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Fターム[4K022DB30]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | その他の手段 (175)

Fターム[4K022DB30]に分類される特許

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【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、めっき液を含む薬液の持ち出し量を低減させて洗浄工程での洗浄時間を短縮させ、しかも、めっき液循環ラインの内部等のフラッシングを容易かつ迅速に行うことができるめっき装置の提供。
【解決手段】めっき前処理を行うめっき前処理槽60を有するめっき前処理モジュール64と、基板表面に無電解めっきを行うめっき槽66,72を有するめっきモジュール70,76と、めっき前処理モジュール64とめっきモジュール70,76の間で基板を搬送するモジュール間基板搬送装置86を有し、めっき前処理槽は、めっき前処理液の温度調節機能を備えためっき前処理液循環ラインを有し、めっき槽は、フィルタとめっき液の温度調節機能を備えためっき液循環ラインを有し、めっき液循環ラインは、めっき液循環ライン及びめっき槽の内部をフラッシングするフラッシングライン114,122に接続されている。 (もっと読む)


【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】無電解スズめっき液から不純物、特に銅濃度を減少させることにより、めっき液を再生する方法、めっき液の管理方法、及びこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】非イオン性界面活性剤並びにチオ尿素もしくはチオ尿素化合物を含有する無電解スズめっき液に芳香族有機スルホン酸もしくはその塩を含む添加剤を添加し、冷却下で析出物を生成させることにより、めっき液中から不純物を除去する。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で、均質かつ緻密なアルミニウム膜を形成する。
【解決手段】第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体および有機溶媒を含有するアルミニウム膜形成用組成物を、金属酸化物層の表面に塗布して、塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、前記塗布膜に対して、加熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行い、アルミニウム膜を形成するアルミニウム膜形成工程と、を含むアルミニウム膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】めっき液の反応速度を向上させることにより、基板1枚あたりのめっき処理時間を短縮することが可能なめっき処理方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板2の表面に前処理液が残っている状態で、基板2を第1回転数で回転させ、基板2にめっき液を供給することにより液置換を行う(液置換工程S305)。次に、基板2にめっき液を供給し続けた状態で、基板2を停止または第2回転数で回転させて、基板2に初期成膜を行う(インキュベーション工程S306)。その後、基板2にめっき液を供給し続けた状態で、基板2を第3回転数で回転させて、めっき膜を成長させる(めっき膜成長工程S307)。第1回転数は、第3回転数より回転数が高く、第3回転数は、第2回転数より回転数が高い。 (もっと読む)


【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を保持して回転させる基板回転保持機構110と、基板回転保持機構110に保持された基板2に向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30と、基板回転保持機構110およびめっき液供給機構30を制御する制御機構160と、を備えている。吐出機構21は、基板2に向けてめっき液を吐出する吐出口41を含む第1ノズル40と、第1ノズル40の吐出口よりも基板2の中心部に近接するよう位置することができる吐出口46を含む第2ノズル45と、を有している。まためっき液供給機構30は、第1ノズル40に供給されるめっき液の温度が第2ノズル45に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】優れた触媒活性を有する触媒微粒子の製造方法、及びカーボン担持触媒微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】内部粒子と、白金を含み当該内部粒子を被覆する最外層とを備える触媒微粒子の製造方法であって、酸素欠陥を有しない第1の金属酸化物からなる微粒子を含む逆ミセルの分散液を準備する工程、白金イオンを含む逆ミセルの分散液を準備する工程、並びに、少なくとも、前記第1の金属酸化物からなる微粒子を含む逆ミセルの分散液、前記白金イオンを含む逆ミセルの分散液、及び犠牲剤を混合し、当該混合物にマイクロ波を照射することにより、前記第1の金属酸化物からなる微粒子の少なくとも表面を、酸素欠陥を有する第2の金属酸化物に還元し、且つ、当該第2の金属酸化物上に、前記白金イオンが還元されてなる白金を含む最外層を形成する還元工程を有することを特徴とする、触媒微粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】被めっき対象の導通部およびその導通部から電気的に分離された独立部の表面に均一に金属薄膜を形成することが可能な無電解めっき装置、無電解めっき方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき装置1のめっき槽2内に無電解めっき液30が収容される。無電解めっき液30中に参照電極5および対極6が浸漬される。長尺状基材10の導通部に電気的に接触するように導通部材4が設けられる。導通部材4、参照電極5および対極6は、ポテンショスタット3に接続される。主制御装置8は、ポテンショスタット3により参照電極5の電位を基準とする長尺状基材10の導通部の電位が参照電極5を基準とする独立部の電位に等しくなるように、長尺状基材10の導通部の電位を制御する。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第1のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第1の層を形成し、第2のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第1の層中の孔および第1の層上に第2の層を充填形成し、表面が平坦な上層部110を形成する。 (もっと読む)


【課題】無電解めっきの析出速度を低下させることなく、効率よく、信頼性の高いめっき処理を行なえ、さらにコストを抑えることが可能なめっき装置およびめっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき槽13と、めっき槽13内には無電解めっきにてプリント配線基板15にめっきを施すめっき液3が充填された無電解めっき装置1であって、めっき槽13上面には蓋材7が設けられ、蓋材7には基板15が通過するためのスリット9が設けられ、蓋材7の液面側と、めっき液3の液面とで囲まれた空間11には不活性ガスが充填されていることを特徴とするめっき装置である。 (もっと読む)


