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Fターム[4K023BA06]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 基本メッキ浴 (1,380) | Meの硫酸塩を含有する (382)

Fターム[4K023BA06]に分類される特許

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【課題】 パルス銅めっきでありながら、光沢のある銅皮膜を得ることのできる技術を開発すること。
【解決手段】 ポリエーテルポリオールもしくはポリアルキレングリコールから選ばれるポリオールに、エピハロヒドリンを反応させてエポキシ化し、次いでアミンを反応させて得られる第3級アミン化合物またはこれを更に第4級化して得られる第4級アンモニウム化合物を有効成分として含有するパルス銅めっき浴用添加剤。 (もっと読む)


【課題】改善されたレベリング性能および改善された均一電着性を有する金属メッキ組成物が必要とされている。
【解決手段】基体上に金属をメッキするための金属メッキ組成物が開示される。金属メッキ組成物は、金属メッキ組成物のレベリングおよび均一電着性に影響を及ぼす化合物を含む。基体上に金属を堆積させる方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】高品質のめっき皮膜を得ることが可能なめっき液、めっき方法及びそのめっき方法によってめっき皮膜が形成された物品を提供する。
【解決手段】めっき液が、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、メタクリル酸イオン、スルファミン酸イオン、クエン酸イオンおよびガリウム酸イオンからなる群から選ばれる一種以上の陰イオンとガリウムイオンとを有し、塩素イオン濃度が10ppm以下であること、および/または、ガリウムイオンおよびキレート剤を有し、該キレート剤の濃度はガリウムに対するモル濃度の比率(キレート剤のモル濃度/浴中ガリウムイオンのモル濃度)として0.1〜5であって、めっき液のpHが3から10の範囲であることにより好適なガリウムめっき皮膜が得られる。また、めっき液が、ガリウムイオンとスズイオンとをガリウム/スズのモル比として0.3〜15の範囲で有し、pHが10以上14以下であることにより好適なガリウム合金めっき皮膜が得られる。 (もっと読む)


【課題】パラジウム含有電気メッキ液および多孔性金属支持体上のパラジウムもしくはパラジウム合金皮膜を提供するための方法が提供される。
【解決手段】パラジウム含有電気メッキ液が、約2g/Lないし約200g/Lの硫酸パラジウム中のパラジウム、約10g/Lないし約200g/Lの反応性導電性塩、約10g/Lないし約150g/Lの錯化剤、および、電気メッキ液に約9ないし約12のpHをもたらすのに十分な緩衝剤、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Zn、Fe、Co及びMnからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層5を形成する工程を経てセラミック電子部品100を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、pHが6〜12であるセラミックス電子部品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】耐しみ汚れ性に優れたノンクロメート電気Znめっき鋼板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電気Znめっき層の上に実質的にCrを含有せず、Naを0.05〜5質量%含有する樹脂皮膜が設けられた電気Znめっき鋼板である。上記の電気Znめっき層は、原子換算で、Pb:5ppm(ppmは質量ppmの意味。以下、同じ)以下、Tl:10ppm以下に抑制されている。 (もっと読む)


【課題】環境負荷が低く、耐薬品性を備えた粗化表面処理銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】銅電解液中に下記の化学構造の化合物を添加する表面処理銅箔の製造方法。


(式中、Rは炭素数2以下のアルキル基、Rはアミノ基、フェニルアゾ基のいずれかである。) (もっと読む)


【課題】不溶性陽極を用いても安定した効果が得られる、銅めっき用添加剤を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤であって、前記ポリアルケンオキシド化合物が、その末端のいずれか一方又は両方に官能基又はハロゲン元素を導入した以下に示す構造式を有し、数平均分子量が100〜2000000であることを特徴とする銅めっき用添加剤を採用する。


そして、前記構造式におけるmを1〜8とし、R又はRを官能基とする場合は、スルホン基、NやSを含む官能基及び不飽和結合をもつ官能基から選択されるいずれかの官能基とする。更に、分子量が10000〜2000000の前記ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤を採用すれば、ビス(3−スルフォポロピル)ジスルフィドやヤヌスグリーン等の添加剤を併用する必要も無く、より好ましい銅めっきが出来る。 (もっと読む)


【課題】結晶粒径を小さくしてストレスマイグレーションを抑制した銅めっき膜を、より簡便に基板上に成膜できるようにする。
【解決手段】シード層で覆われた配線用凹部を表面に形成した基板を用意し、シード層を、硫酸銅及び硫酸由来の硫黄を2.0M以上含む硫酸銅めっき液に接触させ、シード層をカソードとして、該カソードと硫酸銅めっき液中に浸漬させたアノードとの間に電圧を印加して、シード層の表面に銅めっき膜を成膜する。 (もっと読む)


