析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がＴＥＭおよびＸＲＤ結晶質の両方であり得るか、またはＴＥＭ結晶質でありそしてＸＲＤ非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金；｛１１１｝の優先方位；約５００ｎｍ^２未満の平均結晶粒断面積；および２．８８９５±０．００２５Åの格子定数の１または２以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、３価クロム、２価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電析浴を提供する工程；浴に基材を浸漬する工程；および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
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【課題】均一電着性に優れ、ホウ素を用いることが無く、めっきコストも低廉なニッケルめっき浴を提供する
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、ニッケルイオン源としての塩化ニッケル及び／又は硫酸ニッケルをニッケルイオン濃度換算で1ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含み、クエン酸をクエン酸・一水和物換算で５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌ含み、ｐＨがアンモニアによって６．５〜１０に調節されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚やＦｅ−Ｎｉ組成比が均一なＦｅ−Ｎｉ合金めっき膜を形成することができる電気Ｆｅ−Ｎｉ合金めっき方法を提供する。
【解決手段】電気Ｆｅ−Ｎｉ合金めっき浴にマロン酸を添加し、且つｐＨを２．３〜２．７に調整し、このめっき浴を用いて電気めっきを行なう。凹凸部の凹部で生じる局部的なｐＨ低下を抑制することができ、凹部でのＦｅ−Ｎｉ合金めっき膜の薄膜化やＦｅ−Ｎｉ組成比の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的薄い銅めっき皮膜を形成した場合でも、均一かつ平滑な、良好な外観を有する銅めっき皮膜を析出する銅めっき液組成物を提供する。
【解決手段】銅めっき液組成物に塩化物イオンと臭化物イオンとを特定の量で含有する銅めっき液組成物。 （もっと読む）

【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式（Ｉ）を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−[Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）Ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ]ｕ−Ｈ（Ｉ）（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−、Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ−；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３、Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−。） （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】固形物の析出が少なく、長時間に亘り保存安定性がよく、製品にクラックやウィスカーが生じ難く、接合強度に優れた錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液及びこれを用いて形成された錫−銀−銅−ニッケル含有めっき被膜を提供する。
【解決手段】スルホン酸類を溶かした水を主体とする媒体に、錫イオンを主体とし、銀イオン及び銅イオンを含み、更に微量のニッケルイオンを含む錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液であって、錫イオンの濃度が０．１５〜１．５ｍｏｌ／Ｌ、銀イオンの濃度が０．００１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、銅イオンの濃度が０．００１〜０．０１ｍｏｌ／Ｌ、ニッケルイオンの濃度が０．００００００１〜０．０００００４ｍｏｌ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】クラックのない光沢性に優れたパラジウム−コバルト合金被膜を、高いコバルトの含有量でかつ厚い膜厚に形成することのできる、パラジウム−コバルト合金めっき液、パラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、パラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】パラジウムとして１〜３０ｇ／Ｌの可溶性パラジウム塩と、コバルトとして０．５〜２０ｇ／Ｌの可溶性コバルト塩と、１．０ｍｏｌ／Ｌ以上の無機アンモニウム塩と、１〜２０ｇ／Ｌの不飽和有機カルボン酸又はその塩とを含有し、ｐＨが５．０〜６．５に調整されて成るパラジウム−コバルト合金めっき液、このパラジウム−コバルト合金めっき液を用いてめっきするパラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、このパラジウム−コバルト合金被膜を加熱するパラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貴金属を効率的に電気メッキすることが可能な方法を提供する。
【解決手段】水溶液系メッキ液を用いて電気メッキにて貴金属を導電性材料に担持させる貴金属の電気メッキ方法において、前記水溶液系メッキ液にアルコールを添加することを特徴とする貴金属の電気メッキ方法である。前記アルコールとしては、メタノール、エタノール及びそれらの混合液が好ましく、前記導電性材料としては、炭素材が好ましく、導電性ポリマーを焼成して得られた炭素材が更に好ましく、３次元連続構造を有する導電性材料が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】貴金属を効率的に電気メッキすることが可能な方法を提供する。
【解決手段】水溶液系メッキ液を用いて電気メッキにて貴金属を導電性材料に担持させる貴金属の電気メッキ方法において、前記水溶液系メッキ液にアミノ酸を添加することを特徴とする貴金属の電気メッキ方法である。前記アミノ酸としては、塩基性アミノ酸が好ましく、ヒスチジンが特に好ましく、前記導電性材料としては、炭素材が好ましく、導電性ポリマーを焼成して得られた炭素材が更に好ましく、３次元連続構造を有する導電性材料が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】ノーシアンタイプの銅−錫合金めっきでの課題である２μｍ以上の厚膜時においても、連続的な衝撃による皮膜の剥離あるいは割れのない連続衝撃性に強いノーシアンタイプの銅−錫合金めっきの製造方法の提供。