【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を回転保持する基板回転保持機構110と、基板回転保持機構110に保持された基板2に対してめっき液35を供給するめっき液供給機構30と、を備えている。また、基板回転保持機構110に保持された基板2に対して物理力を印加することにより基板2を洗浄する物理洗浄機構70が設けられている。物理洗浄機構70は、基板2が乾燥されるよりも前に基板2に対して物理力を印加することにより、基板2上のめっき膜からデフェクトを除去する。 (もっと読む)


【課題】銅の高原子価化合物から金属銅膜を製造する組成物、金属銅膜の製造方法、および金属銅膜を提供する。
【解決手段】銅化合物;直鎖、分岐または環状の炭素数1から18のアルコール類;VIII族金属触媒;バインダー樹脂;バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス;水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。
また、銅化合物;直鎖、分岐または環状の炭素数1から18のアルコール類;VIII族金属触媒;バインダー樹脂;バインダー樹脂硬化剤;銅錯体およびレオロジー調整剤から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス;水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】微量な粘性流体の安定した供給を可能とする。
【解決手段】先端が吐出口7である細く長い孔9を備えたノズル本体3を備え、粘性液体供給装置に用いられて吐出口7から接着剤を吐出させる粘性液体供給ノズル1を、潤滑性メッキ液を収容したメッキ槽内に浸して無電解メッキを行い、少なくとも吐出口7内外に潤滑性メッキ層11を形成し、又は、ノズル本体3の基端に広口部5を備え、潤滑性メッキ液を収容したメッキ槽内に浸して広口部5に前記潤滑性メッキ液を収容し、広口部5から潤滑性メッキ液を加圧又は重力によりノズル本体3の細く長い孔に流通させて吐出口7から吐出させ少なくとも吐出口7内外に潤滑性メッキ層11を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】無電解めっきにおけるめっき液中の金属性副次生成物の発生状況を把握することで、めっき液のろ過を効率的に行うことができ、ろ過機の損傷も防止することができる無電解めっき液ろ過機制御装置を提供する。
【解決手段】めっき液Mを入れて無電解めっきを行うめっき槽20と、めっき液の出入り可能にめっき槽に繋がれてめっき液中に発生する金属性副次生成物のろ過を行うめっき液ろ過機30と、めっき槽内のめっき液に挿入される陰極軸40と、めっき槽及び陰極軸に接続されめっき槽内に電位差を与えると共にめっき槽内の電流量の変動を検知することでめっき槽内のめっき液中の金属性副次生成物の発生状況を監視する監視装置50と、監視装置で監視されためっき槽内のめっき液中の金属性副次生成物の発生状況に応じてめっき液ろ過機の運転を制御する制御盤60とを有する無電解めっき液ろ過機制御装置10とした。 (もっと読む)


【課題】 流体中で稼動するポンプや船舶用プロペラなどの機能部品の表面に無電解ニッケル−リンめっき層を生成して、耐キャビテーション・エロージョン性を向上させるのに好適な、無電解ニッケル−リンめっき処理方法及び無電解ニッケル−リンめっき処理した機能部品を提供すること。
【解決手段】 金属材料からなるめっき対象物の表面に無電解ニッケル−リンめっきを施すめっき工程と、前記無電解ニッケル−リンめっきのリンの含有量に応じて熱処理温度を選択する選択工程と、前記選択工程で選択された熱処理温度に従って前記無電解ニッケル−リンめっきの施されためっき対象物に熱処理を施す熱処理工程を備え、熱処理工程による無電解ニッケル−リン層の硬度の析出硬化等により耐キャビテーション・エロ−ジョン性を向上させる。 (もっと読む)


【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー17内において、半導体基板28の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板28の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー17とは異なる反応チャンバー18内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板28の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板28の表面に膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤/銅イオン=1.0〜500の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のpH4〜6における安定度定数が8.5以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】洗浄および無電解銅めっき液などの表面処理において、微細化した貫通スルーホールおよび非貫通バイアホールに処理液を供給し処理液の供給不足による銅めっき欠損などの不具合発生を抑える。
【解決手段】本発明は、洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理において、装置コストの安い洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理を行なうバーチカル方式を使用し、処理液を微細な貫通スルーホール、非貫通バイアホールに処理液を供給するため、カゴに銅張り積層板と、処理液の流れを制御するための、取付け、取外し可能な整流板を配置し処理する。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の端子部分のように、基材上に設けた金属微細パターンの表面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができる金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、さらに、当該製造方法によって品質に優れためっき処理面を有する、金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下地となる樹脂からなる支持表面に設けられた溝に、金属微細パターンの下部を埋め込み、当該金属微細パターンの溝の表面と接していない部分に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う工程を含み、前記メッキを行う領域における支持表面からの突出高さXと、パターン間の最小距離をYの比(X/Y)が0.8未満となるようにする金属微細パターン付き基材の製造方法。 (もっと読む)


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