実用品又は日用品は、装飾の理由から及び腐食の保護のために青銅層で電解被覆される。装飾用青銅層を生じさせるためにこれまで使用されてきた電解液は、シアン化物含有であるか又は有機スルホン酸ベースの浴の場合のように高度に腐食性であるかのいずれかであり、又はシアン化物フリーの二リン酸をベースとする浴の場合のように不十分な長期安定性を有する。エレクトロニクス工業におけるろう付け可能な青銅層の施与に使用される電解液は、たいてい有毒又は非常に有毒なチオ化合物を含有する。本発明を用いて、装飾用青銅層の電解析出のための長期安定で無毒な電解液及び実用品及び工業品上へのそのような装飾用青銅層を施与する相応した方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】陰極電解処理によるニッケルヤケメッキの電流密度をさげて容易に電解処理ができ、リセックタブルフューズ材料として好適な金属箔の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属箔の少なくとも一方の面に、陰極電解ニッケルメッキ処理を施してニッケル平滑メッキ層を設け、該ニッケル平滑メッキ層の面にニッケル粗化処理を施して微細ニッケル粒子層を設けることを特徴とする金属箔の表面処理方法である。
前記ニッケル粗化処理は、硫酸浴にニッケル化合物が溶解され、更に添加金属として微量の銅、クロム、鉄の少なくとも一種類が添加されている電解浴で電解処理することが好ましい。 (もっと読む)


好ましくは自立型の形態である、非晶質Fe100−a−bホイル;めっき水溶液の電着又は電鋳によるその製造方法;変圧器、発電機、モーター、パルスアプリケーション、磁気遮蔽の構成要素としてのその使用。aは13〜24の実数であり、bは0〜4の実数であり、MはFe以外の少なくとも1種の遷移元素である。非晶質Fe100−a−bホイルは、次の各特性:X線回折法で立証されるように非晶質であること;20マイクロメートルより大きい平均厚さ;200〜1100MPaである引張強さ;120μΩcmより大きい電気抵抗;1.4Tより大きい高い飽和誘導(Bs)、40A/m未満の保磁場(Hc)、電力周波数(60Hz)及び少なくとも1.35Tのピーク誘導で0.65W/kg未満の損失(W60)、及び低いμH値について、10000より大きい高い相対透磁率(B/μH)のうち少なくとも1つ、を有する。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの熱界面材料として熱発生デバイスに結合して用いられるインジウム金属およびその合金の電気化学的な析出のための改善されたインジウム組成物及びインジウム組成物で製造した物品の提供。
【解決手段】イミダゾールなどの窒素含有化合物を共重合化合物とするエピハロヒドリンコポリマーを水素抑制剤化合物として含む1以上のインジウムイオン源からなる組成物、および該組成物から基体上にインジウム金属を電気化学的に析出させて製造した物品。 (もっと読む)


【課題】伸び率が8%以上と高いニッケル電気めっき膜およびその製法を提供する。
【解決手段】めっき浴における硫酸ニッケル(六水和物)と塩化ニッケル(六水和物)との混合比〔硫酸ニッケル(六水和物)/塩化ニッケル(六水和物)〕をg/L基準で250/50〜190/110の範囲内に設定することにより、形成されるニッケル電気めっき膜を、ビッカース硬さが210以下、平均結晶粒径が2.5μm以上、X線回折により求められる(111)面1のピーク強度〔A〕と(200)面2のピーク強度〔B〕の比〔A/B〕が3以上、伸び率が8%以上のニッケル電気めっき膜にする。 (もっと読む)


【課題】鉛を含有しておらず、メッキ層でのウィスカ発生を抑制するためのSn−Bメッキ法を提供する。
【解決手段】Pbイオンを含まず、Snイオン供給源である硫酸スズと、Bイオン供給源であるジメチルアミンボランまたはトリメチルアミンボランとを含むSn−Bメッキ液及びこれを使用したSn−Bメッキ法。 (もっと読む)


【課題】パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Co、Pt及びNiを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。 (もっと読む)


【課題】空気攪拌によるめっき液の攪拌装置においてめっき液槽へ圧縮空気を送る配管部や気泡吐出部において、めっき液の液体成分の蒸発による結晶の析出を防止する。
【解決手段】めっき液(12)を収容する液槽(10)の底部に小孔(16)を有する気泡吐出部(14)を設置し、気泡吐出部に圧縮空気を送り込んで、これらの小孔からめっき液の表面に向けて気泡を浮き上がらせてめっき液を攪拌を行う空気攪拌装置において、前記気泡吐出部に加湿した圧縮空気を送り込む加湿機構(30,60)を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 微細回路配線を形成する上で重大な問題となっている、銅皮膜表面のザラツキや突起等の問題の無い酸性銅めっき方法を提供する。
【解決手段】 酸性銅めっき方法において、めっき浴中の一価銅濃度を直接的にモニターし、50ppm以下に維持しながらめっきを行う。一価銅濃度を直接モニターするには、発色試薬としてネオクプロイン試薬を添加し、吸光度を測定して定量する。 (もっと読む)


【課題】チップオンフィルム(COF)の折り曲げ実装時に求められる耐屈曲性において、MIT耐折性試験(JIS C 5016)により200回以上の折曲げ性が得られ、折曲げに対する耐久性に優れる半導体実装用の銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム1の少なくとも片面に、スパッタリング法によってニッケル−クロム系合金層2及び銅層3を形成し、さらにその上に電気めっき法、或いは電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅皮膜4を形成してなる銅被覆ポリイミド基板において、前記銅皮膜4中の結晶の平均結晶粒径は、160〜700nmであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 パッシベーション段差に起因して発生した金めっき皮膜上の凹みを解消して金ビーズ、半田ビーズ等のビーズによる十分な密着強度を達成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 金源としての亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩及び硫酸塩と、緩衝剤とを含有すると共に、パラジウム、白金、亜鉛及び銀の塩のいずれか1種以上の塩を金属濃度として0.1mg〜100mg/L含有する金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴とする。 (もっと読む)


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