【課題】ゴムとの接着に要する時間が短縮されたゴム補強用線条体の製造方法、ゴム補強用線条体およびそれを用いたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対して、シアン化合物を含まない銅−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき処理を施した後、伸線加工を施すゴム補強用線条体の製造方法において、伸線加工を施した後に、ゴム補強用線条体を酸性金属塩水溶液にて洗浄する。酸性金属塩水溶液のｐＨは５〜７、酸性金属塩の濃度が０．０１〜０．１０が好ましく、酸としては酢酸を好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ゴムとの接着に要する時間が短縮されたゴム補強用線条体の製造方法、ゴム補強用線条体およびそれを用いたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対して、シアン化合物を含まない銅−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき処理を施した後、伸線加工を施すゴム補強用線条体の製造方法において、伸線加工を施した後に、ゴム補強用線条体をコバルト塩溶液にて表面処理をする。コバルト塩溶液のｐＨは５．０〜７．０、コバルト塩濃度は０．０１〜０．１０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被めっき体に対して安定して密着性及び平滑性に優れた緻密な銅−亜鉛合金めっき皮膜を直接形成でき、しかも人体や環境に対する悪影響が少ない安全性に優れ、電解中の電流密度によらず該めっき皮膜の組成が一定であって、長時間連続電解を行った後においても、光沢のあるめっき皮膜が得られる銅−亜鉛合金電気めっき液を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｆ）に示す成分を含有する、銅−亜鉛合金電気めっき液：
（ａ）銅化合物、
（ｂ）亜鉛化合物、
（ｃ）ポリリン酸及びその塩から選ばれた少なくとも１種の化合物、
（ｄ）オキシカルボン酸及びその塩から選ばれた少なくとも１種の化合物、
（ｅ）α−アミノ酸のアラルキルエステル、
（ｆ）α−アミノ酸のアラルキルエステルのスルホンアミド化物。 （もっと読む）

本発明は、成分Ａとして少なくとも１種の溶媒、成分Ｂとして少なくとも１種の電解質、および成分Ｃとして、電解質溶液全体に対して０．１〜２０質量％の一般式（Ｉ）の少なくとも１種の複素環式芳香族化合物を含む電解質溶液、電解質溶液中でのそのような化合物の使用法、電気化学的セルにおけるまたは金属メッキのためのそのような電解質溶液の使用法、ならびに、対応する電解質溶液を含む電気化学的セルに関する。 （もっと読む）

【課題】電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。
【解決手段】金イオン源と、コバルト塩またはニッケル塩を含む金属イオン源と、下記式で示されるメルカプトテトラゾールまたはその塩を含む組成物。


（式中、Ｒ１は、水素、Ｃ１−Ｃ２０）炭化水素基、（Ｃ８−Ｃ２０）アルアルキル、フェニル、ナフチル、アミンまたはカルボキシル基；Ｘは水素、（Ｃ１−Ｃ２）アルキル、またはアルカリ金属、カルシウム、アンモニウムまたは第四級アミンのような好適な対イオンである） （もっと読む）

