【課題】超臨界二酸化炭素などの高圧二酸化炭素と無電解メッキ液とを混合した浴で形成するメッキ膜の品質ばらつきを抑え、これにより量産時においても一定且つ高品質のメッキ膜を形成できる高圧二酸化炭素を用いた無電解メッキ法を提供する。
【解決手段】無電解メッキ液と高圧二酸化炭素とを用いてメッキの対象物をメッキする無電解メッキ法であって、高圧容器内で無電解メッキ液および高圧二酸化炭素をメッキの対象物と接触させて、対象物をメッキすることと、無電解メッキ液からメッキされた対象物を離脱させることと、無電解メッキ液からメッキされた対象物を離脱させた後に、高圧容器から高圧二酸化炭素を排気させることと、を含む高圧二酸化炭素を用いた無電解メッキ法が提供される。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】 一般的な回転バレルめっきのめっき工程においては、駆動系や制御系がめっき浴槽に設置されているため、めっき浴槽が多数にわたる場合は、めっきラインが大型化する。この場合、面積生産性が低いばかりでなく、設備運転費用や設備保全費用が高くなり、少量多品種生産に対応しがたいという問題があった。
【解決手段】 複数のめっき浴槽と、回転バレルと、前記回転バレルの前記めっき浴槽間における搬送手段と、を備えるめっき装置において、前記回転バレルが、回転駆動機構と、回転速度の検出機構と、前記回転速度の検出結果を前記回転駆動機構にフィードバックする回転制御機構と、前記回転バレルが位置する浴槽を認識する機能と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液は、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方と界面活性剤を含み、平均粒径が１００μｍより大きい金属粉末を金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させたものを、超臨界状態又は亜臨界状態で無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を発生させることなく短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１００μｍより大きいものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式で示される化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
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【課題】めっき溶液の解析及び制御のための方法と装置
【解決手段】めっきシステムは、めっき溶液と、めっき溶液の制御のための装置とを含み、装置は、有機成分の測定のためのラマン分光計と、金属成分の測定のための可視光分光計と、ｐＨプローブとを含む。めっき溶液は、連続的に又は間欠的にサンプリングすることができる。めっき溶液の注入は、めっきプロセス中に消費された又は失われた成分の調整を行う。注入の方法は、めっき溶液を所望の組成に維持することに基づいている。 （もっと読む）

【課題】触媒に含まれる貴金属の省資源化を図ると共に、導電性回路を形成する部分に無電解めっきを十分析出させることができる。
【解決手段】第１の基体１を粗化して、ポリ乳酸等からなる被覆材３を部分的に被覆して第２の基体２を形成し、触媒を付与する。被覆材３は疎水性を維持するため、水洗浄で完全に除去できる。次に被覆材３で被覆されていない部分１ｂに、浴組成が酸性または中性の無電解めっきを行なって導電性回路５を形成し、その後にアルカリ性溶液でこの被覆材を加水分解して除去する。被覆材３は耐酸性であるため、酸性または中性の無電解めっき液で溶解しない。また無電解めっき後に被覆材３を除去するため、被覆材３で被覆されていない部分１ｂに付与された触媒が、アルカリ性溶液によって脱落するという従来の問題は生じない。 （もっと読む）

【課題】めっき液の安定化を実現できるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面に無電解めっきを施すめっき処理槽１０と、めっき処理槽１０にめっき液を供給するめっき液供給槽１２と、めっき液供給槽１２内のめっき液を循環させるめっき液循環ライン２２と、めっき液供給槽１２内に配置されたｐＨ検出器３４の検出値を基にめっき液循環ライン２２から選択的に分岐して該めっき液循環ラインに合流するめっき液分岐循環ライン３０を有し、めっき液分岐循環ライン３０には、基板表面と同様な無電解めっき反応が生じる補助反応物を内部に有する補助反応ユニット３２が設置されている。 （もっと読む）

