【課題】電解銅めっき浴およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のピリジン化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴。この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は広範囲の電解質濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材に貼り付け後の銅箔の変色を生じない耐熱性に優れた粗化箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧延銅箔１０に粗化めっき層１１を形成し、樹脂基材と貼り合わせる粗化めっき層１１と反対側の圧延銅箔１０の表面に、ニッケルめっき層又はニッケルとコバルトの合金めっき層１４を有する防錆処理層１３を施した粗化箔において、防錆処理層１３のＳ含有量が１ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下としたものである。 （もっと読む）

【課題】電流効率の低下を抑え、高い白色度を有する電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物の1種又は2種以上が合計で0.01mass ppm未満の電気亜鉛めっき浴中で電気亜鉛めっき処理を行う。次いで、2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物の1種又は2種以上を合計で0.01〜3 mass ppm含有する電気亜鉛めっき浴中で亜鉛付着量がめっき層全体の1〜50%となるように電気亜鉛めっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は１種以上の空隙抑制金属を含む。 （もっと読む）

【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴において、広範囲の電流密度域での電着皮膜の外観や均一電着性を向上し、スズ合金皮膜の組成比を安定にする。
【解決手段】 （Ａ）スズ塩と、スズ塩及び銀、銅、ビスマス、鉛などの所定の金属塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、（Ｂ）酸又はその塩と、（Ｃ）特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。上記フェナントロリンジオン化合物を含有するため、広範囲の電流密度域で優れた均一電着性と良好な皮膜外観を具備できる。スズ合金メッキでは、広範囲の電流密度域で均一な合金組成を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】めっき部材の形状やめっき後の熱処理の有無に関わらず、耐食性に優れた均一な光沢外観を有するクロムフリー化成皮膜を安定的に形成する。
【解決手段】バナジウム族化合物と、希土類イオンと、硝酸イオンと、場合によりＦｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｎから選ばれる一種以上の金属化合物一種と、場合によりケイ素化合物を含有する酸性の反応型化成処理液により、亜鉛めっき部材及び亜鉛合金めっき部材を浸漬処理し、場合によりさらに被処理物を水洗した後の保護皮膜上に無機、有機又は有機無機複合のコーティング皮膜又はこれらの多層コーティング皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムハロゲン化物を多量に添加しても融点が顕著に上昇することがないことで、１００℃前後の温度でも高い電流効率で付きまわりのよい電気めっきが可能であり、さらに、蒸発や昇華によってめっき装置などの内壁に付着するといったことがない電気アルミニウムめっき液、およびそれを使用したアルミニウムめっき被膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の電気アルミニウムめっき液は、ジアルキルスルホンを溶媒としアルミニウムハロゲン化物を溶質とする電気アルミニウムめっき液であって、ジアルキルスルホンとして炭素数の合計が３以上で融点が７５℃以下のジアルキルスルホンを含有し、アルミニウムハロゲン化物をジアルキルスルホン１０モルに対して４．０〜９．３モル（但し４．０モルを除く）含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】主成分として亜鉛もカドミウムも含まない、厚い、３Ｎの黄色に着色した１８カラットの金合金層を析出させるための析出方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金金属、有機金属化合物、湿潤剤、金属イオン封鎖剤および遊離シアン化物を含む浴に浸漬された電極上での金合金のガルバノプラスチック析出方法であって、合金金属は銅金属および銀金属であり、鏡のように輝く黄色の金合金は電極上に析出され、この浴は、２１．５３％の金、７８．３１％の銅および０．１６％の銀の比率とすることを特徴とする方法に関する。本発明は、電気析出の分野に関する。 （もっと読む）

