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Fターム[4K022DB25]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 測定、検出 (529)

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温度 (181)
液量 (10)
液濃度 (158)
被膜厚、被覆速度 (115)

Fターム[4K022DB25]に分類される特許

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【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】金属膜の金属の粒成長開始温度以上の酸化雰囲気での熱処理をおこなった場合でも基板への密着が維持される、2μm未満の膜厚を有する金属被膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板上に無電解めっきにより作製された貴金属被膜であって、Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir及びAuからなる群から選択された少なくとも1種の金属を主成分として含有するマトリクス金属と、セラミックス微粒子とを含み、2μm未満の膜厚を有する貴金属被膜を提供する。 (もっと読む)


【課題】めっき液中のアンモニア成分の濃度を一定に維持してめっき液を循環して使用することができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を回転保持する基板回転保持機構110と、基板2にめっき液35を供給するめっき液供給機構30と、を備えている。このうちめっき液供給機構30は、基板2に供給されるめっき液35を貯留する供給タンク31と、めっき液35を基板2に吐出する吐出ノズル32と、供給タンク31のめっき液35を吐出ノズル32へ供給するめっき液供給管33と、を有している。また供給タンク31には、アンモニアガス貯留部170が接続され、供給タンク31に貯留されためっき液35中のアンモニア成分の濃度を目的の濃度範囲に保つ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に対する密着性に優れる金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、無電解めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する無電解めっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法であって、無電解めっき液の銅電極を用いて測定した混成電位と、無電解めっき触媒が付与された被めっき層の表面電位との差が0.1V以下であり、被めっき層の表面粗さが200nm未満である、金属膜を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面に銅層が被覆された白金粒子を少なくとも含む触媒を、外部電源を用いることなく、容易に量産することができる触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオンを含む酸水溶液を、白金担持導電体3aで懸濁した懸濁液11に銅材10を浸漬し、白金粒子32の表面に銅層を析出させる析出工程S21と、析出工程S21における白金粒子の表面の銅層の析出状態を評価する評価工程S20と、を含む。評価工程S20は、参照極16と、白金からなる作用極14とを懸濁液11に浸漬する浸漬工程S22を含み、作用極S11の表面に銅層を析出させながら、参照極16に対する作用極14の電位が一定電位となるまでの時間を測定する測定工程S23と、測定後の作用極に析出した銅層を除去する除去工程S24とからなる一連の工程を、繰り返し行い、繰り返し行われる前定工程S23における測定時間毎の変化量に基づいて、析出工程S21を終了する。 (もっと読む)


【課題】被めっき対象の導通部およびその導通部から電気的に分離された独立部の表面に均一に金属薄膜を形成することが可能な無電解めっき装置、無電解めっき方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき装置1のめっき槽2内に無電解めっき液30が収容される。無電解めっき液30中に参照電極5および対極6が浸漬される。長尺状基材10の導通部に電気的に接触するように導通部材4が設けられる。導通部材4、参照電極5および対極6は、ポテンショスタット3に接続される。主制御装置8は、ポテンショスタット3により参照電極5の電位を基準とする長尺状基材10の導通部の電位が参照電極5を基準とする独立部の電位に等しくなるように、長尺状基材10の導通部の電位を制御する。 (もっと読む)


【課題】簡単な制御で被めっき対象の表面に均一に金属薄膜を形成することが可能な無電解めっき装置、無電解めっき方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき装置1のめっき槽2内に無電解めっき液30が収容される。無電解めっき液30中に参照電極5および対極6が浸漬される。長尺状基材10の導体層に電気的に接触するように導通部材4が設けられる。導通部材4、参照電極5および対極6は、ポテンショスタット3に接続される。ポテンショスタット3は、参照電極5の電位を基準とする長尺状基材10の導体層(作用電極)の電位が一定になるように、長尺状基材10の導体層と対極6との間に流れる電流を制御する。 (もっと読む)


