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Fターム[4K022DB08]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | S化合物 (161)

Fターム[4K022DB08]に分類される特許

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【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含み、クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンを含有しない無電解錫めっき液であって、前記酸の少なくとも1成分として、リンゴ酸を5〜200g/L含有し、アルカンスルホン酸とアルカノールスルホン酸のアニオン部分が共存しないことを特徴とする無電解錫めっき液。及び前記無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物を浸漬した後、温度110〜130℃で45〜90分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを0.100〜0.250μmとすることを特徴とする銅上に形成された錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 (もっと読む)



【課題】置換スズめっき処理について、銅素材の過剰浸食は、実際に被めっき物に置換スズめっきを実施し、そのスズ皮膜を剥離しなければ判定できなかった。また、次亜りん酸の浴内濃度低下やめっき老廃物の浴内蓄積が進行した場合においては、めっき液を更新することでしか銅素材の過剰浸食を回避する手段がなかった。
【解決手段】置換スズめっき液の管理方法及び再生処理装置を用いることで、置換スズめっきによる被めっき処理物の銅素材の過剰浸食の発生有無を推測することができ、また老廃物によるスズめっき皮膜への影響を最小限にしつつ、次亜りん酸濃度を定量補給することで銅素材の過剰浸食を抑制することができるものである。 (もっと読む)


【課題】従来のCMPを伴うダマシン法を用いた配線や電極の形成は、製造工程が煩雑であり高コスト化している。表示装置等の大型基板に配線形成を行うには平坦性等の高精度が要求されて好適せず、また研磨による配線材料の除去・廃棄量が多いという課題がある。
【解決手段】表示装置の形成方法は、基板上に下地絶縁層を設け、その層上に配線パターンに沿った第1の銅拡散防止層を設ける。次に、その第1の銅拡散防止層上面に第1の銅拡散防止層の幅より僅かに狭い銅配線層を積層し、銅配線層の全表面を覆うように、第2の金属拡散防止層を設ける方法である。 (もっと読む)


【課題】高い導電性を有し、優れた光透過性を維持しつつ、耐熱性に優れた金属ナノワイヤー及びその製造方法、並びに透明導電体及びタッチパネルを提供すること。
【解決手段】本発明の金属ナノワイヤーは、銀と銀以外の金属とからなり1μm以上の長軸平均長さを有する金属ナノワイヤーであって、前記銀以外の金属が、銀よりも貴な金属であり、前記金属ナノワイヤーにおける前記銀以外の金属の含有量をP(原子%)とし、前記金属ナノワイヤーの短軸平均長さをφ(nm)としたとき、前記Pとφとが、下記式1の関係を満たすことを特徴とする。
0.1<P×φ0.5<30 (式1)
ただし、前記P(原子%)は、0.010原子%〜13原子%であり、前記φ(nm)は、5nm〜100nmである。 (もっと読む)


【課題】導電性部品用材料として好適な低い接触抵抗を持つ導電性ステンレス鋼材を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼材表面の不動態皮膜を除去した後に、表面近傍のFe、Crをイオン化傾向の違いを利用して、Niに置換析出させることで、電気めっき等の工程付加を必要とせず、且つ安定した導電性を確保した、ステンレス鋼材が得られる。 (もっと読む)


【課題】耐ウィスカ性の錫系コーティング層を銅基板の表面に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、表面を有する銅基板からなる部材に、その基板表面に錫系コーティング層を施すのに有用であり、錫系コーティング層は、0.5〜1.5μmの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の生成を抑制し、その金属間化合物の生成抑制は、その物品を少なくとも7回の加熱・冷却サイクルに曝露した際、その各サイクルは、その物品を少なくとも217℃に加熱し、その後20〜28℃に冷却することからなり、その結果、少なくとも0.25μm厚の銅のない錫コーティング層の領域が残存する。 (もっと読む)


【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法を提供する。また、該無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有することを特徴とする無電解銅めっき液、さらに、該無電解銅めっき液に、孔2の形成された基板1を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層6を形成することを特徴とする無電解銅めっき方法、及び、該無電解銅めっき液に、孔2の形成された基板1を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層6からなる埋め込み配線を形成することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 (もっと読む)


