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Fターム[4K023AB49]の内容

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【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で,粗さが1.5μm以下,厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を;リブテン,ニッケル,クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし;剥離層の上に、Cu2P2O73H2O;10〜60g/L,K4P2O7:100〜400 g/L,PH=6〜10,浴温10〜600 Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm2でめっきして剥離層の保護膜を形成し、;更に銅濃度50〜100g/L,硫酸濃度90〜125g/L,浴温40〜700 C,のめっき液を電流密度10〜50A/dm2でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 (もっと読む)


【課題】各種製品基材の表面に耐摩耗性・高摺動性を有する電気めっき皮膜を形成できる電気めっき浴および電気めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】元素組成(エネルギー分散型X線分光法;以下同じ。)がW:2〜70%、Mn:0.05〜1.0%、S:0.1〜8%、Fe:残部、であるFe−W系合金の電気めっき皮膜を形成可能な電気めっき浴。1)水溶性Fe(II、III)塩、2)水溶性W(VI)酸塩、及び3)水溶性Mn(II)塩とともに、水溶性S含有化合物を含有する。そして、下地めっき13を施した基材11上、電気めっき皮膜15を形成後、200〜1000℃の温度で加熱処理(後処理)を行って電気めっき皮膜15Aとする。 (もっと読む)


【課題】銀無垢材製品又は銀メッキ製品の表面を硫化変色から完全且つ安定的に防止し得る銀表面の硫化変色防止用メッキ液を提供する。
【解決手段】可溶性インジウム塩をインジウム金属量として1.0〜100.0g/L、導電性と緩衝性の塩類20.0〜300.0g/L、ピリジンカルボンのアミン系誘体0.005〜15.0g/L、六炭糖の単糖類0.1〜50.0g/L、及びアニオン系又は両性系表面活性剤0.01〜10.0g/Lとを含有するインジウム単体メッキ液からなることを特徴とする。
【発明の効果】インジウム単体又インジウム合金メッキ液は、銀メッキ皮膜の変色防止を効果しただけでなくメッキ液の保存安定性が極めて良好であり、作業性が良く作業環境も良好である。 (もっと読む)


【課題】非真空のプロセスで、且つ、有毒ガスを発生するセレンを含まない系において、CIS系太陽電池の光吸収層として好適な、純度の高い銅−インジウム−硫黄合金皮膜を得ることができるめっき液を提供する。
【解決手段】水溶性銅化合物、水溶性インジウム化合物、並びにスルホ基及び/若しくはスルホニル基を有する水溶性有機化合物を含む銅−インジウム−硫黄合金皮膜形成用めっき液。 (もっと読む)


【目的】鉄製品又は鉄基合金製品に施される亜鉛めっきの白錆を防止できるとともに、人体に安全で環境問題の懸念がない無機防錆皮膜、並びに、鉄製品又は鉄基合金製品のめっき方法、及び、これに用いられるめっき液を提供すること。
【解決手段】無機防錆皮膜Nは、基材Jに形成された亜鉛皮膜Kと、亜鉛皮膜Kに形成されたマンガン皮膜Mとからなる。亜鉛皮膜Kの膜厚は、5μm以上20μm以下であり、マンガン皮膜Mの膜厚は、0.5μm以上10μm以下である。無機防錆皮膜Nは、鉄製品又は鉄基合金製品である鉄系素材を被めっき物として亜鉛めっき液に浸漬することによりその表面に亜鉛皮膜が形成された被めっき物を得る亜鉛めっき工程と、被めっき物を所定のマンガンめっき液に浸漬することによりその表面にマンガン皮膜が形成された被めっき物を得るマンガンめっき工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 広い電流密度範囲での均一性等の向上と、良好な皮膜外観やハンダ付け性を達成し、バレルメッキに際して、導電性媒体や被メッキ物同士の凝集を防止する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。化合物(C)を含有するため、広い電流密度範囲で皮膜の均一性や平滑性を向上でき、皮膜外観やハンダ付け性に優れ、当該浴をバレルメッキに適用すると、導電性媒体同士の凝集を防止できる。 (もっと読む)


【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 (もっと読む)


電着浴、電着システム、及び電着方法が提供される。幾つかの実施形態では、前記浴、システム、及び方法を使用して金属合金コーティングを堆積させる。
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【課題】向上された電気めっき組成物の安定性および堆積物の形状を提供するインジウム電気めっき方法を提供する。
【解決手段】インジウム電気めっき組成物においてインジウムイオンを補充する方法が開示される。特定の弱酸のインジウム塩を用いて、インジウムイオンが電気めっき中に補充される。この方法は可溶性陽極および不溶性陽極を用いて使用されうる。 (もっと読む)


【課題】シアン化物を含有せず、均一でおよび光沢のある白色青銅堆積物が得られる電気めっき液を提供する。
【解決手段】電気めっき液は、1以上のスズイオン源と、1以上の銅イオン源と、メルカプトトリアゾールおよびメルカプトテトラゾールからなる群より選択される1以上のメルカプタンとを含む、組成物からなる。 (もっと読む)


【課題】装身具、あるいは半導体の表面に、白金族金属、金、銀から選ばれる金属との合金の薄膜をメッキするための方法を提供する。
【解決手段】二酸化ゲルマニウムをアルカリ性溶液に溶解した後、遊離酸を添加して酸性ゲルマニウム溶液を作製し、更に、白金族金属、金、銀から選択される共析金属を溶解し、電解液とする。装身具においてはゲルマニウムの含有率を5〜45重量%、半導体素子においてはゲルマニウムの含有率を80〜90%となるように用途に応じて電解液中のゲルマニウムの濃度を調整して電解メッキを施す。 (もっと読む)