【解決手段】(1)金属あるいは表層に金属層を有するセラミックの中から選ばれる素材に、または(2)表層に金属層を有するプラスチックの中から選ばれる素材に、少なくとも可溶性銅塩及び可溶性錫塩、有機酸及び／または無機酸及び／またはこれらの可溶性塩、特定の添加剤（光沢剤）から構成されるシアンを含有しない銅−錫合金めっき浴中で、電気めっきを施した後、上記(1)及び(2)で異なる特定の条件でベーキング処理することを特徴とする耐連続衝撃性に優れた、銅−錫合金めっきの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質のめっき皮膜を得ることが可能なめっき液、めっき方法及びそのめっき方法によってめっき皮膜が形成された物品を提供する。
【解決手段】めっき液が、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、メタクリル酸イオン、スルファミン酸イオン、クエン酸イオンおよびガリウム酸イオンからなる群から選ばれる一種以上の陰イオンとガリウムイオンとを有し、塩素イオン濃度が１０ｐｐｍ以下であること、および／または、ガリウムイオンおよびキレート剤を有し、該キレート剤の濃度はガリウムに対するモル濃度の比率（キレート剤のモル濃度／浴中ガリウムイオンのモル濃度）として０．１〜５であって、めっき液のｐＨが３から１０の範囲であることにより好適なガリウムめっき皮膜が得られる。また、めっき液が、ガリウムイオンとスズイオンとをガリウム／スズのモル比として０．３〜１５の範囲で有し、ｐＨが１０以上１４以下であることにより好適なガリウム合金めっき皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】耐水素脆化特性を評価する試験方法において、水素を吸蔵させた試験片からの水素放出を防止できる亜鉛めっきを施す表面処理方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＣｌ₂：８０ｇ／ｌ超３００ｇ／ｌ以下、ＮＨ₄Ｃｌ：１００〜３００ｇ／ｌ、光沢剤：１０〜５０ｍｌ／ｌを含有する塩化アンモン浴を用いることを特徴とする水素脆化評価方法。ねじ部、切り欠き部を有する試験片への適用も可能である。また、陰極電流密度は０．５〜５０Ａ／ｄｍ²、めっき浴の温度は１０〜６０℃、めっき浴のｐＨは４．５〜６．５、めっき時間は１〜３０分であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パラジウム含有電気メッキ液および多孔性金属支持体上のパラジウムもしくはパラジウム合金皮膜を提供するための方法が提供される。
【解決手段】パラジウム含有電気メッキ液が、約２ｇ／Ｌないし約２００ｇ／Ｌの硫酸パラジウム中のパラジウム、約１０ｇ／Ｌないし約２００ｇ／Ｌの反応性導電性塩、約１０ｇ／Ｌないし約１５０ｇ／Ｌの錯化剤、および、電気メッキ液に約９ないし約１２のｐＨをもたらすのに十分な緩衝剤、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改善されたレベリング性能および改善された均一電着性を有する金属メッキ組成物が必要とされている。
【解決手段】基体上に金属をメッキするための金属メッキ組成物が開示される。金属メッキ組成物は、金属メッキ組成物のレベリングおよび均一電着性に影響を及ぼす化合物を含む。基体上に金属を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層５を形成する工程を経てセラミック電子部品１００を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であるセラミックス電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、空気や水と接触した場合にも爆発の危険性がなく、高電流密度作業でも黒色析出物の発生もなく、ＡｌＣｌ₃の蒸気の発生も少ないめっき温度で操作できる電気アルミニウムめっき浴を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（Ａ）アルミニウムハロゲン化物、（Ｂ）Ｎ−アルキルピリジニウムハライド類、Ｎ−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピラゾリウムハライド類及びＮ，Ｎ’−アルキルピラゾリウムハライド類からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物、（Ｃ）ＮａＣｌ及び（Ｄ）ＫＣｌを混合溶融してなる電気アルミニウムめっき浴を提供する。 （もっと読む）

好ましくは自立型の形態である、非晶質Ｆｅ_{１００−ａ−ｂ}Ｐ_ａＭ_ｂホイル；めっき水溶液の電着又は電鋳によるその製造方法；変圧器、発電機、モーター、パルスアプリケーション、磁気遮蔽の構成要素としてのその使用。ａは１３〜２４の実数であり、ｂは０〜４の実数であり、ＭはＦｅ以外の少なくとも１種の遷移元素である。非晶質Ｆｅ_{１００−ａ−ｂ}Ｐ_ａＭ_ｂホイルは、次の各特性：Ｘ線回折法で立証されるように非晶質であること；２０マイクロメートルより大きい平均厚さ；２００〜１１００ＭＰａである引張強さ；１２０μΩｃｍより大きい電気抵抗；１．４Ｔより大きい高い飽和誘導（Ｂｓ）、４０Ａ／ｍ未満の保磁場（Ｈｃ）、電力周波数（６０Ｈｚ）及び少なくとも１．３５Ｔのピーク誘導で０．６５Ｗ／ｋｇ未満の損失（Ｗ６０）、及び低いμ_ｏＨ値について、１００００より大きい高い相対透磁率（Ｂ／μ_ｏＨ）のうち少なくとも１つ、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによる自己制約型異方性ゲルマニウム・ナノ構造体を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム・ナノ構造体は、直径１ミクロン未満のワイヤ及び幅１ミクロン未満のウォールを含み、基板と接触してその基板の外側に延びる。さらに電気めっきによるゲルマニウム・ナノ構造体の作成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】伸び率が８％以上と高いニッケル電気めっき膜およびその製法を提供する。
【解決手段】めっき浴における硫酸ニッケル（六水和物）と塩化ニッケル（六水和物）との混合比〔硫酸ニッケル（六水和物）／塩化ニッケル（六水和物）〕をｇ／Ｌ基準で２５０／５０〜１９０／１１０の範囲内に設定することにより、形成されるニッケル電気めっき膜を、ビッカース硬さが２１０以下、平均結晶粒径が２．５μｍ以上、Ｘ線回折により求められる（１１１）面１のピーク強度〔Ａ〕と（２００）面２のピーク強度〔Ｂ〕の比〔Ａ／Ｂ〕が３以上、伸び率が８％以上のニッケル電気めっき膜にする。 （もっと読む）