【課題】改善されたレベリング性能および改善された均一電着性を有する金属メッキ組成物が必要とされている。
【解決手段】基体上に金属をメッキするための金属メッキ組成物が開示される。金属メッキ組成物は、金属メッキ組成物のレベリングおよび均一電着性に影響を及ぼす化合物を含む。基体上に金属を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】不溶性陽極を用いても安定した効果が得られる、銅めっき用添加剤を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤であって、前記ポリアルケンオキシド化合物が、その末端のいずれか一方又は両方に官能基又はハロゲン元素を導入した以下に示す構造式を有し、数平均分子量が１００〜２００００００であることを特徴とする銅めっき用添加剤を採用する。


そして、前記構造式におけるｍを１〜８とし、Ｒ_１又はＲ_２を官能基とする場合は、スルホン基、ＮやＳを含む官能基及び不飽和結合をもつ官能基から選択されるいずれかの官能基とする。更に、分子量が１００００〜２００００００の前記ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤を採用すれば、ビス（３−スルフォポロピル）ジスルフィドやヤヌスグリーン等の添加剤を併用する必要も無く、より好ましい銅めっきが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、空気や水と接触した場合にも爆発の危険性がなく、高電流密度作業でも黒色析出物の発生もなく、ＡｌＣｌ₃の蒸気の発生も少ないめっき温度で操作できる電気アルミニウムめっき浴を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（Ａ）アルミニウムハロゲン化物、（Ｂ）Ｎ−アルキルピリジニウムハライド類、Ｎ−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピラゾリウムハライド類及びＮ，Ｎ’−アルキルピラゾリウムハライド類からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物、（Ｃ）ＮａＣｌ及び（Ｄ）ＫＣｌを混合溶融してなる電気アルミニウムめっき浴を提供する。 （もっと読む）

【課題】空気や水と接触した場合にも爆発の危険性がなく、高電流密度部分においてもデンドライド析出が発生せず、低電流密度部分まで着き回り性の良い均一なめっき皮膜が得られ、かつクロメート処理なしでも高い耐食性を有するめっき皮膜を得ることができる電気Ａｌ−Ｚｒ合金めっき浴の提供。
【解決手段】（Ａ）アルミニウムハロゲン化物、（Ｂ）Ｎ−アルキルピリジニウムハライド類等からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物及び（Ｃ）ジルコニウムハロゲン化物を含み、（Ａ）化合物と（Ｂ）化合物とのモル比が１：１〜３：１であり、さらに（Ｄ）芳香族有機溶媒、（Ｅ）スチレン系ポリマーなどのポリマーから選ばれる１種又は２種以上の有機重合体及び（Ｆ）脂肪族アルデヒド等から選ばれた光沢剤などの、１種又は２種以上の添加剤を含む電気Ａｌ−Ｚｒ合金めっき浴。 （もっと読む）

【課題】本発明は、空気や水と接触した場合にも爆発の危険性がなく、ＡｌＣｌ₃の蒸気の発生も少ないめっき温度で操作できる溶融塩電気アルミニウムめっき浴を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（Ａ）アルミニウムハロゲン化物、（Ｂ）Ｎ−アルキルピリジニウムハライド類、Ｎ−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピラゾリウムハライド類及びＮ，Ｎ’−アルキルピラゾリウムハライド類からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物及び（Ｃ）ジメチルスルホンを混合溶融してなる電気アルミニウムめっき浴を提供する。 （もっと読む）

実用品又は日用品は、装飾の理由から及び腐食の保護のために青銅層で電解被覆される。装飾用青銅層を生じさせるためにこれまで使用されてきた電解液は、シアン化物含有であるか又は有機スルホン酸ベースの浴の場合のように高度に腐食性であるかのいずれかであり、又はシアン化物フリーの二リン酸をベースとする浴の場合のように不十分な長期安定性を有する。エレクトロニクス工業におけるろう付け可能な青銅層の施与に使用される電解液は、たいてい有毒又は非常に有毒なチオ化合物を含有する。本発明を用いて、装飾用青銅層の電解析出のための長期安定で無毒な電解液及び実用品及び工業品上へのそのような装飾用青銅層を施与する相応した方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの熱界面材料として熱発生デバイスに結合して用いられるインジウム金属およびその合金の電気化学的な析出のための改善されたインジウム組成物及びインジウム組成物で製造した物品の提供。
【解決手段】イミダゾールなどの窒素含有化合物を共重合化合物とするエピハロヒドリンコポリマーを水素抑制剤化合物として含む１以上のインジウムイオン源からなる組成物、および該組成物から基体上にインジウム金属を電気化学的に析出させて製造した物品。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜上のクラックの発生が少ないイリジウム・コバルト合金めっき液を提供すること。
【解決手段】可溶性イリジウム塩及び可溶性コバルト塩を含有することを特徴とするイリジウム・コバルト合金めっき液。 （もっと読む）

本発明は、均一で、欠陥がなく、滑らかなＧａ膜を、高いめっき効率及び繰り返し精度で析出させるための、ガリウム（Ｇａ）電気めっき方法及び化学に関する。このような層は、薄膜太陽電池などの電子デバイスの作製に使用され得る。ある実施形態では、本発明は、Ｇａ塩と、錯化剤と、溶媒とを含んだ、導体に適用するための溶液を提供し、サブミクロン厚を有したＧａ膜は、この溶液を導体に電着させることによって、作製される。この溶液は、Ｃｕ塩およびＩｎ塩のうちの一方又は双方を更に含み得る。 （もっと読む）