【課題】簡単かつ精度良く、無電解ニッケルめっき液中の硫黄系化合物の濃度を測定し、その濃度を管理する方法およびその管理するシステムを提供する。
【解決手段】濃度管理システム1は、無電解ニッケルめっき液Lに接触する少なくとも表面が、金、銀、または白金からなる作用電極41、対極42、参照電極43、参照電極43に対する作用電極41の電位を制御する電圧制御装置44、及び対極42と作用電極43との間に流れる電流を測定する電流計45を備え、無電解ニッケルめっき液中の参照電極43に対する作用電極41の電位に応じて、作用電極41と対極に流れる電流Iを電流計で測定する電気化学測定装置4と、電流Iに基づいて、硫黄系化合物の濃度を算出し、無電解ニッケルめっき浴2内の硫黄系化合物の濃度を調整する制御信号Sを出力する制御装置5と、制御信号Sに基づいて無電解ニッケルめっき浴2内の硫黄系化合物の濃度を調整する調整装置6と、備える。 (もっと読む)


【課題】めっき液中の溶存酸素および溶存水素が効率的に除去されるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を回転保持する基板回転保持機構110と、基板2にめっき液35を供給するめっき液供給機構30と、を備えている。このうちめっき液供給機構30は、基板2に供給されるめっき液35を貯留する供給タンク31と、めっき液35を基板2に吐出する吐出ノズル32と、供給タンク31のめっき液35を吐出ノズル32へ供給するめっき液供給管33と、を有している。また供給タンク31には、供給タンク31に接続され、供給タンク31に貯留されためっき液35中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段34が設けられている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法に関する。
【解決手段】本発明に係るスズ合金形成用メッキ液は、インジウム又は亜鉛を含む一つ以上の金属塩と、スズ塩と、当該金属塩の金属イオン及び当該スズ塩のスズイオンに電子を伝達して被メッキ物上にスズ合金皮膜を形成する水素化ホウ素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤とを含む。 (もっと読む)


【課題】緻密かつ均一な錫被膜を形成することができる無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明は、無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法に関し、本発明による無電解錫還元めっき液は、錫イオンと2個以上のカルボキシ基を有するリガンドとが結合した錫塩、及び前記錫イオンに電子を伝達して被めっき物上に錫被膜を形成する水素化硼素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤を含む。 (もっと読む)


【課題】めっき液に直接的に変化を与えることなく、リアルタイムで活性度を測定することができるめっき液の活性度測定装置及び方法を提供する。
【解決手段】めっき液120の活性度測定装置100は、めっき対象体のめっきのためのめっき液を収容するめっき浴110;前記めっき液に含浸されて本体にめっきが行なわれて、印加された信号電圧によって前記めっき液及び前記本体の表面に流れる電流を測定する第1電極130;前記めっき液に含浸されて前記第1電極から電流を流入したり前記第1電極に電流を流出する第2電極140;前記第1電極に印加される前記信号電圧を一定に維持するように制御する第3電極150;前記第1電極で測定された電流からインピーダンス値を測定するインピーダンス測定部160;及び前記測定されたインピーダンス値の変化を時間によって表示する処理部170;を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】置換スズめっき処理について、銅素材の過剰浸食は、実際に被めっき物に置換スズめっきを実施し、そのスズ皮膜を剥離しなければ判定できなかった。また、次亜りん酸の浴内濃度低下やめっき老廃物の浴内蓄積が進行した場合においては、めっき液を更新することでしか銅素材の過剰浸食を回避する手段がなかった。
【解決手段】置換スズめっき液の管理方法及び再生処理装置を用いることで、置換スズめっきによる被めっき処理物の銅素材の過剰浸食の発生有無を推測することができ、また老廃物によるスズめっき皮膜への影響を最小限にしつつ、次亜りん酸濃度を定量補給することで銅素材の過剰浸食を抑制することができるものである。 (もっと読む)


【課題】より小さな気泡を安定して発生させることができる気泡発生用部材を提供する。
【解決手段】 気孔同士が連通して形成された複数の貫通孔を有するセラミックスの多孔質体と、該複数の貫通孔の内表面にそれぞれ設けられた撥水層または撥油層とを有する。複数の貫通孔は、多孔質体の外表面に位置する開口部をそれぞれ有し、外表面において、複数の前記開口部の間にセラミックスの結晶が露出している。 (もっと読む)


