【課題】簡単な制御で被めっき対象の表面に均一に金属薄膜を形成することが可能な無電解めっき装置、無電解めっき方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき装置１のめっき槽２内に無電解めっき液３０が収容される。無電解めっき液３０中に参照電極５および対極６が浸漬される。長尺状基材１０の導体層に電気的に接触するように導通部材４が設けられる。導通部材４、参照電極５および対極６は、ポテンショスタット３に接続される。ポテンショスタット３は、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位が一定になるように、長尺状基材１０の導体層と対極６との間に流れる電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記ＤＮＡ又は前記ＤＮＡ−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない均質なめっき被膜を基板表面に均一な膜厚で形成することを可能とした無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの中心孔に挿通されて複数の基板Ｗを吊り下げた状態で支持する複数の支持ロッド３と、複数の支持ロッド３を互いに平行且つ周方向に並べた状態で支持する支持輪４と、支持輪４の中心部に取り付けられた回転軸５と、回転軸５を回転自在に支持する軸受部材６と、回転軸５を回転駆動する回転駆動機構９とを備え、回転軸５の軸受部材６と対向する外周面に設けられたマグネットと、受部材６の回転軸５と対向する内周面に設けられたマグネットとが互いに同一の極性を有して反発することにより、軸受部材６が回転軸５を非接触状態で回転自在に支持する。 （もっと読む）

【課題】
特に、Ｐ含有量が大きいＮｉ−Ｐ無電解めっき膜の上に形成される無電解めっきによる貴金属めっき膜の析出性及び密着性に優れた電気接点の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
無電解めっき法にてＮｉ−Ｐ無電解めっき膜をめっき形成し、次に、めっき浴中に陰極および陽極を設けて電流を流すことにより、前記Ｎｉ−Ｐ無電解めっき膜の陽極側に向く表面に、バイポーラ現象を利用してＮｉ−ＰからなりＮｉ含有量がＮｉ−Ｐ無電解めっき膜よりも大きいバイポーラめっき膜をめっき形成する。バイポーラめっき膜はＮｉ含有量が大きいため、貴金属めっき膜を無電解めっきするときの表面活性が高く貴金属めっき膜の析出性と密着性に優れた電気接点を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（Ｍ１）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（Ｍ１）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する金属（Ｍ２）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（Ｍ１）塩を、金属（Ｍ２）塩とする金属固定工程と、上記金属（Ｍ２）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきにおいてめっき速度を上げると共に、めっき液の長寿命化を図る。
【解決手段】無電解めっき装置１０には、めっき液１６Ａで満たされた無電解めっき槽１６と、積層体１２のメッシュ状の細線パターンからなる導電性金属パターン１２Ａに電気通電し、無電解めっきの最中に導電性金属パターン１２Ａを加温する電気通電装置２０と、が設けられている。電気通電装置２０には、無電解めっき槽１６の入口側で積層体１２の導電性金属パターン１２Ａに接触するカソード側の給電ローラ２２と、無電解めっき槽１６の出口側で積層体１２の導電性金属パターン１２Ａに接触するアノード側の給電ローラ２４と、が設けられている。給電ローラ２２、２４により導電性金属パターン１２Ａが電気通電され、めっき液中で導電性金属パターン１２Ａ近傍が加温される。 （もっと読む）

