【解決課題】 集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】 添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

【課題】従来と比較してより耐食性に優れた３価クロムめっき皮膜を形成できる新規な３価クロムめっき浴を提供する。
【解決手段】水溶性３価クロム化合物、伝導性塩、ｐＨ緩衝剤、硫黄含有化合物及びアミノカルボン酸類を含有する水溶液からなる３価クロムめっき浴、
該３価クロムめっき浴中において被めっき物を陰極として電解処理を行うことを特徴とするクロムめっき方法、及び
該３価クロムめっき浴を用いて形成されたクロムめっき皮膜を有する物品。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行う際に、めっき外観、皮膜物性、フィリング性等を改善することができるＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用の添加剤を提供する。
【解決手段】アルケン類及びアルキン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分からなる、ＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用添加剤、
銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を含有する水溶液を基本めっき浴として、上記添加剤を含有することを特徴とする、ＰＲパルス電解法によるめっき用銅めっき液、
該銅めっき液中で、被めっき物をカソードとして、ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行うことを特徴とするＰＲパルス電解法による銅めっき方法。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
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【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】バルク実装のような被めっき物がぶつかり合う状況での錫の削れカスが少なく、チップ部品同士のくっつきが少なく、かつ他のめっき特性も良好な錫めっき皮膜を得られる錫めっき液及びチップ部品のめっき方法を提供する。
【解決手段】（１）第一錫イオン、（２）錯化剤、（３）ノニオン系界面活性剤及び（４）酸化防止剤を含有する電気錫めっき液において、ノニオン系界面活性剤として、下記一般式（Ａ）で示される化合物及び下記一般式（Ｂ）で示される化合物を含有することを特徴とする、チップ部品用電気錫めっき液。一般式（Ａ）：Ｒ−（Ｃ_６Ｈ_４）−ＲＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＨ一般式（Ｂ）：ＨＯ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｌ−（Ｃ_３Ｈ_６Ｏ）_ｍ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｎ−Ｈ （もっと読む）

【課題】Crを用いず、湿潤樹脂密着性に優れ、かつ樹脂被覆後の表面外観を損なうことがない、ティンフリー鋼板の代替材となり得る表面処理鋼板、その製造方法およびこの表面処理鋼板に樹脂が被覆された樹脂被覆鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面の最表層に、TiとCoを含み、かつJIS Z8730:2002に規定されている物体色の色差を表すL*値が50以上、a*値が-2以上1.5以下、b*値が2.2以上12以下を満足する密着性皮膜を有することを特徴とする表面処理鋼板。 （もっと読む）

金属イオン源、及び
一般式Ｎ（Ｒ¹−ＯＨ）₃（Ｉａ）の少なくとも１種のトリアルカノールアミン、及び／又は一般式Ｒ²−Ｎ（Ｒ¹−ＯＨ）₂（Ｉｂ）の少なくとも１種のジアルカノールアミンを縮合して、ポリアルカノールアミン（ＩＩ）、
（但し、
−Ｒ¹基が、それぞれ独立して、２〜６個の炭素原子を有する、２価の、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族の炭化水素基から選ばれ、及び
−Ｒ²基が、それぞれ、水素、及び１〜３０個の炭素原子を有する、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素基である）
又は前記ポリアルカノールアミン（ＩＩ）のアルコキシル化、置換、又はアルコキシル化と置換によって得ることができる誘導体を得ることにより得ることができる少なくとも１種の平滑化剤を含む組成物。 （もっと読む）

【課題】銅源としての酸化銅（II）を補給することによって発生した電解銅めっき液中の溶存酸素濃度の急増を抑制困難な従来の不溶性陽極を用いた電解銅めっき方法の課題を解消する。
【解決手段】
硫酸銅が添加された電解銅めっき液に浸漬しためっき対象に、不溶性陽極を用いて電解銅めっきを施す際に、前記電解銅めっき液に対して銅源として酸化銅を補給し、その際に、前記酸化銅の補給によって電解銅めっき液中に増加する溶存酸素濃度を抑制すべく、前記電解銅めっき液に硫酸鉄(II)を前記電解銅めっき液に添加する。 （もっと読む）

本発明は、電解セル、例えば塩素−アルカリセル又は塩素酸塩もしくは次亜塩素酸塩を製造するためのセルにおける水素発生のためのカソードに関する。当該カソードは、ニッケル又はその他の導電性材料の基材から出発し、アモルファス酸化モリブデンと共堆積されたニッケルで電気的に被覆されることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】各種の素材に対して適用可能であって、しかも特殊な装置を用いることなく、安価に実施可能な方法によって、均質で良好な多孔質皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】疎水性基を有する水溶性第４級アンモニウム化合物からなる多孔質めっき皮膜形成用の電気めっき浴用添加剤、及び
該添加剤を含む電気めっき浴中において、電気めっき処理を行うことを特徴とする多孔質めっき皮膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板におけるビア構造をメタライズするための方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路デバイス基板は、前面、背面、ビア構造を備え、ビア構造は、基板の前面に開口部、基板の前面を内向きに伸びる側壁部、および底部を備え、前記方法は以下からなる：
半導体集積回路デバイス基板に、（ａ）銅イオン源、および（ｂ）レベラー化合物からなる電解銅沈積組成物を接触させて、前記レベラー化合物はジピリジル化合物およびアルキル化剤の反応生成物からなり；
電流を電解銅沈積組成物に供給し銅金属をビア構造の底部および側壁部に沈積し、これによって銅充填ビア構造を得る。 （もっと読む）