【課題】優れた電気導電性を有し、かつ凝集性が少なく、Ni被膜の厚みが均一な、Niメッキ粒子を提供する。
【解決手段】芯材粒子の表面に無電界Niメッキ法によりNi被膜を設けたNiメッキ粒子において、Ni被膜中の厚み方向のP含有量を、芯材粒子側からNi被膜表面側に漸減させる。具体的には、EDXにより求めた、Ni被膜中のPとNiの含有比P/Niを、芯材粒子側界面からNi被膜の厚みの10%以下の領域で0.15<P/Ni<0.40とし、Ni被膜表面からNi被膜の厚みの10%以下の領域で0.02<P/Ni<0.15とし、それらの領域に挟まれた中央部の領域で0.05<P/Ni<0.20とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のしきい値電圧特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】半導体基板2の表面にアルミニウム電極3を形成する。次いで、半導体基板2の表面にジンケート処理を行った後、水洗処理を行う。次いで、無電解めっき処理を行い、アルミニウム電極3の表面にニッケルめっき層5および金めっき層6をこの順で形成する。ジンケート処理後の水洗処理により、アルミニウム電極3の表面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を9.20×1014atoms/cm2以下にする。無電解ニッケルめっき浴中のナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を3400wtppm以下とする。このように作製された半導体装置1の、ニッケルめっき層5およびニッケルめっき層5とアルミニウム電極3との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は3.20×1014atoms/cm2以下である。 (もっと読む)


【課題】複数の被めっき物をめっきしつつ、被めっき物に対するめっき液の温度及び所定成分の濃度のばらつきを低減でき、且つ廃液量の削減を図ることが可能な無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】制御装置31は、第1〜第5のめっき槽2,3,4,5,6のうち補給対象となる1つのめっき槽に対応する分析用バルブを開状態に設定するとともに分析用ポンプを駆動し、1つのめっき槽内のニッケルめっき液33を分析部41に供給し、分析部41の分析結果に基づいて1つのめっき槽内のニッケルめっき液33中の所定成分の濃度を所定の濃度にするために加える補給液の供給量を算出し、算出した供給量の補給液を1つのめっき槽に供給する分析補給処理を実行する。制御装置31は、予め定められた補給順序に従って補給対象となるめっき槽を順次変更して分析補給処理を繰り返して実行する。 (もっと読む)


【課題】処理液に含まれる成分の濃度を適切に制御し、当該処理液を用いた被処理物の均一な表面処理を提供する。
【解決手段】メッキ液を用いてウエハ13を表面処理する無電解メッキ装置100は、処理槽1及び循環ライン3内を循環するメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第1濃度計4と、第1の濃度計とは異なる位置におけるメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第2濃度計5と、第1濃度計4及び第2濃度計5が検出した成分濃度又はこれらの成分濃度差が、所定の目標値になるように、処理槽1内及び循環ライン3内のメッキ液の流量を調整する制御部14とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、1枚の基板処理に必要なpH調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるpH調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を1枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるpH調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板1枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、無電解ニッケルメッキ廃液を浄化するための従来の酸化方法の問題点を排除して、簡便な装置を用い低コストで効果的な方法により、無電解ニッケルメッキ廃液の浄化と、ニッケルおよびリン酸塩を回収して再資源化する方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルメッキ廃液からニッケルイオンを分離する第一工程と、第一工程で得られた分離液中の次亜リン酸イオンを酸化触媒により亜リン酸イオンに酸化する第二工程と、第二工程で得られた亜リン酸イオンを酸化触媒により正リン酸イオンに酸化する第三工程および、第三工程で得られた正リン酸イオンをリン酸塩に転換してろ過分離することにより、リン濃度が16mg/l以下の廃液に浄化し、リン酸をリン酸塩として回収する第四工程とからなることを特徴とする無電解ニッケルメッキ廃液の浄化方法である。 (もっと読む)


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