【課題】被めっき物の量の多少に関わらず、めっき未着やフクレや剥離などの密着不良が発生しにくく、めっき皮膜にこげや光沢不良のない均一なめっき被膜を得ることができるバレル電気めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウム又はアルミニウム合金めっき浴を用いてバレル電気めっきを施す方法であって、被めっき物を収容したバレル(4)の内部に配置された陽極(6)を回転、揺動又は振動させると共に、陽極とバレルの内壁面に設けられた陰極との間に電圧を印加し、バレルを回転、揺動又は振動させることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明に従えば、少なくとも１種の金属イオンの供給源、及び少なくとも１種の添加剤を含む組成物であって、
前記少なくとも１種の添加剤は、
ａ）縮合により、式（Ｉ）
Ｘ（ＯＨ）_ｎ （Ｉ）
の少なくとも１種のポリアルコールから誘導される多価アルコール縮合化合物と、
ｂ）少なくとも１種のアルキレンオキシドと、
を反応させ、ポリオキシアルキレン側鎖を含む多価アルコール縮合物を形成することによって得ることができ、ここで、
ｎは、３〜６の整数であり、及びＸは、ｎ−価の直鎖状、又は枝分かれした、２〜１０個の炭素原子を有し、及び置換されていても良く、又は置換されていなくても良い脂肪族、又は脂環式の基であることを特徴とする組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用しない、素地との密着性に優れた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法および銅−亜鉛合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法において、銅−亜鉛合金電気めっき浴が銅塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有し、かつ、陰極電流密度を０．５〜１．５Ａ／ｄｍ^２とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が極力抑制されたイリジウムめっき被膜を容易に形成できるイリジウムめっき液及びそのめっき方法を提案する。
【解決手段】本発明は、アニオン成分がハロゲンであるイリジウム（ＩＩＩ）錯塩に、飽和モノカルボン酸、飽和モノカルボン酸塩、飽和ジカルボン酸、飽和ジカルボン酸塩、飽和ヒドロキシカルボン酸、飽和ヒドロキシカルボン酸塩、アミド、尿素からなる群より選ばれた一種以上の化合物を加えて撹拌して得られるイリジウム化合物を用いるイリジウムめっき液において、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの少なくとも一種以上を含有することを特徴とするものとした。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
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【課題】半導体集積回路デバイス基板におけるビア構造をメタライズするための方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路デバイス基板は、前面、背面、ビア構造を備え、ビア構造は、基板の前面に開口部、基板の前面を内向きに伸びる側壁部、および底部を備え、前記方法は以下からなる：
半導体集積回路デバイス基板に、（ａ）銅イオン源、および（ｂ）レベラー化合物からなる電解銅沈積組成物を接触させて、前記レベラー化合物はジピリジル化合物およびアルキル化剤の反応生成物からなり；
電流を電解銅沈積組成物に供給し銅金属をビア構造の底部および側壁部に沈積し、これによって銅充填ビア構造を得る。 （もっと読む）

本発明は、特に、装飾物品上への、プラチナとロジウムの合金を含むコーティングの堆積のための電気化学的プロセスに関する。本発明の方法は、電着層が、予想に反して、銀の外観に極めて近い高い白色度を有するという規定条件が利用されることを特徴とする。
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【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が向上した銅‐亜鉛合金めっき層を形成することができ、かつ、目的組成を有する均一で光沢のある銅‐亜鉛合金めっき層が幅広い電流密度で得ることができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度Ｐ（ｍｏｌ／Ｌ）の比（Ｐ／Ｍ）が２．０〜３．２の範囲である。総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）は０．０３〜０．５０（ｍｏｌ／Ｌ）の範囲であることが好ましく、また、ｐＨは５〜１０の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を含むことなく、耐腐食性の良好なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Ｍに対する、アミノ酸またはその塩の容量モル濃度Ａの比（Ａ／Ｍ）が、５％以下である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を含むことなく、経時的に安定なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴および銅−亜鉛合金めっき付きスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩、亜鉛塩およびソルビトールを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。さらに、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含有することが好ましく、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Ｍに対する、ソルビトールの容量モル濃度Ｓの比（Ｓ／Ｍ）が、２．０〜６．２％であることが好ましい。 （もっと読む）

シリカ粒子を内部に分散させた金属層を電気めっきするために、
ａ）第１の電位を有する第１のニッケル層を析出させる工程と、
ｂ）前記第１のニッケル層上に前記第１の電位より負である第２の電位を有する第２のニッケル層を析出させる工程と、
ｃ）基材上に金属を電着させるための溶液を用いて前記第２のニッケル層上に第３のニッケル層を析出させる工程と
を含む、基材上に金属を電着する方法、より詳しくは、基材上に耐腐食性ニッケル多層を形成する方法であって、
前記溶液が、析出させるべき金属のイオンおよびシリカ粒子を含有し、少なくとも１個のケイ素含有有機成分が前記シリカ粒子に提供され、前記ケイ素含有有機成分が、前記溶液に接触しつつ正電荷を前記シリカ粒子に付与する、アミノ、第四化アンモニウム、第四化ホスホニウムおよび第四化アルソニウムを含む群から選択される少なくとも１個の官能基を含む方法が提供される。 （もっと読む）