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Fターム[4K022DB07]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | カルボン酸、オキシカルボン酸 (330)

Fターム[4K022DB07]に分類される特許

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【課題】基板との密着性に優れた金属膜を有し、且つ、湿度変化による密着力の変動が少ない表面金属膜材料、及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】(1)ポリマーを含有するポリマー溶液を調製する工程と、(2a)該ポリマー溶液に、ポリマーに対して30質量%以上200質量%以下の割合となるモノマーを混合して、混合液を調製する工程と、(3)基板上に、前記混合液を、塗布、乾燥させた後、得られた膜を硬化させ、該基板上に硬化層を形成する工程と、(4)該硬化層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、(5)該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有し、前記ポリマー及び前記モノマーの少なくとも一方が、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、該作製方法により得られた表面金属膜材料。 (もっと読む)


【課題】 本発明は無電解ニッケルメッキ廃液から、ニッケルイオンを、リン含有量が100mg/Kg以下の資源化が可能なニッケル化合物として回収する方法を提供する。
【解決手段】 カラムに充填された選択性重金属キレート樹脂の再生工程(A)と、無電解ニッケルメッキ廃液の調整工程(B)と、前記工程(A)で再生したキレート樹脂に、前記工程(B)で調整したニッケルメッキ廃液を接触させニッケルイオンをキレート樹脂に吸着させた後、鉱酸でニッケルを溶出するニッケルの吸着溶出工程(C)と、前記工程(C)で溶出したニッケル塩水溶液に対して1当量以上の炭酸塩または水酸化アルカリまたは蓚酸を添加することにより不溶性ニッケル化合物を沈殿させるニッケル資源化工程(D)とからなる。 (もっと読む)


【課題】 金属イオンを光還元して金属構造体を製造する方法において、従来の技術よりも加工分解能を大幅に改善することができる方法を提供する。より具体的には、金属構造体を構成する金属結晶の成長を抑制することで加工分解能を改善した金属構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属結晶の成長を抑制することができる物質を金属イオンが分散した媒体中に添加することで、当該金属イオンが光還元されて生成される金属結晶の成長を防ぎ、これにより当該金属結晶からなる金属構造体の加工分解能を改善する。 (もっと読む)


【課題】ミクロンオーダーからナノオーダーのインプリント技術において、インプリント用金型の離型性、耐磨耗性、耐久性、コストに問題があった。
【解決手段】平均孔径が10μm以下の気孔を有する多孔質金属めっき膜を備えるインプリント用金型である。所定の微細パターンに必要な凹凸部分に、多孔質金属めっき膜中の気孔を利用したものである。 (もっと読む)


【課題】水素分離用薄膜として供する緻密なパラジウムと銀合金膜を作製するに当たり、非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させて成膜し、600℃以下の加熱で迅速に合金化させた水素分離用薄膜を提供する。
【解決手段】パラジウムと銀とを含むメッキ浴に、種核を付着させた多孔質基材を浸し、メッキを施す過程において、一定の流速で連続的に銀含有水溶液を添加することで、両元素の析出速度を制御して、一定の組成比のパラジウムと銀を深さ方向に均一に成膜する方法、及び該方法で作製した水素分離用薄膜。
【効果】非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させた水素分離膜として供するためのパラジウムと銀の合金膜を作製する方法及びその水素分離用薄膜を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき時に配線パターン間に発生する金の異常析出を抑制し、所望の配線パターンに損傷を与えない無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の無電解めっき方法は、ガラスセラミックからなる絶縁基材と金属焼結体配線パターンとから構成されるガラスセラミック配線基板において、金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程と、無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する置換型無電解金めっき工程と、置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する還元型無電解金めっき工程とを含む無電解めっき方法であって、上記無電解ニッケルめっき工程と置換型無電解金めっき工程との間、または上記置換型無電解金めっき工程と還元型無電解金めっき工程との間にガラスエッチング処理工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、ニッケル元素の化合物及びモリブデン元素の化合物、第二級及び第三級環式アミノボランから選択される少なくとも1つの第一の還元剤、及び少なくとも1つの錯化剤を含み、pHが8.5〜12の、金属表面上にバリア層を析出するための溶液に関する。 (もっと読む)


【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 (もっと読む)


