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Fターム[4K023BA06]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 基本メッキ浴 (1,380) | Meの硫酸塩を含有する (382)

Fターム[4K023BA06]に分類される特許

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【課題】優先配向面が(200)面となる皮膜物性に優れためっき皮膜を得ることのできる銅めっき方法を提供すること。
【解決手段】硫酸銅を主成分とするめっき浴液に、少なくとも、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなる添加剤と、その他の必要な添加剤とを添加し、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に、あるいはPRパルス(極性反転パルス)による電解めっきを交互に、あるいは電解銅めっきと置換めっきを交互に、あるいは電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に、あるいは上記いずれかのめっき方法の2つ以上を組み合わせることにより、電解めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面(横断面)の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸又はビス(3−スルホプロピル)ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ4級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が23〜55g/Lであり、硫酸濃度が50〜250g/Lである。 (もっと読む)


【課題】素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、pHが3以上8以下であり、水に対する水酸化物の溶解度が0.5mol/L以上であるカチオンの濃度が、0.5mol/L以下である。 (もっと読む)


【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属(A)との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用しない、素地との密着性に優れた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法および銅−亜鉛合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法において、銅−亜鉛合金電気めっき浴が銅塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有し、かつ、陰極電流密度を0.5〜1.5A/dmとする。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある銅−錫−亜鉛合金めっき被膜を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができる生産性に優れた銅−錫−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いた合金めっき被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅塩、錫塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有する銅−錫−亜鉛合金電気めっき浴である。pHは10〜14であることが好ましく、また、銅イオン、錫イオンおよび亜鉛イオンの和は0.03〜0.3mol/Lであることが好ましく、さらに、アミノ酸またはその塩の濃度は0.08〜0.22mol/Lであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 広い電流密度範囲での均一性等の向上と、良好な皮膜外観やハンダ付け性を達成し、バレルメッキに際して、導電性媒体や被メッキ物同士の凝集を防止する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。化合物(C)を含有するため、広い電流密度範囲で皮膜の均一性や平滑性を向上でき、皮膜外観やハンダ付け性に優れ、当該浴をバレルメッキに適用すると、導電性媒体同士の凝集を防止できる。 (もっと読む)


【課題】基板上に存在する、アスペクト比(深さ/開口径)が5以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比(深さ/開口径)が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、微細な構造であっても溝や穴に電解銅めっきによって銅を良好に埋め込むことのできる抑制剤と、促進剤および平滑剤を必須の有効成分として含有する電解銅めっき浴、およびこの電解銅めっき浴を用いた電解銅めっき方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、特定のブロック重合体化合物からなる抑制剤を0.001〜5質量%;特定の促進剤を0.01〜100質量ppm;およびジアリルアミンと硫酸化合物との塩・マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン・N,N−ジメチルアミノエチルメタクリル酸共重合体と硫酸化合物との塩、塩化メチルビニルイミダゾリウム・ビニルピロリドン共重合体、N−アシル−N’−カルボキシエチル−N’−ヒドロキシエチルエチレンジアミンまたはそのアルカリ金属塩(ここで、アシルは、炭素数8〜20の脂肪族アシル基を示す)から選ばれる少なくとも1種の平滑剤を0.01〜250質量ppmを含有してなることを特徴とする電解銅めっき浴に係る。 (もっと読む)


【課題】 添加剤の種類が少ない銅めっき浴を用いて、導電処理した基板上の非貫通穴へ銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】 導電処理した基板上にある非貫通穴へ銅を充填する方法であって、水溶性銅塩、硫酸、及びブライトナーとレベラーとの両方の作用を有する重合体からなるフィリング添加剤とを含有するむ酸性銅めっき浴で前記基板をめっき処理することを特徴とする銅充填方法。 (もっと読む)


【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ICにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ICのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してICを回路基板に装着するICの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するICの装填方法である。アニールの省略でCu3Sn層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 (もっと読む)


【課題】電解銅箔と液晶ポリマー等の高耐熱性及び高周波特性に優れる樹脂基材との密着性を向上させ、且つ、安定化した銅張積層板製造に使用可能なロープロファイル銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を備える粗化処理銅箔において、当該粗化処理面は、頭頂部角度θが85°以下の突起形状の微細銅粒子2を含むものであることを特徴とする粗化処理銅箔を採用する。また、この銅箔を製造するために、硫酸銅系銅電解液を用いる電解法で、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を形成し粗化処理銅箔とする際に、当該硫酸銅系銅電解液として、ホルムアミジンジスルフィド濃度又はチオ尿素のいずれかを含む所定の組成の銅電解液を用いることが好ましい。 (もっと読む)