【課題】
実質的にクロムを含まず、材料へのポリマーの接着を向上させる被膜を基板若しくは材料上に生成する耐変色・接着促進性水性処理組成物により被覆された材料を提供する。
【解決手段】
亜鉛若しくは酸化亜鉛の原子；並びに
タングステン、モリブデン、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、チタン、マンガン、バナジウム、鉄、スズ、インジウム、銀、及びこれらの組合せからなる群から選択される金属若しくは金属酸化物の原子；
を含み、
実質的にクロムを含まず、２５０℃にて少なくとも３０分間の耐変色性を付与し、材料へのポリマーの接着を向上させるノジュラー構造を含む耐変色・接着処理被膜により被覆された材料。 （もっと読む）

金属クロムを基板にめっきするめっき方法が開示される。方法は、硫酸塩及び／又はスルホン酸塩マトリクスを含む三価クロムめっき浴を使用する。方法は、また、不溶性陽極を利用する。マンガンイオンをめっき浴に添加することで、めっき浴を使用する際に有害な六価クロムイオンの形成を阻止する。 （もっと読む）

【課題】
長期耐食性、導電性、耐熱性に優れるクロメートフリー表面処理金属材料を提供する。
【解決手段】
金属材料の上に、質量％で、Ca：0.01〜1％、Si：0.01〜5％を含有し、残部が亜鉛および不可避不純物からなり、平均分子量が3000以上であるポリジアルキルアンモニウムクロライド界面活性剤をＣの質量％で0.0001〜0.1％含有し、片面あたりの皮膜量が1.0〜20.0g/m^２で、GDSによるめっき層全体中のSi積分強度Ｉ（全体厚みSi）とめっき層厚みの上半分中のSi積分強度Ｉ（1/2厚みSi）の比が0.75以上である電気めっき層を形成し、更にその上に、特定のシランカップリング剤２種類を配合して得られる、分子内に特定の官能基を２個以上と、特定の親水性官能基を１個以上含有する有機ケイ素化合物（W）と、フルオロ化合物（x）と、りん酸（Y）と、バナジウム化合物（Z）からなる水系金属表面処理剤を塗布し乾燥し、各成分を含有する複合皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】高精度の電解メッキが可能であり、電解メッキ後の電解メッキ液から銅イオンを回収して再利用し生産コストを低減する。
【解決手段】硫酸銅水溶液製造装置２０と、添加剤供給装置３０と、電解メッキ装置４０と、電解メッキ装置４０から排出される電解メッキ液から銅イオンを回収する銅イオン回収装置１０と、を備え、銅イオン回収装置１０は、イオン発生槽１１と、イオン発生槽１１を陽極室１２と中間室１３とに区画し水素イオン及び銅イオンを透過可能な第１隔膜１４と、イオン発生槽１１を中間室１３と陰極室１５とに区画し水素イオンを透過可能な第２隔膜１６と、少なくとも陽極室１２に設けられる陽極１８ａと、陰極室１５に設けられる陰極１７と、を有し、送出路１３ａが、少なくとも硫酸銅水溶液製造装置２０、添加剤供給装置３０又は電解メッキ装置４０のいずれか１つ以上に銅イオンを送出するよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた外観、耐食性、耐磨耗性を有するめっき皮膜構造および工業的に使用可能な処理工程を提供すること。
【解決手段】以下の工程を包含する方法により、成形品の表面にめっきを処理するめっき成形品の製造方法：（ａ）成形品表面に、光沢硫酸銅めっきによって銅めっき皮膜を形成する工程、（ｂ）該銅めっき皮膜の表面に３価クロムめっきを行い第１のクロムめっき皮膜を形成する工程、（ｃ）該第１のクロムめっき皮膜の表面に、６価クロムめっきを行い、第２のクロムめっき皮膜を形成する工程。 （もっと読む）

本発明は、めっき溶液にシアン化物を用いることなく、亜鉛ダイカスト物品にめっきを施す方法を含む。前記方法は、先ず前記亜鉛ダイカスト物品に亜鉛合金層のめっきを施し、次いで銅、ニッケル、クロム、スズ、又は黄銅でめっきを施すことを提唱する。好ましい亜鉛合金初期コーティングは、亜鉛−ニッケルである。 （もっと読む）