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Fターム[4K022DB07]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | カルボン酸、オキシカルボン酸 (330)

Fターム[4K022DB07]に分類される特許

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【課題】各種の下地金属上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に、金めっきの析出性、カバーリング性などを向上させることが可能な新規な置換析出型無電解金めっき方法、及びこの方法に用いる処理剤を提供する。
【解決手段】亜硫酸塩、アミノカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類、ホスホン酸類及びポリエチレンンアミン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を有効成分とする水溶液からなる置換析出型無電解金めっきの前処理用活性化液、並びに
該活性化液に被処理物を接触させた後、水洗を行うことなく、該被処理物を置換析出型無電解金めっき液に接触させることを特徴とする置換析出型無電解金めっき方法。 (もっと読む)


【課題】導電膜と基板との密着性に寄与する樹脂層の柔軟性、耐熱衝撃性に優れた導電膜の形成方法、該導電膜の形成方法を工程中に含むプリント配線板の製造方法及び導電膜材料を提供する。
【解決手段】(a)有機樹脂基材上に、ラジカル重合性基を有する化合物と、熱可塑性樹脂とを含有してなる樹脂層を形成する工程、(b)無電解めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂とラジカル重合性基を有する化合物とを含有する無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる樹脂層を形成する工程、(c)無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる層に、無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する工程、及び、(d)無電解めっきを行い、無電解めっき膜を形成する工程、を含む導電膜の形成方法である。 (もっと読む)


【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子(単一粒子)で存在している割合が高く、接続抵抗の低減に有用な突部が表面に形成されている、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。更に、この無電解メッキ金属薄膜の表面には、接続抵抗を低減できる突部が形成されている。このような導電粒子は、メラミン化合物を樹脂粒子表面に吸着させるメラミン吸着処理工程、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 (もっと読む)


【解決手段】主金属イオン、次亜りん酸イオン、上記主金属イオンの錯化剤、及び亜りん酸イオンを含む無電解めっき液を陽イオン交換樹脂に通液し、金属イオンを分離した次亜りん酸イオン及び亜りん酸イオンを含む脱金属めっき液を通過させる処理と、上記陽イオン交換樹脂に吸着した金属イオンを溶離液にて溶離させ、主金属イオンを分離、回収する処理と、脱金属めっき液を電界透析処理して次亜りん酸イオン及び1価錯化剤イオンを含む1価アニオン溶液と、亜りん酸及び2価以上の錯化剤イオンを含む多価アニオン溶液とに分離する処理とを有する無電解めっき液の再生方法。
【効果】本発明によれば、金属イオン、次亜りん酸イオン及び1価の錯化剤イオンを効率よく回収し得ると共に、亜りん酸やめっき液中に存在する不純物金属イオンを効率よく分離することができる。 (もっと読む)


【課題】 基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に100μm以下の素地露出部の幅を有する高さ3μm以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、100μm以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。 (もっと読む)


【課題】建浴後、所定日数が経過してもめっき析出速度が著しく低下せず、長期に亘ってほぼ一定のめっき析出速度を維持する無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法を提供する。
【解決手段】パラジウムを0.1〜g/0.4L含有し、且つ、パラジウムと錯形成する錯化剤をパラジウムとのモル比(錯化剤/パラジウム)が25〜250となる濃度で含有する無電解パラジウムめっき浴に被めっき物を浸漬して被めっき物上に無電解パラジウムめっき皮膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】 電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずCuめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いCuめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面がCuの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Cuめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にCuめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Cuめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含む。 (もっと読む)


【課題】樹脂層との密着性に優れためっき膜の形成に有用な、表面が平滑であっても、その表面に形成されるめっき膜との高密着性を達成しうるめっき用感光性樹脂組成物、それを用いた、表面金属膜材料、及びその作製方法などを提供する。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体と配位結合性の相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマー、及び、合成ゴムとエポキシアクリレートモノマーとベンジルアルコール基を有する重合性モノマーとからなる群より選択される1種以上を含有するめっき用感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを1〜15ppm含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−(3−スルホプロピル)ジスルファイドのような、分子量50以上2000以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 (もっと読む)


【課題】従来の銀メッキ銅微粉における、銀メッキ前の銅微粉の酸化状態によって銀メッキ反応後の色調にバラツキが生じることや、フレーク状の銀メッキ銅微粉の表面に機械的な変形痕が生じる等の問題点を解決し、導電性と銀メッキ反応時の再現性に優れた銀メッキ銅微粉及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フレーク状に加工した銅微粉を熱処理して銅微粉表面を酸化し、次に、銅微粉をアルカリ性溶液中で銅微粉表面の有機物を除去・水洗した後、酸性溶液中で銅微粉表面の酸化物を酸洗・水洗し、その後、この銅微粉を分散させた酸性溶液中に還元剤を添加しpHを調整して銅微粉スラリーを作成し、この銅微粉スラリーに銀イオン溶液を連続的に添加することにより、無電解置換メッキと還元型無電解メッキにより銅微粉表面に銀層を形成することを特徴とする銀メッキ銅微粉の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 3価のチタン塩を含む無電解スズメッキ浴において、簡便な操作で無電解スズ浴のメッキ機能を長期に安定化させる。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩とレドックス系還元剤としての3価チタン塩と錯化剤とを含有した無電解スズメッキ浴を用いて、3価のチタンイオンから4価への酸化によりスズイオンを金属スズに還元して析出させる際に、スズメッキ浴に陰極と陽極を臨ませ、無電解メッキ処理と並行して、或は無電解メッキ処理後に、メッキ液を電解還元処理してチタンイオンを4価から3価に還元・再生する無電解スズメッキ方法である。微量の電圧で電解還元して、チタンイオンを4価から3価に還元するため、浴でのスズの析出作用を長期に保持できる。 (もっと読む)


