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Fターム[4K022DB07]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | カルボン酸、オキシカルボン酸 (330)

Fターム[4K022DB07]に分類される特許

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【課題】下地金属とパラジウムとの間の密着性を改善し、接続信頼性を高めることができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】本発明による無電解パラジウムめっき液は、水溶性パラジウム塩と、パラジウムイオンに対する錯化剤と、還元剤と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板上に成膜される膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】成膜材料を微粒子化して噴霧する噴霧口131を各々有する複数の噴霧機構と、複数の噴霧機構から噴霧された成膜材料を基板上に分布を補正して到達させるための噴出口191を各々有する複数の送風機構とを備える。複数の噴霧機構は、各々の噴霧口131が基板と対向し、かつ、平面視において基板の搬送方向と交差する方向に互いに間隔を置くように配置されている。複数の送風機構は、各々の噴出口131が複数の噴霧機構のうちの少なくとも1つの噴霧機構の噴霧口131の周囲に位置するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】無電解めっきだけの1段階のめっきですみ、コストの低減化が図れるとともに、摩擦・摩耗特性の向上が図れるポリアセタールを主材とする複合材を提供する。
【解決手段】無電解めっきだけの1段階のめっきですみ摩擦・摩耗特性の向上が図れるポリアセタールを主材とする複合材は、粗面化処理したポリアセタール樹脂成形物上に、カーボンナノチューブ(CNT)を含みトリメチルステアリルアンモニウムクロリドを分散剤とした無電解めっき浴による無電解めっき皮膜が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の無電解銅めっき浴は、銅水溶性塩、錯化剤、還元剤、緩衝剤及び添加物を含む無電解銅めっき浴において、前記錯化剤がヒドロキシカルボン酸系錯化剤であり、前記還元剤がアスコルビン酸系還元剤であり、前記緩衝剤がpH緩衝剤であり、前記添加物が含窒素複素環化合物である、無電解銅めっき浴である。
【効果】
本発明の無電解銅めっき液は、pH3〜8で無電解銅めっきが可能であり、めっき浴が十分な浴安定性を示し、得られる金属銅析出皮膜が十分な厚さでありかつ非常に密着性が良好であり、さらに析出膜の結晶性が非常に微細、緻密かつ均質であるという優れた性質を持つ。これらの性質により、強アルカリ性や強酸性に弱い被めっき材料(例えばエポキシやポリアミド、アルミナなど)に、非常に緻密かつ均質な金属銅皮膜を形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】めっき液中の銀の分解を防止して安定性を維持するとともに、下地金属等が過度に荒らされることを防止して、良好な皮膜特性を有し、外観も良好なめっき皮膜を形成することができる還元型無電解銀めっき液及びこの銀めっき液を用いた還元型無電解銀めっき方法を提供する。
【解決手段】水溶性銀塩と、還元剤とを含有する還元型無電解銀めっき液であって、0.006×10−3mol/L〜12.5×10−3mol/Lのシアン化物イオンを含有する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】本件発明の課題は、新規還元剤を用いたホルムアルデヒドフリーの無電解銅めっき液、及び、無電解銅めっき方法を提供することにある。
【解決手段】上記課題を解決するため、無電解銅めっき液は銅塩と還元剤とを含む無電解銅めっき液において、前記還元剤として亜ジチオン酸、亜ジチオン酸誘導体及びこれらの塩のうちいずれか一種又は二種以上を用いる。また、上記課題を解決するため、無電解銅めっき方法では、当該無電解銅めっき液に被めっき物を浸漬し、被めっき物の表面に銅を析出させる。 (もっと読む)


【課題】導電性が良く、且つ、基材粒子に対する導電性金属層の密着性に優れた導電性微粒子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の導電性微粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有し、前記導電性金属層として、前記基材粒子表面に直接形成されたニッケルメッキ層を含む導電性微粒子であって、任意に選択した10個の粒子について、前記ニッケルメッキ層の厚さ方向断面を、走査型電子顕微鏡を使用し100000倍の拡大倍率で観察し、長さ500nmのニッケルメッキ層内縁と、その両端から径方向外方に向けて延出する2本の直線と、外周縁から形成される領域を、任意に3つ選択し、少なくとも1つの領域において、破断面に表れる粒界が形成する長径10〜70nmのうろこ形状が、断面積10000nm2当りに3個以上存在する粒子が6個以上存在することを特徴とする
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【課題】無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液30を貯留する無電解めっき槽1と、前記無電解めっき槽1に接続し、その無電解めっき槽1との間で前記無電解めっき液30を循環する循環流路21を有する外部循環手段2と、を備え、前記外部循環手段2が、その循環流路21内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液30に混入すると共に前記無電解めっき液30を加圧して前記気体を前記循環流路21内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段8と、を更に有する無電解めっき装置100。 (もっと読む)