金属イオンの供給源、及び
a)活性アミノ官能基を含むアミン化合物と、
b)エチレンオキシド、及びC3及びC4アルキレンオキシドから選ばれる、少なくとも1種の化合物の混合物、
を反応させることによって得ることができる、少なくとも1種の抑制剤を含み、該抑制剤は、分子量Mwが6000g/モル以上であることを特徴とする組成物。 (もっと読む)


金属イオン源と、
a)少なくとも3個の活性アミノ官能基をもつアミン化合物を
b)エチレンオキシドとC3およびC4アルキレンオキシドとから選ばれる少なくとも一種の化合物との混合物と反応させて得られる少なくとも一種の抑制剤
とからなる組成物。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な手段でめっき促進剤の濃度を確実に管理でき、均一なめっきを施すことができる湿式めっき方法及び湿式めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき促進剤の濃度を変えた各めっき液を用いて交流インピーダンスを測定して、めっき促進剤の各濃度における位相差−周波数特性図(ボード線図)を作成し、この位相差−周波数特性図から位相差のめっき促進剤の濃度に対する依存性の大きい周波数領域を求め、この周波数領域から特定周波数を選択すると共に、該特定周波数でのめっき促進剤の濃度と位相差との関係を求めておき、使用するめっき液の前記特定周波数での交流インピーダンスを測定してその位相差を求め、該位相差が位相差許容範囲に保持されるように、めっき促進剤の補給量を制御する。 (もっと読む)


銅イオン源と、式Iの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが30ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化1】


[式中、
−R1基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−R2基は、それぞれ独立して、R1またはアルキルから選ばれ、−XとYは独立して、また各繰返単位のXが独立して、C1〜C6アルキレン及びZ−(O−Z)m(但し、Z基はそれぞれ独立してC2〜C6アルキレンから選ばれる。)から選ばれるスペーサー基であり、−nは0以上の整数であり、−mは1以上の整数である。] (もっと読む)


【課題】300℃を超える温度が負荷されても、容易にキャリア箔の引き剥がしが可能なピーラブルタイプのキャリア箔付電解銅箔の供給を目的とする。
【解決手段】この目的達成のため、キャリア箔2/接合界面層3/耐熱金属層5/電解銅箔層4の層構成を備えるキャリア箔付電解銅箔において、GDS分析装置を用いて、当該キャリア箔付電解銅箔の電解銅箔層側からキャリア箔側に向けて、当該耐熱金属成分の深さ方向プロファイルを測定したときの常態のピークの半価幅をW1、当該キャリア箔付電解銅箔を300℃の大気雰囲気で120分間加熱した後の深さ方向プロファイルを測定したときの同ピークの半価幅をW2としたとき、([W2]−[W1])/[W1]≦0.3の関係を満たすことを特徴としたキャリア箔付電解銅箔を採用する。 (もっと読む)


【課題】銅めっき皮膜のエッチングファクターを向上させることにより、ファインピッチの微細回路を形成することが可能な銅張り積層板と銅張り積層板に成膜する銅めっき皮膜の成膜方法を提供する
【解決手段】1槽の銅めっき槽28または複数の銅めっき槽12、13、14中の銅めっき液に、PEGとSPSとJGBおよびクエン酸塩等のように、めっきされる銅に炭素および酸素を共析させる添加剤を添加し、該銅めっき液に樹脂フィルム1浸漬させることにより、樹脂フィルム1の少なくとも表面に、上流側の上記銅めっき層から下流側の上記めっき層に向けて、段階的または漸次、上記炭素および酸素の共析量が多くなる1層の銅めっき層8または複数層の銅めっき層4、5、6を形成する。 (もっと読む)


本発明は、(1)水溶性三価クロム塩;(2)三価クロムイオン用の少なくとも1つの錯化剤;(3)pHを2.8〜4.2にするのに十分な水素イオン源;(4)pH緩衝化合物;及び(5)硫黄含有有機化合物を含むクロム電解めっき溶液を含むクロム電解めっき溶液からなる。前記クロム電解めっき溶液は、装飾物品に接着性金属コーティングを施す方法で使用可能であり、前記コーティングは、塩化カルシウム含有環境における耐食性が強化されている。 (もっと読む)


【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、安定性および生産性の高い電気ニッケルめっき液およびセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、0.005mol/L以上0.1mol/L以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、pHが5よりも大きく7未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が0.2mol/L以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


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