【課題】被処理物以外の表面へめっき用金属が析出することを防止した無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき装置１は、無電解めっき液Ｑを液建するめっき槽１０を備えた無電解めっき装置１であって、めっき槽１０の、無電解めっき液と接触する接液部は、無電解めっき液Ｑと接した状態で、無電解めっき液Ｑと接する側に負電荷を帯びる負電荷帯電部１２を有することを特徴とする。無電解めっき液Ｑ中のめっき用金属の陽イオンは、周囲を負イオンで囲まれた錯体として存在している。負電荷を帯びた錯体は、電気的な反発力によって負電荷を帯びた負電荷帯電部１２に接近することができず、負電荷帯電部１２、すなわちめっき槽１０内壁の接液部にめっき用金属が析出することが防止される。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体又は亜臨界流体を用いることで従来のエッチング処理が不要になるとともに、簡略化された工程でメッキ用金属触媒を非金属繊維材料に効率良く均一に付与することができる改良されたメッキ前処理方法および該方法を利用するメッキされた繊維の製造方法、並びに超臨界流体又は亜臨界流体を用いることで無電解メッキ処理を行うことなく非金属繊維の表面に均一な金属皮膜、金属酸化物皮膜又は金属硫化物皮膜を直接形成することができる該皮膜を有する繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】高分子繊維糸条が無芯で又は多孔性管を芯として捲き回されてなる高分子繊維材料を、有機金属錯体を含む超臨界流体又は亜臨界流体に浸漬することにより高分子繊維表面に有機金属錯体を付着させる第１工程と、前記高分子繊維表面に付着した有機金属錯体を還元して活性化させる第２工程とを含んでなる高分子繊維のメッキ前処理方法。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェーハ等の基板の表面に露出した金属表面に磁性膜、特に合金磁性膜を選択的かつ容易に成膜することができるようにする。
【解決手段】基板の表面に露出した金属表面に磁性膜を選択的に成膜する磁性膜成膜装置であって、磁性膜成膜装置２２は、めっき槽４０内のめっき液３８に表面を接触させて配置した基板Ｗの周囲に該基板Ｗと平行な磁場を発生させる磁場発生装置３４を有する無電解めっき装置３６からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソフト溶液プロセスにより膜欠陥部の少ない金属酸化物膜を成膜できる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を液滴化した後、上記金属酸化物膜形成用溶液の液滴を金属酸化物膜形成温度以上に加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材はアースされ、かつ、上記金属酸化物膜よりも導電性が高いものであり、さらに上記液滴を帯電させた状態で上記基材に接触させることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】ヒドラジンを還元剤として用いた無電解ニッケルめっき方法において、めっき速度を向上させる。
【解決手段】ニッケルイオンと還元材としてのヒドラジンとを含有し、ＰＨを弱塩基性領域とした無電解ニッケルめっき液を使用し、めっき浴１００中において、被めっき物２０にめっき浴固有の混生電位のマイナス電位を付加することにより、被めっき物２０に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】埋込み配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成して回収・配線を保護することができるようにする。
【解決手段】フィルタ３０５では取りきれない無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物を磁気力によって除去する磁気除去部３５６，３６２を有し、これにより、無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物が、例えば絶縁膜等の表面に付着して異常析出物が生じることを防止し、しかも無電解めっき液の性質を一定にしてめっき反応を安定させる。 （もっと読む）

【課題】 新規な材料である金属被覆型有機結晶を製造するための方法を提供する。
【解決手段】 可視光照射条件下、有機結晶と、遷移金属塩とを、アルカリ性水溶液中で反応させることを特徴とする金属被覆型有機結晶の製造方法であって、前記有機結晶の価電子帯の頂のエネルギーをＡ（ｅＶ）、前記有機結晶の伝導帯の底のエネルギーをＢ（ｅＶ）とした場合に、前記遷移金属塩を前記アルカリ性水溶液中に溶解させた際の遷移金属の存在形態である遷移金属イオンまたは遷移金属錯イオンの酸化還元電位Ｃ（Ｖ）が、以下の関係式（１）を満たすことを特徴とする。
−Ａ−４．５≦Ｃ≦−Ｂ−４．５ （１） （もっと読む）

【課題】高周波導電性を犠牲にすることなくガラス基板と無電解銅めっき膜との密着性を高める方法を提供する。
【解決手段】平滑な表面を有するガラス基板１を無電解銅めっき浴中に浸漬してガラス基板１の片面に無電解銅めっき膜４を形成する。次いで、ガラス基板１側にマイナス電極１１、無電解銅めっき膜４側にプラス電極１２を押し付けて各電極１１，１２間に電圧を印加し、無電解銅めっき膜４を加熱する （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に適用した場合に、垂直方向の記録磁界を優先的に強め、かつ急峻化することができる軟磁性薄膜、その生産性の高い製造方法、トラック走行方向の磁化応答性に優れた高品質の垂直磁気記録媒体およびこの垂直磁気記録媒体を備えた垂直磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 本軟磁性薄膜は、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有し、錯化剤およびホウ素系還元剤を含有し、金属イオンの濃度比率が、モル単位で、０．１５≦（Ｎｉイオン／全金属イオン）≦０．４０、０．５０≦（Ｃｏイオン量／全金属イオン量）≦０．８０および、０．０５≦（Ｆｅイオン量／全金属イオン量）≦０．１５である無電解めっき浴中に基板を浸漬し、基板面に平行な５〜２０００Ｏｅの範囲の磁場中で無電解めっきを行って得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 界面活性剤の疎水性を電気化学的に増大させることにより界面活性を低下させることを利用した新規な薄膜製造法を提供すること。
【解決手段】 本発明による薄膜の製造方法は、界面活性剤を用いて疎水性物質を水中へ溶解または微粒子として分散させた後、該界面活性剤を還元することにより該疎水性物質を該水中の基板表面に付着させるに際し、該還元により該界面活性剤の疎水性を増大させ、よって該基板表面の近傍において該疎水性物質を脱溶解または脱分散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多ビット磁石タグを製造する既存の技術は、時間がかかり及び／又は高度に画成された磁気素子を製造することができない。
【解決手段】 本発明は、多数の情報ビットを表面に有する磁気タグを製造する方法において、無電界堆積反応で前記表面に磁性材料を堆積することにより前記情報ビットの幾つか又は全部を形成するステップを備えた方法を提供する。
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