【課題】有害な金属を含有しない無電解ニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき浴は、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する。このように、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する無電解ニッケルめっき浴を用いることで、有害な金属を使用することなくめっき浴の分解を抑制して、めっき浴の安定化を図ることができる。 (もっと読む)


無電解パラジウムめっき液は、極性溶媒、少なくとも1つのパラジウム塩、少なくとも1つの非窒素化錯化剤、めっき液を少なくとも8.0のpHに調整するアルカリ性調整剤、及び還元剤を含む。めっき液は、基板の表面にパラジウムの層を形成するのに使用され、基板上にほぼ純粋なパラジウム皮膜をもたらす。還元されたパラジウムのめっき液中での析出は実質的に防止される。
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【課題】錫めっき層を正常に形成することが可能な配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース絶縁層41上に複数の配線パターンW1およびグランドパターンG1を形成し、その後、配線パターンW1およびグランドパターンG1の表面に無電解錫めっき処理を施す。これにより、配線パターンW1およびグランドパターンG1の表面を覆うように錫めっき層S1,S2が形成される。無電解錫めっき処理には、ホウフッ酸、硫酸、アルカノールスルフォン酸、有機カルボン酸およびフェノールスルフォン酸のうち少なくとも1つ、ならびに銀イオンを含む無電解錫めっき液が用いられる。 (もっと読む)


【課題】フェライト皮膜形成作業が終了するまでに要する時間を短縮できるプラント構成部材の表面へのフェライト皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラント構成部材であるBWRプラントの再循環系配管に皮膜形成装置を接続する(ステップS1)。皮膜形成装置から、pH調整剤、鉄(II)イオンを含む薬剤及び酸化剤を含む皮膜形成水溶液を再循環系配管に供給する(ステップS4〜S6)。再循環系配管の皮膜形成水溶液と接触する内面にフェライト皮膜が形成される。皮膜形成装置の皮膜形成水溶液を供給する皮膜形成液配管内に配置された水晶振動子電極装置によって、フェライト皮膜の形成量を計測する(ステップS7)。計測されたフェライト皮膜量に基づいて得られたフェライト皮膜の厚みが設定厚みになったかを判定する(ステップS8)。皮膜の厚みが設定厚みになったとき、フェライト皮膜形成作業を終了する。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が9mol/リットル以上20mol/リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う(ステップS3)。ついで、電極の表面に第1ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し(ステップS4)、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が9mol/リットル以上20mol/リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する(ステップS5)。ついで、電極の表面に第2ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し(ステップS6)、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する(ステップS7)。 (もっと読む)


【課題】基板に対する吸着または機械的な保持力を強めることなく、基板の離脱や脱落を確実に防止しつつ基板を保持して処理ができるようにする。
【解決手段】基板の裏面周縁部をシールしながら基板を保持する環状シールを備えた回転自在な保持ヘッド184を有し、保持ヘッド184は、基板を保持した状態での該保持ヘッド184の回転に伴って、環状シールでシールされた基板の裏面側に負圧を発生させる絞り機構260を有する。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】無電解ルテニウムメッキ溶液が開示されている。その溶液は、ルテニウム源と、錯化剤としてのポリアミノポリカルボン酸と、還元剤と、安定化剤と、pH調整物質と、を含む。無電解ルテニウムメッキ溶液を準備する方法も提供されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、無電解ニッケルメッキ廃液を浄化するための従来の酸化方法の問題点を排除して、簡便な装置を用い低コストで効果的な方法により、無電解ニッケルメッキ廃液の浄化と、ニッケルおよびリン酸塩を回収して再資源化する方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルメッキ廃液からニッケルイオンを分離する第一工程と、第一工程で得られた分離液中の次亜リン酸イオンを酸化触媒により亜リン酸イオンに酸化する第二工程と、第二工程で得られた亜リン酸イオンを酸化触媒により正リン酸イオンに酸化する第三工程および、第三工程で得られた正リン酸イオンをリン酸塩に転換してろ過分離することにより、リン濃度が16mg/l以下の廃液に浄化し、リン酸をリン酸塩として回収する第四工程とからなることを特徴とする無電解ニッケルメッキ廃液の浄化方法である。 (もっと読む)


本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む:
【化1】


(式中、
は、OH、OCH、OCHCH、および直鎖または分岐鎖のC1−C7アルキルからなる群から選ばれ、
は、Hおよび直鎖または分岐鎖のC1−C7アルキルからなる群から選ばれ、
mは、1〜5の整数、
nは、2〜30の整数、
oは、0〜10の整数、
は、金属イオン、疑似金属イオン、またはHを表す)。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

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