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Fターム[4K023AB34]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 被膜−合金被膜 (477) | 炭素族金属を基とする合金の (73) | Sn基の (70) | Snを50重量%より多く含有する合金の (35)

Fターム[4K023AB34]に分類される特許

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【課題】生理活性化作用のある光を発生する発光装置を提案すること。
【解決手段】天然に存する薬石の抽出液が触媒として添加されたメッキ液を用いて加工したメッキ製品を懐中電灯などの発光装置の給電回路部品として用いる。発光装置の光源ランプからは薬石特有の波動振動を有する光が発生し、この光を生体に当てると、その波動が生体の細胞の活性化等の効果をもたらす。メッキ液用添加剤は、ミネラル鉱石、多元素共存特殊天然鉱石、トルマリン等の薬石に含まれているミネラル成分を含み、ミネラル成分には、少なくともカルシウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、ケイ素、塩素イオン、および、硫酸イオンが含まれている。ミネラル成分は、薬石を粉砕し、粉末状になるまで細かくすりつぶした後、この粉末を水と混合して攪拌し、濾過することにより得られたものである。 (もっと読む)


【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングを提供すること。
【解決手段】Znに加え、主要合金元素としてSbとCuの少なくとも1つと、所望によりPb及び/又はBiを含有し、製造工程中にそれらの元素により生じる不可的不純物を含有するスズベースの合金から作製され、Sbが最大20重量%、Cuが最大10重量%、PbとBiの合計が最大1.5重量%、CuとSbの合計が2重量%〜22重量%であり、スズが金属間相の形で且つβスズ結晶粒を有するスズ相として存在し、スズベースの合金中のβスズ結晶粒が少なくとも1つの優先配向を有し、少なくとも1組のネットワークレベルM{hkl}の次式


による配向指数M{hkl}が3.0以上であり、I{hkl}は減摩コーティングの{hkl}面のX線回折強度、I0{hkl}は完全無配向スズ粉末サンプルのX線回折強度を表す、多層構造摩擦軸受用の減摩コーティング。 (もっと読む)


【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングの提供。
【解決手段】本発明は、Snに加えて、Sb及びCuのうちの少なくとも1つの他の元素と、所望によりPb及び/又はBi、また所望によりZr、Si、Zn、Ni及びAgのうちの少なくとも1つの元素を含有するスズベースの合金から作製され、Sbが最大で20重量%、Cuが最大で10重量%、Pb及びBiの合計が最大で1.5重量%、Cu及びSbの合計が少なくとも2重量%、Zr、Si、Zn、Ni及びAgの合計が最大で3重量%であって、スズが金属間相の形で結合され且つβスズ結晶粒を有するスズ相として自由に存在している減摩コーティング(4)に関する。βスズ構造のスズ結晶粒は、式K=A/(S+3*C+O)に基づいて計算されたμm単位の平均粒度を有し、スズベースの合金中のβスズ構造のスズ結晶粒はいずれの場合も少なくとも2.5μmの平均結晶粒度を有する。 (もっと読む)


【課題】優れた耐熱性を有するとともに、腐食が生じにくいめっき付き銅条材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Cu系基材の表面に複数のめっき層を有し、その表層部分を構成する平均厚さ0.05〜1.5μmのSn又はSn合金からなるSn系めっき層4の上に、硬度が10〜20Hvで平均厚さが0.05〜0.5μmに形成したSn−Ag被覆層5が形成され、該Sn−Ag被覆層5は、Sn粒子11とAgSn粒子12とを含み、Sn粒子11の平均粒径が1〜10μmで、AgSn粒子12の平均粒径が10〜100nmである。 (もっと読む)


【課題】 広い電流密度範囲での均一性等の向上と、良好な皮膜外観やハンダ付け性を達成し、バレルメッキに際して、導電性媒体や被メッキ物同士の凝集を防止する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。化合物(C)を含有するため、広い電流密度範囲で皮膜の均一性や平滑性を向上でき、皮膜外観やハンダ付け性に優れ、当該浴をバレルメッキに適用すると、導電性媒体同士の凝集を防止できる。 (もっと読む)