【課題】 被めっき物の表面に、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えたフェライトめっき膜を析出する。
【解決手段】 めっき槽4と、2価の鉄イオン、または、2価の鉄イオンと鉄以外の2価の金属イオンを含む反応2液と、被めっき物1とを準備する工程と、めっき槽に、純水5および反応液2の少なくとも一方と、被めっき物1とを投入し、被めっき物の表面にフェライトめっき膜(図示せず)を析出させる工程とを備え、被めっき物1の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽4内の液体9の液面と被めっき物1との距離を一定に保つようにした。 (もっと読む)


【課題】良好な防錆効果を発揮する被膜を、簡便にかつ短時間で形成する。
【解決手段】金属アルコキシド(A)とアルコール(B)と酢酸(C)を含有し、金属アルコキシド(A)のアルコキシ基が、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキシ基、およびノルマルブトキシ基からなる群から選ばれる1種以上であり、金属アルコキシド(A)の含有量を1質量部とするときの酢酸(C)の含有量の比が0.05〜0.20質量部であり、金属アルコキシド含有組成物における金属アルコキシド(A)の固形分濃度が2.5〜3.5質量%であることを特徴とする金属アルコキシド含有組成物。 (もっと読む)


【課題】炭素系複合材を含有する無電解複合めっき液の分散安定性及びめっき液寿命を向上させることができ、且つ、優れた外観を有するめっき皮膜を得ることができる無電解複合めっき液用分散剤を提供する。
【解決手段】例えばジアリルアミンのハロゲン化水素塩を代表とするグループの第1の化合物、例えばジアリルアミンの硫酸塩を代表とするグループの第2の化合物及び、例えばメチル(メタ)アクリレートを代表とするグループの化合物の群から選択される少なくとも2種のグループの化合物を共重合せしめることにより得られたカチオン性ポリマーを含有しており、炭素系複合材を無電解複合めっき液中に分散せしめるための分散剤であること、を特徴とする無電解複合めっき液用分散剤。 (もっと読む)


【課題】耐折り曲げ性に優れたニッケルめっき皮膜を形成できる新規な無電解ニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)


[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、それぞれ、水素原子又は下記基:


(式中、Rは、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、mは1〜10の整数である)であり、nは2又は3である。]で表されるアルキレンジアミン化合物を含有することを特徴とする自己触媒型無電解ニッケルめっき液。 (もっと読む)


【課題】 基材粒子表面が導電性金属層で均一に被覆され、基材粒子と導電性金属層との密着性に優れ、かつ導電性金属層被覆後の粒子強度の低下もない導電性微粒子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る導電性微粒子は、樹脂から構成される基材粒子と、該基材の表面に形成された少なくとも一層の導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、オゾンで処理されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】約210℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる新たな材料の提供を目的とする。
【解決手段】β−ケトカルボン酸銀を含む金属銀の形成材料とする。この形成材料を加熱することによって、約210℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる。前記β−ケトカルボン酸銀の一例としては、例えば、イソブチリル酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、アセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、α−メチルアセト酢酸銀およびα−エチルアセト酢酸銀が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】無電解メッキパターンを正確に形成できる無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】表面を有機物103で修飾されるとともに、前記表面103に触媒金属微粒子105を担持した金属化合物粒子101を含む無電解メッキパターン形成用組成物。前記有機物103としては、3-ヒドロキシ-4-ピロン誘導体、又は1,2-ジオールが挙げられる。前記触媒金属微粒子105としては、パラジウム、銀、白金、ニッケル、及び銅からなる群から選ばれる1種以上の微粒子が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】マスキングテープを必要とせず、フォトリソグラフィー法を利用した電極の製造方法よりも効率よく金属メッキ材料を製造することができる金属メッキ材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】高分子材料を用いて金属メッキ材料を製造する方法であって、前記高分子材料として高分子電解質材料を用い、所定のパターンを有するマスクを介して当該高分子電解質材料の表面にイオン注入を行なった後、当該高分子電解質材料に無電解メッキを施すことを特徴とする金属メッキ材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】簡単かつ精度良く、無電解ニッケルめっき液中の硫黄系化合物の濃度を測定し、その濃度を管理する方法およびその管理するシステムを提供する。
【解決手段】濃度管理システム1は、無電解ニッケルめっき液Lに接触する少なくとも表面が、金、銀、または白金からなる作用電極41、対極42、参照電極43、参照電極43に対する作用電極41の電位を制御する電圧制御装置44、及び対極42と作用電極43との間に流れる電流を測定する電流計45を備え、無電解ニッケルめっき液中の参照電極43に対する作用電極41の電位に応じて、作用電極41と対極に流れる電流Iを電流計で測定する電気化学測定装置4と、電流Iに基づいて、硫黄系化合物の濃度を算出し、無電解ニッケルめっき浴2内の硫黄系化合物の濃度を調整する制御信号Sを出力する制御装置5と、制御信号Sに基づいて無電解ニッケルめっき浴2内の硫黄系化合物の濃度を調整する調整装置6と、備える。 (もっと読む)


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