【課題】 酸性銅めっき処理において、ブラインドビアホールやスルーホールの内部やコーナー部のめっき付き回り性およびめっき面のレベリング性などのめっき外観のいずれにおいても優れた特性を与え、かつ下地不良にも対応できる新規なめっき用レベリング剤を提供する。
【解決手段】 ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位と、（メタ）アクリルアミド類単位と、二酸化イオウ単位とを含むジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと（メタ）アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなるめっき用レベリング剤である。 （もっと読む）

【課題】熱処理法や加熱法を用いないで、めっき膜を強化することのできる複合めっき技術を提供することを課題とする。
【解決手段】めっき液を（水＋硫酸ニッケル＋塩化ニッケル＋ほう酸＋光沢剤＋界面活性剤＋カーボンナノファイバ＋ＳｉＣ微粒子）とした。
【効果】硬質微粒子を添加したことにより、所望の機械的性質を得ることができる。硬質微粒子を添加することでカーボンナノファイバの添加量を大幅に減少させることができる。カーボンナノファイバの添加量が少なければ、めっき膜の平滑性を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ所望でない箇所には析出することを抑制する、硬質金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】硬質金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルト塩およびヘキサメチレンテトラミンを含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化する前のめっき膜が十分に硬く、取り扱い中に傷付きにくい電気アルミニウムめっき膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有率が９７ｗｔ．％以下でビッカース硬さが３００以上であるアルミニウムめっき膜である。めっき膜中に酸素、炭素、硫黄および塩素が不純物として含まれることによりめっき膜の硬度が増す。めっき膜中の不純物濃度は電流密度、めっき温度、液組成などにより設定することができる。 （もっと読む）

【課題】生成するアルミニウムめっき膜への水分の影響を抑制し、未析のないアルミニウムめっき膜を得ることのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。また、Ｌ字型あるいは凹型断面形状のある試料へのアルミニウムめっき膜の付き回り性を改善することのできるジメチルスルホンを溶媒とした電解アルミニウムめっき液を提供することである。
【解決手段】ジメチルスルホンとアルミニウムハロゲン化物からなる非水溶媒系電解アルミニウムめっき液に、2,2’-ビピリジル構造を基本骨格に持つ有機化合物またはその誘導体を加えることで、めっき液中の水分の電気分解がアルミニウムめっき膜へ及ぼす影響を抑制し、さらにめっき膜の付き回り性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき液が、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとのモル濃度比ｘ／ｙが３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０である。このニッケルめっき浴を使用して電解ニッケルめっきを施し、外部電極６ａ、６ｂ上に良好な平滑性を有するニッケル皮膜７ａ、７ｂが形成し、その後電解スズめっきを施してニッケル皮膜７ａ、７ｂ上にスズ皮膜８ａ、８ｂを形成する。
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【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】添加剤の濃度が低いめっき液を使用して従来と同等以上の特性のめっき皮膜を得ることができる亜鉛めっき処理方法を提供する。
【解決手段】塩化亜鉛４０〜９０ｇ／Ｌ、塩化カリウム１８０〜２４０ｇ／Ｌ、硼酸２０〜４０ｇ／Ｌ、分子量６０００〜２００００のポリエチレングリコール２〜５ｇ／Ｌ及び安息香酸カリウム２〜５ｇ／Ｌを含有するめっき液に被処理物を浸漬し、パルス電解することによりめっきを行う。また、分子量６０００〜２００００のポリエチレングリコール０．５〜５ｇ／Ｌ及びベンズアルデヒド０．５〜２．０ｇ／Ｌを含有するめっき液とすることができる。パルス電解の条件はオン時間０．３〜１．０ｍｓ、デューティ比５〜２０％、平均電流密度２〜５Ａ／ｄｍ^２とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高い陰極電流密度で高い陰極電流効率を長く安定に維持でき、良好な皮膜が得られる実用的で安定なイリジウムめっき液及びイリジウムめっき方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲンを含む可溶性イリジウム塩およびアルコール類を含有し、好ましくは硫酸塩、硝酸塩、およびハロゲン化水素酸塩のうち少なくとも１種を含むイリジウムめっき液、およびアノードとカソードの間に隔膜を備えためっき槽中で上記アルコール類添加、またはアルコール類および硫酸塩、硝酸塩、およびハロゲン化水素酸塩を添加したイリジウムめっき液によりイリジウム被膜を形成する電解めっき方法。 （もっと読む）

ウィスカの形成又は成長を本質的に起こりにくくするスズ堆積物は、（ア）０．０５ミクロンから５ミクロンの範囲の平均粒子直径を有する微細粒子化されたスズ堆積物の堆積、(イ)熱又は湿度に曝された時でさえ表面の酸化を防止してスズ・ウィスカ形成を低減する、微量のリンをその堆積物が含むように、スズ堆積物を電気めっきするために使用される溶液中のリン化合物、あるいは、(ウ)予め電気めっきされたスズ堆積物の表面に、熱又は湿度に曝されている間中スズ堆積物の酸化物形成又は腐食を最小化し又は防止するように作用する保護塗装を施す溶液中の、リン化合物、メルカプタン化合物、又は、有機化合物、の１つ以上によって得られる。８０重量％から１００重量％のスズを含むそのようなスズ堆積物は、スズ・ウィスカ成長を最小限化し乃至なくすることを呈する。 （もっと読む）