【課題】 多孔質アルミニウム箔の簡易な製造方法を提供すること。
【解決手段】 （１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）ハロゲン化アンモニウム、第一アミンのハロゲン化水素塩、第二アミンのハロゲン化水素塩、第三アミンのハロゲン化水素塩、一般式：Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ・Ｘ（Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なってアルキル基、Ｘは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す）で表される第四アンモニウム塩からなる群から選択される少なくとも１つの含窒素化合物を少なくとも含むめっき液を用いた電解法によって基材の表面にアルミニウム被膜を形成した後、当該被膜を基材から剥離してアルミニウム箔を得、得られたアルミニウム箔に対して３５０〜７００℃の温度範囲で熱処理を行うことで箔の内部に空孔を生成せしめることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき処理効率およびめっき層の均一性に優れ、かつ、省スペース性に優れた鋼線への銅−亜鉛合金めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき槽４中のめっき液に鋼線ｗを通線することにより、鋼線ｗに銅−亜鉛合金めっき層を形成する鋼線ｗへの銅−亜鉛合金めっき方法である。めっき槽４中で鋼線ｗの走行方向の反対方向にめっき液を流す。めっき槽４は複数であることが好ましく、また、めっき槽４は並列に配置されていることが好ましく、アノードとしては、銅−亜鉛合金アノードを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】めっきヤケを生じず、均一な銅−亜鉛合金めっき層の生産性を向上させることができる銅−亜鉛合金めっき方法およびそれに用いる銅−亜鉛合金めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有し、ｐＨが８．５〜１４である銅−亜鉛合金めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき方法である。めっき処理の際に、１０Ａ／ｄｍ^２を超える陰極電流密度で銅−亜鉛合金めっき処理を行う。銅−亜鉛合金めっき浴は、下記式、
Ｐ比＝Ｐ_２Ｏ_７の質量／（Ｃｕの質量＋Ｚｎの質量）
で表わされるＰ比が３．０〜７．０を満足することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 蓄電デバイスの正極集電体などとして用いることができる、粗面を有するアルミニウム箔を提供すること。
【解決手段】 アルミニウム箔を基材として用い、その表面の少なくとも一部に、含水量が１０〜２０００ｐｐｍの電解アルミニウムめっき液を用いた電解法によってアルミニウム被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高度に複雑化したプリント基板のめっきにおいてもヤケがなく、面内膜厚分布の均一性に優れ、かつスルーホールめっきの均一性にも優れるスズめっき液を提供する。
【解決手段】本発明のスズめっき液は、スズイオン源、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、イミダゾリンジカルボキシレート及び１，１０−フェナントロリンを含有する。 （もっと読む）

【課題】 めっき中のセラミック素体の腐食を低減することができるＮｉめっき液を提供すること。
【解決手段】 好適な実施形態のＮｉめっき液は、セラミック電子部品の端子電極を形成するためのＮｉめっき液であって、ｐＨが５．５以上であり、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ及びＭｇからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な磁気特性を有する厚いＣｏＮｉＰの膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にＣｏＮｉＰを形成する方法であって、基板を電気めっき槽１１５に入れるステップを含み、電気めっき槽には電気めっき組成物１２０が入っており、電気めっき組成物は、ニッケル源と、コバルト源と、少なくとも約０．１Ｍのリン源とを含み、方法はさらに、基板に堆積電流を印加するステップを含み、基板に堆積電流を印加することによって、少なくとも約５００ナノメートルの厚みを有するＣｏＮｉＰ層が基板上に電着される方法。 （もっと読む）

【課題】めっきによるのセラミック電子部品の素体の腐食を抑制し、安定しためっきが可能な電気スズめっき液及び当該電気スズめっき液を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオン及びキレート剤を含み、ｐＨが６以上９以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の値が２．４より大きく、４．５以下である。 （もっと読む）

【課題】導電層の表面上に銅を堆積させる銅めっき浴を提供する。
【解決手段】めっき浴は、特定のベンゾイミダゾールと特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含み、ある範囲の電解質濃度にわたって、基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ膜、太陽電池パネルの銅電極テンプレートのような比抵抗が大きい被メッキ物にも高い密着性で銅皮膜を良好に成膜する。
【解決手段】 比抵抗の大きい被メッキ物上にメッキ皮膜を形成する方法において、上記メッキ皮膜が電気銅メッキ浴を用いて形成した銅の電着皮膜であり、上記電気銅メッキ浴が、(ａ)可溶性銅塩と、(ｂ)ポリアミン類、アミノカルボン酸類などより選ばれた錯化剤と、(ｃ)アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムのハロゲン化物、硫酸塩より選ばれた導電性塩とを含有し、且つ、浴のｐＨが３〜１１である電気銅メッキ方法である。銅メッキ浴に特定の錯化剤と特定の導電性塩を複合添加するため、ＩＴＯ膜などの比抵抗の大きな被メッキ物にも充分な密着性で銅皮膜を良好に成膜できる。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板のような基体上に平滑な表面を有する、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】特定のイミダゾール化合物と特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む、銅めっき浴である。金属電気めっき浴に使用される平滑化剤の量は、０．２５〜５０００ｐｐｍ、である。該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ；並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する：ことを含む、基体上に銅を堆積する。 （もっと読む）