【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】電解質溶液中に第一スズイオンを補給する改良された方法を提供する。
【解決手段】酸化第一スズを含む酸性溶液を用いて、水性電解めっき浴中にスズおよび合金形成金属を補給する方法が開示される。スズまたはスズ合金の電気めっき中に第一スズイオンおよび合金形成金属イオンが枯渇する。継続的かつ効果的な電気めっきプロセスを維持するために、スズおよびその合金形成金属を含むめっき浴の所定量がベールアウトされる。ベールアウトは、次いで、酸化第一スズおよび任意の合金形成金属を含む酸性溶液の所定量と混合される。その混合物は、次いで、めっき浴に戻されて、第一スズイオンおよび合金形成金属イオンをその定常状態濃度に戻す。 (もっと読む)


【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第4周期から第6周期の第VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA属から選ばれた金属(例えば、銀、銅、ビスマスなど)の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ベンゾアゾール環の2位のメルカプト基にC3〜C6アルキレンが結合した特定の2−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記C3〜C6アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 (もっと読む)


【課題】Sn合金めっきのSn成分補給を低コストで行える方法と、この方法に用いる、めっき液中のスラッジ発生を抑制することができるSn合金めっき処理装置を提供する。
【解決手段】SnとSnより貴なる元素からなるSn合金のめっき液21に2価のSnイオンを補給する方法において、酸又は酸性めっき液に対して易溶性のある酸化第1錫粉末を直接めっき液中に添加することを特徴とする。このSn成分を補給するに際して、専用のSn合金めっき処理装置20を用い、Sn合金めっき液21中の溶存酸素濃度を測定する溶存酸素濃度計41の測定値に応じてめっき液中に吹き込む不活性ガス流量を制御して電解めっきを行う。酸化第一錫粉末は平均粒径がD50値で10〜20μmの範囲内であり、かつタップ密度が0.6〜1.2g/cm3であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基体上のスズ及びスズ合金の高速電気スズめっきに有用な、析出用電解質組成物を提供する。
【解決手段】基体上のスズ及びスズ合金の析出用電解質組成物が、スズハライド、硫酸スズ等から選択される1以上のスズ化合物、アルカリスルホン酸、硫酸等から選択される1以上の酸性電解質及び、カルボキシメチル化ポリアチレンイミン等から選択される1以上のカルボキシアルキル化ポリアルキレンイミン化合物を含む電解質組成物である。 (もっと読む)


【課題】改善された使用性能を有する滑り軸受層を提供する。
【解決手段】滑り層は合金成分スズ、アンチモンおよび銅を含む合金から形成され、前記成分の割合が、アンチモン:5〜20重量%、銅:0.5〜20重量%、残部:スズであり、ここで、鉛の含有量が<0.7重量%、他の成分の総含有量が<0.5重量%であり、滑り軸受層においてスズ結晶が主に球状であることを特徴とする。この滑動要素は、湿潤剤として好ましくは10〜30のエトキシ化度を有するC1315−オキソアルコール、C1618−脂肪族アルコールまたはC13−オキソアルコールを含み、大きな分子の助剤の添加により析出組成および析出速度が調節される電解液を用いた電着よる。 (もっと読む)


【課題】固形物の析出が少なく、長時間に亘り保存安定性がよく、製品にクラックやウィスカーが生じ難く、接合強度に優れた錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液及びこれを用いて形成された錫−銀−銅−ニッケル含有めっき被膜を提供する。
【解決手段】スルホン酸類を溶かした水を主体とする媒体に、錫イオンを主体とし、銀イオン及び銅イオンを含み、更に微量のニッケルイオンを含む錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液であって、錫イオンの濃度が0.15〜1.5mol/L、銀イオンの濃度が0.001〜0.05mol/L、銅イオンの濃度が0.001〜0.01mol/L、ニッケルイオンの濃度が0.0000001〜0.000004mol/Lである。 (もっと読む)


