【課題】 電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずＣｕめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いＣｕめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面がＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Ｃｕめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にＣｕめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Ｃｕめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含む。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。
【解決手段】非シアンの亜硫酸金塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸、ベンゾトリアゾール化合物、硫黄を含有するアミノ酸化合物、ヒドロキノンを所定の濃度で含有しためっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅表面の皮膜を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、錯化剤と、銅化合物とを含有し、表面処理剤全体に対するスズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ未満の範囲内であり、スズ化合物の濃度に対する銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 ３価のチタン塩を含む無電解スズメッキ浴において、簡便な操作で無電解スズ浴のメッキ機能を長期に安定化させる。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩とレドックス系還元剤としての３価チタン塩と錯化剤とを含有した無電解スズメッキ浴を用いて、３価のチタンイオンから４価への酸化によりスズイオンを金属スズに還元して析出させる際に、スズメッキ浴に陰極と陽極を臨ませ、無電解メッキ処理と並行して、或は無電解メッキ処理後に、メッキ液を電解還元処理してチタンイオンを４価から３価に還元・再生する無電解スズメッキ方法である。微量の電圧で電解還元して、チタンイオンを４価から３価に還元するため、浴でのスズの析出作用を長期に保持できる。 （もっと読む）

【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で示される単位構造を分子内に２つ以上有することを特徴とする化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
【化１】
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無電解パラジウムめっき液は、極性溶媒、少なくとも１つのパラジウム塩、少なくとも１つの非窒素化錯化剤、めっき液を少なくとも８．０のｐＨに調整するアルカリ性調整剤、及び還元剤を含む。めっき液は、基板の表面にパラジウムの層を形成するのに使用され、基板上にほぼ純粋なパラジウム皮膜をもたらす。還元されたパラジウムのめっき液中での析出は実質的に防止される。
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本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む：
【化１】


（式中、
Ｒ^１は、ＯＨ、ＯＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＨ_３、および直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
Ｒ^２は、Ｈおよび直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
ｍは、１〜５の整数、
ｎは、２〜３０の整数、
ｏは、０〜１０の整数、
Ｍ^＋は、金属イオン、疑似金属イオン、またはＨ^＋を表す）。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

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【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

金属表面のはんだ付け性を向上させる方法であって、はんだ付けする前に金属表面に銀めっきを施し、メルカプト置換又はチオ置換シラン化合物を含む添加剤で浸漬銀めっきを処理する方法を開示する。好ましい後処理は、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン及び／又は３−オクタノイルチオ−１−プロピルトリエトキシシランを含む。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（Ｍ１）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（Ｍ１）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する金属（Ｍ２）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（Ｍ１）塩を、金属（Ｍ２）塩とする金属固定工程と、上記金属（Ｍ２）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品に用いられる錫または錫合金めっき皮膜に対し、簡便な方法で錫または錫合金めっき皮膜表面のウィスカを低減することができ、かつ良好な錫または錫合金めっき皮膜をもたらし得る、錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供することを目的とする。
【解決手段】分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物を含有し、ｐＨが２．５以下である、錫または錫合金めっき皮膜の表面を処理するための錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供する。前記分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物は、分子内にカルボン酸基を２個以上有し、かつ分子内に窒素原子を有しない有機化合物であることが好ましく、該有機化合物は、リンゴ酸、マレイン酸、クエン酸であることが好ましい。また、かかる表面処理水溶液は、さらに窒素系化合物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 特に、酒石酸ナトリウムカリウムの濃度を調整して、表面側に数ｎｍの酸化防止膜を形成することが可能なＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態のＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜１には、表面１ａ側に、ＣＯＯＨ、ＦｅＯ₂、ＦｅＯ及びＮｉＯを含む数ｎｍの膜厚の酸化防止膜２が形成されている。これにより、メッキ膜中の酸化を抑制でき、磁気特性の経時変化を小さくでき、安定した磁気特性を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】不純物が可及的に少ない再生めっき液を得ることにより、めっき特性を向上させると共に、ニッケル及びキレート等の有用成分のロスを防止し経済性を向上させる無電解ニッケルめっき液の再生方法及び装置を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき液の再生方法は、ニッケルイオン（Nｉ2＋）を含有する次亜リン酸水溶液を主成分とする無電解ニッケルめっき液を原液とした無電解めっき１における副生物を含有した老化液を、圧力透析膜２で透析して前記副生物含有液に含まれる副生物を原液から分離し、副生物が除去された再生液は原液４に戻す。また、副生物を含んだ分離液にカルシウム塩又はカルシウム塩及びバリウム塩を添加して分離液中の副生物である亜リン酸イオン及び硫酸イオンを不溶性化合物として沈殿分離３し、沈殿した不溶性化合物が分離された再生液を前記原液に戻す。 （もっと読む）

