成水溶液に注入する(S4)。この皮膜形成水溶液をBWRプラントの炭素鋼製の給水配管に供給し、給水配管の内面にニッケル金属皮膜を形成する。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄(II)イオン、ギ酸、ニッケルイオン、過酸化水素及びヒドラジンを含む皮膜形成水溶液を、給水配管に供給する(S5〜S7)。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。その後、酸素を含む150℃以上の水をニッケルフェライト皮膜に接触させ、ニッケル金属皮膜をニッケルフェライト皮膜に変換する(S10)。給水配管の内面に厚みの厚いニッケルフェライト皮膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】めっき下地の表面であって非回路となる部分について、レーザー光の照射による除去が困難な部分と、マスク材の被覆が困難な部分との双方が存在する場合にも、電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体1に施した無電解銅めっき2の表面において、レーザー光3の照射による除去が容易な非回路となる部分22a〜22dについて、このレーザー光の照射によって無電解銅めっきを除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材4で被覆する。レーザー光3の照射によって除去されず、かつマスク材4で被覆されていない回路となる部分21に電解銅めっき5を積層した後でマスク材4を溶解除去する。電解銅めっき5によってカバーされた回路となる部分21以外の無電解銅めっき2をエッチング液で除去する。 (もっと読む)


【課題】還元反応が十分に進行しない、形成される金属構造物の表面に欠陥を有する等の不良現象が抑制され、光沢に優れた金属構造物を形成する方法及びその形成方法に用いられる金属構造物形成用組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は、基材に、蟻酸の金属錯体(A)及び蟻酸アンモニウム(B)を含有する金属構造物形成用組成物を塗布し、塗布物を形成する工程と、得られた塗布物に対して、加熱及び/又は光照射し、金属からなる構造物を基材の表面に形成する工程とを、順次、備える金属構造物の形成方法である。 (もっと読む)


【課題】密着性に優れためっき被膜を形成することができる無電解ニッケルめっき浴、及び、無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】水1Lに、次亜リン酸を110〜130g/L、硫酸ニッケルを98〜120g/L、酢酸ナトリウムを45〜60g/L、硝酸鉛を0.005〜0.025g/L、チオ尿素を0.003〜0.023g/L、リンゴ酸を70〜95g/L、さらに、pH緩衝剤として苛性ソーダを30〜50g/L溶解させて、pH4.8〜5.3に調節した無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を形成した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−2〜+5の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、3−アミノプロピオン酸、3−アミノブタン酸、3−アミノ−4−メチル吉草酸、並びに2−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 (もっと読む)


【解決手段】水溶性金塩と還元剤と錯化剤とを含有し、シアンイオンを含有しない無電解非シアン化金めっき浴であって、下記一般式(1)


で示されるバルビツール酸化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】無電解金めっき浴は、ニッケルに対する金めっき及びパラジウムに対する金めっきの双方に使用することができ、この無電解金めっき浴を用いれば、例えば、1つの製造ラインでNi/AuプロセスにもNi/Pd/Auプロセスにも対応することができ、生産性が高い。また、形成された金めっき皮膜の特性も良好である。更に、めっき浴の安定性も高い。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも以下の工程:(A)相応する金属の、少なくとも3個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも1種の金属酸化物の少なくとも1種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも1種の溶媒中で製造する工程、(B)工程(A)からの溶液を基材に施与する工程及び(C)前記少なくとも1種の前駆体化合物を、少なくとも1種の半導体金属酸化物に変えるために、工程(B)からの基材を、20〜200℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程(A)において電気的に中性の[(OH)x(NH3yZn]z(x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも1種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも1種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の[(OH)x(NH3yZn]z(式中、x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)を、酸化亜鉛及び/又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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【課題】溶液塗布法による電子回路等の銅配線を形成するプロセスにおいて、大気中であっても、300℃程度の低温であっても、得られる銅薄膜の導電性を充分に維持することが可能な薄膜形成用組成物がない。
【解決手段】必須成分として、ギ酸銅又はその水和物、アルカノールアミン化合物及びこれらを溶解せしめる有機溶剤を含有し、アルカノールアミン化合物がギ酸銅又はその水和物1モルに対して0.5〜5モル含有される銅薄膜形成用組成物を提供する。アルカノールアミンは、好ましくはジエタノールアミンであり、有機溶剤は、好ましくは1−ブタノールである。 (もっと読む)


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