【課題】金属被覆膜を形成する方法において、該被覆膜と成形品との密着性
が優れ、美麗な外観を有する金属メッキ方法を提供すること。
【解決手段】芳香族ポリカーボネート系樹脂成形品の表面の、少なくとも一部に、特定の方法で金属メッキ膜を形成する方法であって、特にストライクメッキ工程において、メッキ浴として硫酸銅又は硫酸ニッケルの溶液を用いる。また、該金属メッキされた成形品が、特定のヒートサイクル試験を行った場合に測定されるビスフェノールAの量が10μg/cm以下である。 (もっと読む)


光起電太陽電池における金属接点にめっきを施すための方法及び組成物を記載する。めっき性金属イオン及び化学還元剤を含有する水性浴に前記電池を浸漬する。次いで、前記電池を光に曝露して、前記電池の2つの側面を逆の極性に帯電させる。外部電気接触、裏側のアノード腐蝕、及び裏側の犠牲物質の必要なしに、金属イオンをめっきできる。 (もっと読む)


本発明は、プリント回路板、IC基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての1μm以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解(浸漬)めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 (もっと読む)


【課題】非回路となる部分についてレーザー光を照射して除去できない部分とマスク材で被覆できない部分との双方が存在する場合にも、無電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体1の粗化面に触媒2を付与し、レーザー光3の照射による除去が容易な非回路となる部分12a、12b、12cについて、このレーザー光の照射によって触媒を除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材4で被覆する。レーザー光3の照射によって除去されておらず、かつマスク材4で被覆されていない回路となる部分11、11に無電解銅めっき5を積層した後、マスク材4を溶解除去し、さらにこのマスク材で覆われていた部分に残存する触媒2を除去する。 (もっと読む)


【課題】密着性に優れためっき被膜を形成することができる無電解ニッケルめっき浴、及び、無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】水1Lに、次亜リン酸を110〜130g/L、硫酸ニッケルを98〜120g/L、酢酸ナトリウムを45〜60g/L、硝酸鉛を0.005〜0.025g/L、チオ尿素を0.003〜0.023g/L、リンゴ酸を70〜95g/L、さらに、pH緩衝剤として苛性ソーダを30〜50g/L溶解させて、pH4.8〜5.3に調節した無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を形成した。 (もっと読む)


【課題】鋼板の表面に銅を付着させることによって、自動車分野および建材に用いる強度部材として好適な、耐遅れ破壊特性に優れた、引張り強度1180MPa以上を有する高張力鋼板を製造する方法及び該鋼板を提供する。
【解決手段】1180MPa以上の引張り強度を有する冷延鋼板に対して、無電解メッキ法、電解メッキ法、蒸着法などの公知の方法により、片面当たり1mg/m以上2000mg/m以下のCuまたはCu基合金皮膜を付着させる製造方法および鋼板。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物0.001〜0.1モル/l、前記アミン化合物は0.05〜5モル/l、前記無機硫黄化合物0.01〜0.1モル/l、前記次亜リン酸化合物は0.05〜1.0モル/l、前記ギ酸またはギ酸化合物は0.001〜0.1モル/lであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも以下の工程:(A)相応する金属の、少なくとも3個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも1種の金属酸化物の少なくとも1種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも1種の溶媒中で製造する工程、(B)工程(A)からの溶液を基材に施与する工程及び(C)前記少なくとも1種の前駆体化合物を、少なくとも1種の半導体金属酸化物に変えるために、工程(B)からの基材を、20〜200℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程(A)において電気的に中性の[(OH)x(NH3yZn]z(x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも1種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも1種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の[(OH)x(NH3yZn]z(式中、x、y及びzは、互いに無関係に、0.01〜10である)を、酸化亜鉛及び/又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
(もっと読む)


【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はNiSOを含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるS成分のピークが、Ni成分のピークよりも小さい回路基板である。 (もっと読む)


【課題】VGCF(商標)のような大きなサイズのCNTであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ni−Pめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ni−Pめっき液へのVGCF(商標)(市販の直径150nm前後、長さ10〜20μm程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ)の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてNi−Pめっきを施すめっき方法。 (もっと読む)


【課題】 基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に100μm以下の素地露出部の幅を有する高さ3μm以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、100μm以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。 (もっと読む)


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