【課題】劣化した無電解メッキ液を交換する時点を正確かつ簡便に検出する無電解メッキ液の管理方法および管理装置を提供する。
【解決手段】金属イオンと還元剤を含む無電解メッキ液を用いたメッキ処理において、メッキ処理の進行により劣化した無電解メッキ液を交換する時点を検出する無電解メッキ液の管理方法であって、前記無電解メッキ液の電気伝導度の変化により無電解メッキ液の交換時点を検出する。無電解メッキ処理の進行により劣化した無電解メッキ液を交換する時点を検出する無電解メッキ液の管理装置であって、前記無電解メッキ液の電気伝導度を測定する測定手段と、測定された電気伝導度の変化により無電解メッキ液の交換時点を検出する検出手段を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ無電解めっきシステムおよびその関連方法
【解決手段】ウエハ無電解めっきのためのドライイン−ドライアウトシステムが開示される。システムは、ウエハ進入／退出工程およびウエハ乾燥工程のための上側ゾーンを含む。上側ゾーンには、乾燥工程を実施するために近接ヘッドが提供される。システムは、また、無電解めっき工程のための下側ゾーンも含む。下側ゾーンは、流体湧昇法(fluid upwelling)によってウエハを浸水させる無電解めっき装置を含む。システムの上側ゾーンおよび下側ゾーンは、二重壁チャンバによって囲われ、ここで、内壁は、化学的に不活性なプラスチックであり、外壁は、構造金属である。システムは、システムに対して必要な化学物質供給および制御を行う流体取り扱いシステムに界接する。システムは、雰囲気制御される。また、システムは、雰囲気制御される管理式移送モジュール（ＭＴＭ）に界接する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ無電解めっきのための方法および装置
【解決手段】半導体ウエハ無電解めっき装置は、プラテンと、流体受けとを含む。プラテンは、ウエハを支持するように定められた上面と、該上面の周囲からプラテンの下表面へ下向きに伸びる外表面とを有する。流体受けは、プラテンとその上に支持されるウエハとを中に収容するために内部表面によって定められた内側空間を有する。流体受けの内部表面とプラテンの外表面との間に当接されたときに液密バリアを形成するために、流体受けの内部表面に沿ってシールが設けられる。電気めっき溶液が盛り上がってプラテンの上を流れ、プラテン上に存在しているときのウエハの上を流れるように、流体受け内で、シールより上方で電気めっき溶液を吐出するために、複数の流体吐出ノズルが位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】ソルダーレジストや下地ニッケルに腐食を生じさせることなく、配線基板に半田接合性やワイヤーボンディング特性が良好な金めっき皮膜を形成できる安全性の高い置換金めっき液を提供する。
【解決手段】金イオンとして０．５−５ｇ／Ｌの水溶性亜硫酸金化合物と、５−２００ｇ／Ｌの亜硫酸及び／又はその塩と、５−５０ｇ／Ｌの水溶性ポリアミノポリカルボン酸及び／又はその塩とを含有し、エチレンジアミン及びタリウムを含まない無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】 水と加圧二酸化炭素とを含む混合溶液を用いて所定の処理を行う際に、より効率よく且つ安定して所定の処理が行える容器を提供する。
【解決手段】 非ポリマー材料で形成された被処理体を水及び加圧二酸化炭素を含む混合溶液で処理するために用いられる容器であって、金属製の容器本体と、容器本体の内壁表面に形成され且つ混合溶液に対して不活性である膜とを備える容器を用いることにより、被処理体に対して、より効率よく且つ安定して所定の処理を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の水平電気めっき電着方法及び水平無電めっき方法を提供すること。
【解決手段】水平電気めっきの設備の一種で、その主要は一組みのめっき液当て板、一組の第一電極、一組のネット状、面状または針状第二電極、電極再生とめっき液回収システムを含む。基板が水平に定位に送り込まれた場合、前述めっき液緩流当て板と接触陰極をもって基板を挟み持って導電を行い、更にめっき液の注入を通じて上側の陽極と接触し、電気めっきの環境を形成して陰極側の基板の片面電気めっきを行い、または電着液の注入を通じて上側の陰極と接触し、電着の環境を形成して陽極側の基板の片面彩色フィルター顔料、染料または導電性フォトレジスト電着を行う。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含有しない環境にやさしく、かつ、安定で均一な銅堆積物をもたらす無電解銅メッキ組成物および無電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一以上の銅イオン源と、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体から選択される一以上のキレート化剤２０〜１５０ｇ／Ｌと、還元剤として１０〜１００ｇ／Ｌのピルブアルデヒドとを含む無電解銅メッキ組成物、および、該組成物を用いる複数のスルーホールを含むプリント配線板の無電解銅メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用し、半導体層の表面に形成された絶縁膜上に誘導共析現象を利用して短時間で均一な金属被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき浴の強アルカリ性への耐性が付与された、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有する導電性膜の形成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記導電性膜の形成方法を用いて形成された導電性膜を提供することにある。
【解決手段】ガラス基材上に、前記ガラス基材と直接化学結合可能な部位を有するラジカル重合開始剤を前記ガラス基材に結合させる工程と、分子内にラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着しうる部位とを有するポリマーを接触し、３２０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光により露光を行う工程と、無電解めっき触媒となる金属イオンを吸着させ、該触媒金属イオンを還元して薄膜を形成した後、無電解めっき処理を行う工程と、を有することを特徴とする導電性膜の形成方法、それを用いた形成された導電性膜。 （もっと読む）

【課題】 様々な種類のポリマー部材の表面に、安価で、高密着強度を有する無電解メッキ膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 表面内部に金属微粒子が含浸したポリマー部材を用意することと、ポリマー部材に高圧二酸化炭素を接触させてポリマー部材の表面近傍を膨潤させることと、ポリマー部材の表面近傍を膨潤させた状態で、高圧二酸化炭素を含み且つメッキ反応が起こる状態にある無電解メッキ液をポリマー部材に接触させて、ポリマー部材にメッキ膜を形成することとを含むメッキ膜の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき溶液中の金属溶液及び還元剤溶液の濃度を測定する方法が開示されている。
【解決手段】ラマン分光器法を用いて、混合した後の無電解めっき溶液中の各溶液の濃度を測定する。溶液をめっき浴に提供する前に各溶液の濃度を測定することにより、個々の溶液の濃度を調整して、各溶液の目標濃度を得ることができる。更に、各溶液は他の溶液と混合する前にラマン分光法を用いて個々に分析することができる。混合前の個々の溶液のラマン分光法測定値に基づいて、各溶液を形成する個々の成分を混合前に調整して目標の成分濃度を得ることができる。 （もっと読む）