【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式(I)を有する1以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。H−A’p−Q−[C(O)−CH2O−((R1CH)t−O)Z−CH2−C(O)−NH−A]u−H(I)(式中、A’は、−(NH−(CH2)x’)y’;−NH(CH2)x’−(O−(CHR1)r’)w’−O−(CH2)x’−;または−NH−((R1CH)r’−O)w’−C2H4−、Aは、−((CH2)x−NH)y−;−(CH2)x−(O−(CHR1)r)w−O−(CH2)x−NH−;または−((R1CH)r−O)w−C2H4−NH−、R1は、−Hまたは−CH3、Qは、p=1のとき−NH−、またはp=0のとき、−O−。) (もっと読む)


【課題】高品質のめっき皮膜を得ることが可能なめっき液、めっき方法及びそのめっき方法によってめっき皮膜が形成された物品を提供する。
【解決手段】めっき液が、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、メタクリル酸イオン、スルファミン酸イオン、クエン酸イオンおよびガリウム酸イオンからなる群から選ばれる一種以上の陰イオンとガリウムイオンとを有し、塩素イオン濃度が10ppm以下であること、および/または、ガリウムイオンおよびキレート剤を有し、該キレート剤の濃度はガリウムに対するモル濃度の比率(キレート剤のモル濃度/浴中ガリウムイオンのモル濃度)として0.1〜5であって、めっき液のpHが3から10の範囲であることにより好適なガリウムめっき皮膜が得られる。また、めっき液が、ガリウムイオンとスズイオンとをガリウム/スズのモル比として0.3〜15の範囲で有し、pHが10以上14以下であることにより好適なガリウム合金めっき皮膜が得られる。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの熱界面材料として熱発生デバイスに結合して用いられるインジウム金属およびその合金の電気化学的な析出のための改善されたインジウム組成物及びインジウム組成物で製造した物品の提供。
【解決手段】イミダゾールなどの窒素含有化合物を共重合化合物とするエピハロヒドリンコポリマーを水素抑制剤化合物として含む1以上のインジウムイオン源からなる組成物、および該組成物から基体上にインジウム金属を電気化学的に析出させて製造した物品。 (もっと読む)


【課題】空気又は他の高濃度の酸素雰囲気中での高温による酸化を阻止できる磁気マイクロデバイスに用いることのできる磁性陽極酸化アルミニウムを提供する。
【解決手段】コバルト、白金、タングステン、リンからなる合金等を磁性材料として有する磁性陽極酸化アルミニウムは、磁性材料のナノワイヤ14のアレイ10がナノ細孔22内に形成された筐体を構成する陽極酸化アルミニウム層12を備える。ナノワイヤ14は、その側壁が酸化されるのを防止するために、陽極酸化アルミニウム層12のナノ細孔22内に埋め込まれている。 (もっと読む)


【課題】銅箔とポリイミドとの密着性が向上し、耐酸性を維持させながらエッチングし易い、プリント配線板、COF及びFPC用の表面処理銅箔を提供することを目的とする。
【解決手段】銅層の少なくとも一方の面上に燐含有ニッケル−モリブデンからなる表面処理層又は燐−ニッケル−モリブデンを少なくとも含有する表面処理層を形成した表面処理銅箔である。
また、銅層の少なくとも一方の面上に形成された燐含有ニッケル層又はニッケル合金層上に、モリブデン又はモリブデン合金層を形成した表面処理銅箔である。 (もっと読む)


【課題】スズ−ビスマス合金層沈着(析出)のための電解質及び方法
【解決手段】本発明は、一種以上のアルキルスルホン酸及び/又はアルカノールスルホン酸、一種以上の可溶性スズ(II)塩、一種以上の可溶性ビスマス(III)塩、一種以上の非イオン性界面活性剤及び一種以上のチアゾール及び/又はチアヂアゾール化合物を含む、スズ−ビスアス合金の沈着のための酸性電解質を記述する。加えて、前記電解質を用いた方法、該方法を用いて得られたコーティング、並びに電子部品コーティングのための前記電解質の使用も可能にする。 (もっと読む)


【解決手段】微細結晶子を有さない均質なアモルファス相で形成されてなる金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜、シアン化金塩を金基準で0.01〜0.1mol/dm3の濃度、ニッケル塩をニッケル基準で0.02〜0.2mol/dm3の濃度、及びタングステン酸塩をタングステン基準で0.1〜0.5mol/dm3の濃度で含有する電気めっき液、及びこの電気めっき液を用いて金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法。
【効果】本発明の金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜は、微細結晶を有さない均質なアモルファス相により形成されており、金本来の良好な接触抵抗値や化学的安定性を実用上問題にならない程度に維持しつつ、硬度が向上したものであることから、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 (もっと読む)


【課題】マイクロ構造体用材料として好適に用いることのできる、十分な靱性を備えた高強度合金及びその高強度合金を被覆してなる金属とその高強度合金を用いたマイクロ構造体を提供すること
【解決手段】NiイオンまたはCoイオンとWイオンまたはMoイオンの総和が0.1〜0.3モル/Lの範囲で、上記金属イオンにおけるNiイオンまたはCoイオンの含有比率が20〜40%の範囲にある組成の電解浴を用いて、40〜80℃の浴温で電解析出させて高強度合金を得る。その高強度合金はアモルファス構造または平均結晶粒径が100nm以下のナノ結晶構造を有している。 (もっと読む)


【課題】 含Ge合金がめっきされているめっき部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に、Geを必須成分として含有する合金のめっき皮膜が成膜されているめっき部材。このめっき皮膜は電気めっき法で成膜される。 (もっと読む)


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