【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚（メッキ厚）の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】改善されたレベリング性能および改善された均一電着性を有する金属メッキ組成物が必要とされている。
【解決手段】基体上に金属をメッキするための金属メッキ組成物が開示される。金属メッキ組成物は、金属メッキ組成物のレベリングおよび均一電着性に影響を及ぼす化合物を含む。基体上に金属を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】析出効率を高く安定に維持することができ、クラックの発生が実用上問題にならないくらいに少なくて、良好なめっき皮膜を形成することのできるめっき方法を提供すること。
【解決手段】陰極側と陽極側の溶液を隔膜で分離し、陰極側に可溶性イリジウム塩を含有するめっき液を用い、陰極側の部材表面をめっきすることを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

本発明は基板上に乳濁液および／あるいは分散液形成物あるいは湿潤剤で構成される電解液から基板上に艶消し金属層を堆積する電解液及び工程に関する。本発明に従えば、異なった艶消しの程度を持つ多くの金属がポリアルキレン酸化物あるいはその誘導体、フッ化あるいはペルフッ化の疎水性鎖を持つ湿潤剤、あるいはポリアルキレン酸化物により置換された第４級アンモニウム化合物の添加の方法により電解液内の乳濁液および／あるいは分散液の形成によって製造される。さらに、テトラフルオロエチレン粒子は堆積された艶消し金属の表面の性質を変えるため電解質に添加される。 （もっと読む）

【課題】 高い陰極電流密度で高い陰極電流効率を長く安定に維持でき、良好な皮膜が得られる実用的で安定なイリジウムめっき液及びイリジウムめっき方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲンを含む可溶性イリジウム塩およびアルコール類を含有し、好ましくは硫酸塩、硝酸塩、およびハロゲン化水素酸塩のうち少なくとも１種を含むイリジウムめっき液、およびアノードとカソードの間に隔膜を備えためっき槽中で上記アルコール類添加、またはアルコール類および硫酸塩、硝酸塩、およびハロゲン化水素酸塩を添加したイリジウムめっき液によりイリジウム被膜を形成する電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、微細な溝や孔などのパターンの部位にメソポーラス金属膜を、制御された状態で、定常的に、均一に形成する方法を提供することである。
【課題を解決する手段】
リオトロピック液晶を形成する界面活性剤に、純水に溶解した金属イオン源を加えた溶液を作成し、その溶液を水溶性の揮発性有機溶媒で希釈し、その希釈した溶液を基板に塗布して、前記溶媒を揮発させ、リオトロピック液晶を形成させ、形成されたリオトロピック液晶の周囲に存在下において金属を析出させてから、前記リオトロピック液晶を除去することを特徴とするメソポーラス金属膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ゲート誘電体等の誘電体の上に直接ゲート金属または他の導体材料または半導体材料を電気めっきするための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、基板、誘電体の層、および電解液または溶融物を選択することを含み、基板、誘電体層、および電解液または溶融物の組み合わせによって、基板から誘電体層を介して電解液または溶融物へと電気化学電流を流すことができる。また、誘電体貫通電流を用いて誘電体の電気化学的な変更を行うための方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 作業環境を良好に維持して安全に作業することができ、電流効率を高く保持して安定かつ短時間にメッキ処理を行うことができる部分メッキ装置を提供する。
【解決手段】 部分メッキ装置１において、不溶性陽極１１は、壁部に外部と中空部を連通する多数の気孔を有する中空体構造であり、隔膜１２により密着して被包されており、さらに隔膜１２の外周に密着してメッキ液保持体１３が周設されている。これにより、メッキ処理中に陽極１１表面で発生した電解ガスは、気孔１１１から捕集され中空部１１２を通じて系外に排気されるとともに、隔膜１２により陽極酸化等が抑制され、高い電流効率が得られる。 （もっと読む）