【課題】プリント基板又はウエハー上に形成されたアルミニウム又は銅からなる導体パターンを被覆するパターンめっきとその形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又はウエハー1上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン3上に形成されたパターンめっき9であって、導体パターン3上に順次形成された無電解ニッケルめっき皮膜5、無電解金-パラジウム合金めっき皮膜7からなるパターンめっき。ニッケルめっき皮膜の膜厚は1〜20μm、金-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚は0.01μm以上とすることが好ましい。金-パラジウム合金めっきには、可溶性金塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解金-パラジウム合金めっき液を使用する。 (もっと読む)


有機金属化合物を溶液から基板上に塗布するコーティングステップと、還元剤を含有する酸性溶液を用いて実施することを特徴とする還元ステップとを含む、導電性トラックの製造方法を開示する。
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【課題】導電性が高く、無電解銅めっきによる導体回路の線幅の太りが少ない配線パターンを形成することが出来る導電性材料の作製方法を提供する。
【解決手段】支持体上の少なくとも一方の面に銀画像を形成させた後、該銀画像に無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が4ppm以上である第一めっき浴にてめっき処理を施し、その後無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が4ppm未満である第二めっき浴にてめっき処理を施す。 (もっと読む)


【課題】従来に比較して、第2の無電解金属めっき層を安定して成膜することができ、製造コストの増加を抑制可能な多層金属めっき基材の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方表面に、第1の無電解金属めっき層、第2の無電解金属めっき層がこの順に積層されている多層金属めっき基材を製造するにあたり、基材表面に触媒を有するリード基材を、第2の無電解金属めっき浴に先に浸漬させた後、引き続き、基材表面に第1の無電解金属めっき層が積層された本体基材を、第2の無電解金属めっき浴に浸漬させる。 (もっと読む)


本発明は、層状フィロケイ酸鉱物粒子が分配された金属マトリックスを含む複合材料であって、層状フィロケイ酸鉱物粒子が、合成フィロケイ酸ナノ粒子(6)と呼ばれる、10nm〜1μmの平均寸法を有する親水性の合成層状鉱物ケイ素/ゲルマニウム金属粒子であることを特徴とする複合材料に関する。本発明は、かかる材料から形成される潤滑コーティングを担持する基板及び電解析出による調製方法に及ぶ。
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【課題】クロム酸−硫酸混液によるエッチング工程を含むめっき処理方法において、エッチング処理液に含まれるクロム酸に対する安定した中和作用を有し、且つ、各種の樹脂成形品に対して優れた触媒付着能力を発揮できる新規な処理剤を提供する。
【解決手段】ジアミン化合物、又は該ジアミン化合物とエピクロルヒドリンとの重縮合物を有効成分として含有する水溶液からなる、クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤、及び
樹脂成形品に対してクロム酸−硫酸混液を用いてエッチング処理を行った後、該樹脂成形品を上記後処理剤に接触させ、その後、触媒付与及び無電解めっきを行い、更に、必要に応じて電気めっきを行うことを特徴とする樹脂成形品に対するめっき方法。 (もっと読む)


【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式で示される化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
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【課題】めっき溶液の解析及び制御のための方法と装置
【解決手段】めっきシステムは、めっき溶液と、めっき溶液の制御のための装置とを含み、装置は、有機成分の測定のためのラマン分光計と、金属成分の測定のための可視光分光計と、pHプローブとを含む。めっき溶液は、連続的に又は間欠的にサンプリングすることができる。めっき溶液の注入は、めっきプロセス中に消費された又は失われた成分の調整を行う。注入の方法は、めっき溶液を所望の組成に維持することに基づいている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶性の低い金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるホウ素化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 良好な密着性を有する金めっきを形成することができる、金めっき構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金めっき構造体の製造方法は、チタン基材(10)の表面から酸化膜を除去する除去工程と、除去工程後に、不動態膜の形成を抑制する添加剤が添加された金めっき浴(30)にチタン基材(10)を浸漬する浸漬工程と、を含む。チタン基材(10)の表面における不動態膜の形成が抑制される。それにより、良好な密着性を有する金めっき(40)を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】ブリッジとスキップの両方が発生していない接続端子の製造方法、およびその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材16と、該基材16上に形成された接続端子(導体15)と、を備える基板の表面に、硫黄有機物を含んだ溶液(無電解めっき用前処理液)に接触させる第1工程と、前記第1工程の後にドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは物理的研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより前記接続端子(導体15)上面の硫黄有機物を一部除去する第2工程とを有する、接続端子の製造方法。 (もっと読む)


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