【課題】触媒材料として有効な硫化ニッケルにおいて、触媒能を増強させるために３次元的な微細構造を備えた比表面積の大きい硫化ニッケル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多孔質の銅メッキを形成するなどして作製した比表面積が１００ｍｍ²／ｍｍ³以上の大比表面積を有する銅基材に対し、チオ尿素とニッケル成分を含むめっき液を付与して置換反応を起こすことにより、大比表面積の基材上に均一な硫化ニッケル膜が形成された多孔質体を得る。 （もっと読む）

【課題】 鋳型のパターン形状が精密に転写されており、かつ、導体層と樹脂層との密着性に優れた回路配線基板を効率良く製造する。
【解決手段】 凹凸パターンを有する鋳型に、ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させてポリアミド酸層を形成した後、これを鋳型から剥離して凹凸面を有するポリアミド酸フィルムとする。このポリアミド酸フィルムに金属イオンを含浸させた後、金属イオンを還元して凹凸面の表面に金属析出層を形成させる。この金属析出層の上に、無電解めっきおよび／又は電気めっきを施して導体層を形成した後、ポリアミド酸フィルムが部分的に露出するまで導体層および金属析出層を削り、パターン化導体層を形成する。ポリアミド酸フィルムのポリアミド酸は熱処理によってイミド化してポリイミド樹脂層とする。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき被膜と金めっき被膜間で発生する剥離や金めっき被膜のフクレの発生を顕著に防止し、はんだ接合及びワイヤー接合等に優れた無電解金めっき被膜を有する接続端子部を提供する。
【解決手段】接続端子部の基材上に、無電解ニッケル又は無電解ニッケル合金からなるめっき被膜、置換型無電解金めっき被膜、還元型無電解金めっき被膜の順に積層した構造の被膜層を有する接続端子部であって、前記置換型無電解金めっき被膜のピンホールの数が、２５μｍ^２当たり３個以下であることを特徴とする接続端子部。 （もっと読む）

【課題】常温常圧の開放系（大気中）であっても長期間駆動することができる耐久性に優れ、弾性率及び屈曲量または変位量が非常に大きい高分子アクチュエータ素子を提供する。さらには、前記高分子アクチュエータ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】金属電極と、高分子電解質を含む電解質とを含む高分子アクチュエータ素子であって、前記金属電極が対を形成することができるように形成され、前記金属電極が前記電解質と接し、かつ、前記金属電極が前記高分子電解質の表面及び／又は内部に形成されたものであり、前記電解質中に、金コロイド、及び、常温常圧下で液状の分子中に少なくとも１つ以上のヒドロキシル基を有する分子量が４００以下の低分子量有機化合物を含有し、前記金コロイドの平均粒子径が、１０〜１００ｎｍで表面プラズモン吸収を示し、前記電解質が、前記低分子量有機化合物により膨潤した状態であることを特徴とする高分子アクチュエータ素子。 （もっと読む）

【課題】数μｍ〜百数十μｍの大きなトレンチ又はビアホールに対しても、ボイドやシーム等の欠陥を生じさせず、良好なめっき埋め込み性を有し、さらに長時間に亘って安定した性能を維持することができる無電解めっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも、水溶性金属塩と、その水溶性金属塩に由来する金属イオンの還元剤と、錯化剤とを有する無電解めっき液であって、炭素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、窒素原子をそれぞれ任意の数含む脂肪族環状基または芳香族環状基、または該環状基に任意の１種類以上の置換基が１つ以上結合した環状基、を少なくとも１つ有する硫黄系有機化合物をレベラーとして含有している。 （もっと読む）

【課題】孔径大きさが４ｎｍを越えてもっと大きく、しかも均一な孔大きさを有する大細孔径メソポーラス金属を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、次の工程を含む。
（１）大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な周期性を有するリオトロピック液晶を形成できる界面活性剤と、水溶性金属塩と、揮発性有機溶媒と、水とを、混合する（前駆体溶液の調製）；
（２）前記前駆体溶液から揮発性有機溶媒を優先的に揮散させて、大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な大きさのリオトロピック液晶を形成させる；
（３）液晶中に溶存する金属イオンを還元することで、前記リオトロピック液晶の周囲に金属を析出させる；
（４）更に水性溶媒で処理してリオトロピック液晶を洗い去り、空隙を形成させる。 （もっと読む）