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Fターム[4K022DB08]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | S化合物 (161)

Fターム[4K022DB08]に分類される特許

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【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。基板保持機構110の周囲に、基板Wから飛散しためっき液を排出する液排出機構140が配置され、基板保持機構110に保持された基板Wの上方において、基板Wの表面側を覆うようにトッププレート151が設けられている。基板W、液排出機構140およびトッププレート151の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスGが滞留する滞留空間156が形成される。 (もっと読む)


【課題】下地金属とパラジウムとの間の密着性を改善し、接続信頼性を高めることができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】本発明による無電解パラジウムめっき液は、水溶性パラジウム塩と、パラジウムイオンに対する錯化剤と、還元剤と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】本件発明の課題は、新規還元剤を用いたホルムアルデヒドフリーの無電解銅めっき液、及び、無電解銅めっき方法を提供することにある。
【解決手段】上記課題を解決するため、無電解銅めっき液は銅塩と還元剤とを含む無電解銅めっき液において、前記還元剤として亜ジチオン酸、亜ジチオン酸誘導体及びこれらの塩のうちいずれか一種又は二種以上を用いる。また、上記課題を解決するため、無電解銅めっき方法では、当該無電解銅めっき液に被めっき物を浸漬し、被めっき物の表面に銅を析出させる。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液30を貯留する無電解めっき槽1と、前記無電解めっき槽1に接続し、その無電解めっき槽1との間で前記無電解めっき液30を循環する循環流路21を有する外部循環手段2と、を備え、前記外部循環手段2が、その循環流路21内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液30に混入すると共に前記無電解めっき液30を加圧して前記気体を前記循環流路21内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段8と、を更に有する無電解めっき装置100。 (もっと読む)


【課題】無電解スズめっき液から不純物、特に銅濃度を減少させることにより、めっき液を再生する方法、めっき液の管理方法、及びこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】非イオン性界面活性剤並びにチオ尿素もしくはチオ尿素化合物を含有する無電解スズめっき液に芳香族有機スルホン酸もしくはその塩を含む添加剤を添加し、冷却下で析出物を生成させることにより、めっき液中から不純物を除去する。 (もっと読む)


【課題】プリント回路板の製造に使用される樹脂積層基体、特に基体に形成されたスルーホールに適用される安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき用触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される金属と、セルロースまたはセルロース誘導体とのナノ粒子、並びに1種以上の酸化防止剤を含み、かつスズを含まない水系溶液を触媒とすることで目的が達成される。 (もっと読む)


【課題】耐折り曲げ性に優れたニッケルめっき皮膜を形成できる新規な無電解ニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)


[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、それぞれ、水素原子又は下記基:


(式中、Rは、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、mは1〜10の整数である)であり、nは2又は3である。]で表されるアルキレンジアミン化合物を含有することを特徴とする自己触媒型無電解ニッケルめっき液。 (もっと読む)


【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 C2〜C4アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に3位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 (もっと読む)


【課題】比重の異なる酸化物系セラミックと重金属の粉末を物理的に混合してなるサーメット溶射用粉末材料を用いて溶射皮膜を形成すると、セラミックと金属とが不均等な状態で溶射皮膜中に分布するため、サーメット溶射皮膜としての機能を十分発揮することができない。
【解決手段】酸化物系セラミック粒子の表面に、無電解めっき法によってNiまたはNi−P、Ni−B合金のめっき膜を0.3〜5μmの厚さで被覆した非混合形サーメット粉末をつくり、このサーメット溶射用粉末材料を用いて溶射皮膜を形成することによって、該溶射皮膜を被成してなる部材の緻密性、密着性、耐摩耗性、耐プラズマ・エロージョン性などを向上させる。 (もっと読む)


【課題】マスキング材を半導体基板の一方面に貼り付ける際に生じ得る課題である製造時間が長時間に及ぶこと、マスキング材の貼り付けや剥離によって半導体基板に反りや割れが生じることが解消され、精度よく一方のアルミニウム電極層にめっき被膜を形成することのできる部分的にめっきをおこなう方法を提供する。
【解決手段】絶縁層1とこれを挟む第1、第2のアルミニウム電極層2,3とからなる半導体基板4のうち、第1のアルミニウム電極層2にのみめっきをおこなう方法であって、ジンケート浴内に半導体基板4を浸漬し、第2のアルミニウム電極層3に亜鉛析出防止用の電位を印加してジンケート処理をおこない、第1のアルミニウム電極層2のみに亜鉛置換膜5が形成された中間体6を製作するステップ、ニッケルめっき浴に中間体6を浸漬して無電解めっき処理をおこない、第1のアルミニウム電極層2上に無電解ニッケル被膜7を形成するステップからなる。 (もっと読む)


【課題】銀薄膜上に硬化型のトップコートを施す際にアンダーコート層と銀薄膜との接着性の著しい低下がなく優れた接着性を有する銀薄膜層の形成が可能な銀薄膜形成方法および該方法で用いられる銀鏡用第二活性処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に設けられたアンダーコート層を塩化第一スズを含有する銀鏡用第一活性処理液で処理する工程、さらに重金属の硫化物を含有する銀鏡用第二活性処理液で処理する工程、該重金属の硫化物で処理されたアンダーコート層上に銀鏡反応により銀薄膜層を形成する工程、該銀薄膜層上にトップコートを設ける公邸からなる銀薄膜形成方法、および該方法に用いられる重金属の硫化物を含有する銀鏡用第二活性処理液。 (もっと読む)