【課題】ノーシアンタイプの銅−錫合金めっきでの課題である2μm以上の厚膜時においても、連続的な衝撃による皮膜の剥離あるいは割れのない連続衝撃性に強いノーシアンタイプの銅−錫合金めっきの製造方法の提供。
【解決手段】(1)金属あるいは表層に金属層を有するセラミックの中から選ばれる素材に、または(2)表層に金属層を有するプラスチックの中から選ばれる素材に、少なくとも可溶性銅塩及び可溶性錫塩、有機酸及び/または無機酸及び/またはこれらの可溶性塩、特定の添加剤(光沢剤)から構成されるシアンを含有しない銅−錫合金めっき浴中で、電気めっきを施した後、上記(1)及び(2)で異なる特定の条件でベーキング処理することを特徴とする耐連続衝撃性に優れた、銅−錫合金めっきの製造方法。 (もっと読む)


【課題】被めっき物同士の固着を低減する、錫または錫合金めっき液に有用な添加剤、およびそれを用いた錫または錫合金めっき液を提供する。
【解決手段】水酸基含有炭化水素化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物とグルタルアルデヒドとの反応生成物とアミン化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物から得られる添加剤、およびそれを含有することを特徴とする錫または錫合金めっき液。 (もっと読む)


【課題】錫−銅合金、錫−銀合金および錫−銅−銀合金から選ばれた錫合金電気めっき皮膜に見られるウイスカ発生を、リフロー処理を利用せずに抑制する。
【解決手段】使用する電気めっき浴にボイド形成剤を含有させることによりめっき皮膜に微小なボイドを導入して、皮膜を軟質化する。錫−銅合金めっき皮膜の場合、ボイドを含有しないめっき皮膜のビッカース硬度を100%として、ビッカース硬度が80〜95%になるようにボイドを導入する。 (もっと読む)


【課題】はんだ濡れ性に優れ、微小部分のはんだ接続に対しても接続信頼性の高いはんだめっきを提供すること。
【解決手段】錫または錫に、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム、金、銀、銅、ニッケルからなる群より選択される少なくとも一種の金属を含む合金中に、フラックス活性を有する化合物を含有し、また、前記フラックス活性を有する化合物は、分子中にカルボキシル基とフェノール性ヒドロキシル基が少なくとも1つ以上有し、さらに、前記フラックス活性を有する化合物が、めっき皮膜中に5〜30%含有することを特徴とするめっき。 (もっと読む)


Sn2+イオン源、Agイオン源、チオ尿素化合物及び/或いは第4級アンモニウム塩の界面活性剤を含む電解メッキ浴にバンプ下冶金構造を曝し、Sn−Ag合金をバンプ下冶金構造に沈着させるため、外部から電子を電解浴に供給することからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するためのプロセス。 (もっと読む)


【課題】長期保管してもスラッジの生成を起こしにくく溶液寿命が飛躍的に長いスズめっき液の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を達成するため、電解法でスズめっきを行うためのスズめっき液であって、スズイオン供給源であるスズ塩をスズ換算で5g/L〜30g/L含有し、このスズイオンをキレート化し安定化させるキレート剤及びpH調整剤を含むことを特徴とするもの等を採用する。そして、このスズめっき液の調整方法は、中性からアルカリ性の溶液中にメタンスルホン酸スズを添加し、スズキレート錯体を形成させる点に特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを15g/l以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が1.5μm以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を15mA/cm2以上、カソード電位を飽和カロメル電極(SCE)に対して900mV以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。
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被覆される基板を少なくともスズおよび銅のイオン、アルキルスルホン酸と湿潤剤を含む酸性電解質中でめっきするブロンズの電着の方法、ならびに該電解質の調製方法。 (もっと読む)


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