【課題】簡単かつ精度良く、無電解ニッケルめっき液中の硫黄系化合物の濃度を測定し、その濃度を管理する方法およびその管理するシステムを提供する。
【解決手段】濃度管理システム1は、無電解ニッケルめっき液Lに接触する少なくとも表面が、金、銀、または白金からなる作用電極41、対極42、参照電極43、参照電極43に対する作用電極41の電位を制御する電圧制御装置44、及び対極42と作用電極43との間に流れる電流を測定する電流計45を備え、無電解ニッケルめっき液中の参照電極43に対する作用電極41の電位に応じて、作用電極41と対極に流れる電流Iを電流計で測定する電気化学測定装置4と、電流Iに基づいて、硫黄系化合物の濃度を算出し、無電解ニッケルめっき浴2内の硫黄系化合物の濃度を調整する制御信号Sを出力する制御装置5と、制御信号Sに基づいて無電解ニッケルめっき浴2内の硫黄系化合物の濃度を調整する調整装置6と、備える。 (もっと読む)


【課題】無電解スズめっき液から不純物、特に銅濃度を減少させることにより、めっき液を再生する方法、めっき液の管理方法、及びこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】チオ尿素又はチオ尿素化合物を含有する無電解スズめっき液に有機スルホン酸もしくは有機スルホン酸化合物又はこれらの塩を添加し、添加後のめっき液を冷却して析出物を生成させることにより、めっき液中から不純物を除去する。 (もっと読む)


【課題】無電解スズめっき液から不純物、特に銅濃度を減少させることにより、めっき液を再生する方法、めっき液の管理方法、及びこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】チオ尿素又はチオ尿素化合物を含有する無電解スズめっき液を用いて銅又は銅合金に無電解スズめっきを行った後、前記無電解スズめっき液にベンゼンスルホン酸もしくはベンゼンスルホン酸水和物又はこれらの塩を添加して析出物を生成させることにより、めっき液中から不純物を除去する。 (もっと読む)


【課題】 シアン化合物を含まない還元型の無電解銀めっき液において、液安定性の優れた還元型無電解銀めっき液を提供する。
【解決手段】 還元型無電解銀めっき液は、水溶性銀化合物と、還元剤と、下記一般式(1)で表される化合物を液安定剤として含有してなる。ここで、一般式(1)で表される化合物としては、Cas番号68603−67−8の化合物であることが好ましい。
【化1】


(式中、Rはアルキル基又はアリール基を表し、m及びnはそれぞれ1〜3の整数である。) (もっと読む)


【課題】製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する被覆体を提供すること。
【解決手段】導体20の上に設けられる被覆体10であって、導体20側からパラジウムを含む第1の層12と、金を含む第2の層14と、を備え、第1の層12は導体20側に第1の領域31と、第1の領域31よりも第2の層14側に配置された第2の領域32と、を有し、第2の領域32は、第1の領域31よりもリン濃度が高い被覆体10である。 (もっと読む)


【課題】従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積を大きくし、接合箇所の抵抗値を低くして、蓄電デバイスの電圧を減少させることなく有効に供給することができるようにする。
【解決手段】Alからなる陽極電極の接続端子部10a上にZn層21又はZn合金層、Ni層22、Sn層23又はSn合金層がめっきで形成される。これにより、Sn層23又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。また、従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積が大きく、接合箇所の抵抗値が低くなるので、蓄電デバイスの接続抵抗の電圧降下を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、使用時のめっき剥がれに強く(めっきの密着性が高い)かつ、導電性が高い複合粒子の製造方法及び、更に無電解めっきを行う複合粒子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】少なくとも、粒子表面に金属アルコキシ基を有する有機ポリマー粒子(A1)と、粒子表面に金属アルコキシ基を有する金属微粒子(B1)との混合物を加水分解・縮合させることを特徴とする複合粒子の製造方法である。更に無電解めっきを行う複合粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜に良好な密着性及び導電性を備えさせることができる高分子繊維のめっき液並びにこれを用いた高分子繊維のめっき方法及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子繊維のめっき液は、(1)導電性皮膜として形成される金属を含有する成分としてCuSO・5HOを所定量と、(2)キレート剤としてEDTA−4Naを所定量と、(3)pH調整剤としてNaOHを所定量と、(4)還元剤としてHCHOを所定量と、(5)界面活性剤としてノニオン系界面活性剤又はポリエチレングリコールを所定量と、(6)分解抑制剤としてKCN、0−フェナントロリン、ネオクプロイン又は2,2−ビピリジルを所定量と、(7)添加剤としてNiSO4・6HO、CoSO・7HO、ZnSO・7HO、SnSO、及び、NaSn・3HOから選ばれるいずれか一種又は二種以上を所定量とからなる。 (もっと読む)


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