【課題】電解銅めっき浴およびそのめっき方法を提供する。
【解決手段】１種以上の特定のピリジン化合物と１種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴。この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は広範囲の電解質濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 カルボン酸類、環状エステル類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】高度に複雑化したプリント基板のめっきにおいてもヤケがなく、面内膜厚分布の均一性に優れ、かつスルーホールめっきの均一性にも優れるスズめっき液を提供する。
【解決手段】本発明のスズめっき液は、スズイオン源、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、イミダゾリンジカルボキシレート及び１，１０−フェナントロリンを含有する。 （もっと読む）

【課題】めっきによるのセラミック電子部品の素体の腐食を抑制し、安定しためっきが可能な電気スズめっき液及び当該電気スズめっき液を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオン及びキレート剤を含み、ｐＨが６以上９以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の値が２．４より大きく、４．５以下である。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板のような基体上に平滑な表面を有する、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】特定のイミダゾール化合物と特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む、銅めっき浴である。金属電気めっき浴に使用される平滑化剤の量は、０．２５〜５０００ｐｐｍ、である。該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ；並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する：ことを含む、基体上に銅を堆積する。 （もっと読む）

【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングの提供。
【解決手段】本発明は、Ｓｎに加えて、Ｓｂ及びＣｕのうちの少なくとも１つの他の元素と、所望によりＰｂ及び／又はＢｉ、また所望によりＺｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＡｇのうちの少なくとも１つの元素を含有するスズベースの合金から作製され、Ｓｂが最大で２０重量％、Ｃｕが最大で１０重量％、Ｐｂ及びＢｉの合計が最大で１．５重量％、Ｃｕ及びＳｂの合計が少なくとも２重量％、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＡｇの合計が最大で３重量％であって、スズが金属間相の形で結合され且つβスズ結晶粒を有するスズ相として自由に存在している減摩コーティング（４）に関する。βスズ構造のスズ結晶粒は、式Ｋ＝Ａ／（Ｓ＋３＊Ｃ＋Ｏ）に基づいて計算されたμｍ単位の平均粒度を有し、スズベースの合金中のβスズ構造のスズ結晶粒はいずれの場合も少なくとも２．５μｍの平均結晶粒度を有する。 （もっと読む）

【課題】経時安定性が良好で、光沢範囲が広く、めっき外観が均一で、効率的に意図する皮膜組成を得ることができるシアン化物非含有の電気又は無電解めっき液及びそれを用いて形成された金属皮膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】


で表される化合物と、第４周期から第６周期の第ＶＩＩＩ、ＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＶＡ族から選ばれた金属の水可溶性塩の１種以上とを含有するするめっき液。特にこの金属の水可溶性塩がスズ、銀、金、白金、パラジウム又は銅の水可溶性塩であるめっき液。 （もっと読む）

【課題】改善された使用性能を有する滑り軸受層を提供する。
【解決手段】滑り層は合金成分スズ、アンチモンおよび銅を含む合金から形成され、前記成分の割合が、アンチモン：５〜２０重量％、銅：０．５〜２０重量％、残部：スズであり、ここで、鉛の含有量が＜０．７重量％、他の成分の総含有量が＜０．５重量％であり、滑り軸受層においてスズ結晶が主に球状であることを特徴とする。この滑動要素は、湿潤剤として好ましくは１０〜３０のエトキシ化度を有するＣ₁₃Ｃ₁₅−オキソアルコール、Ｃ₁₆Ｃ₁₈−脂肪族アルコールまたはＣ₁₃−オキソアルコールを含み、大きな分子の助剤の添加により析出組成および析出速度が調節される電解液を用いた電着よる。 （もっと読む）

析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がＴＥＭおよびＸＲＤ結晶質の両方であり得るか、またはＴＥＭ結晶質でありそしてＸＲＤ非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金；｛１１１｝の優先方位；約５００ｎｍ^２未満の平均結晶粒断面積；および２．８８９５±０．００２５Åの格子定数の１または２以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、３価クロム、２価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電析浴を提供する工程；浴に基材を浸漬する工程；および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
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【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】耐食性やつきまわり性に優れる電気めっき液を提供すること。
【解決手段】（Ａ）Ｚｎイオンを１〜６００ｇ／Ｌ、
（Ｂ）鉄族元素イオンを１〜６００ｇ／Ｌ、
（Ｃ）タングステン酸系化合物をＷイオンとして０．１〜６００ｇ／Ｌ、及び（Ｄ）塩基性化合物を含有するアルカリ性電気亜鉛合金めっき液。 （もっと読む）

ウィスカの形成又は成長を本質的に起こりにくくするスズ堆積物は、（ア）０．０５ミクロンから５ミクロンの範囲の平均粒子直径を有する微細粒子化されたスズ堆積物の堆積、(イ)熱又は湿度に曝された時でさえ表面の酸化を防止してスズ・ウィスカ形成を低減する、微量のリンをその堆積物が含むように、スズ堆積物を電気めっきするために使用される溶液中のリン化合物、あるいは、(ウ)予め電気めっきされたスズ堆積物の表面に、熱又は湿度に曝されている間中スズ堆積物の酸化物形成又は腐食を最小化し又は防止するように作用する保護塗装を施す溶液中の、リン化合物、メルカプタン化合物、又は、有機化合物、の１つ以上によって得られる。８０重量％から１００重量％のスズを含むそのようなスズ堆積物は、スズ・ウィスカ成長を最小限化し乃至なくすることを呈する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させたＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。
ＭＦ_X^(X-Y)-・・・（Ｉ）
（化学式（Ｉ）中、Ｍは任意の金属を示し、Ｘは任意の自然数を示し、ＹはＭの酸化数を示す。） （もっと読む）

耐腐食性および密着性が改善された有機性コーティングを有する金属ピースが記載されている。この該金属ピースは、表面に亜鉛または亜鉛合金めっきされた金属ピース、実質的に存在している唯一のクロムイオンとして３価のクロムを含む酸性のクロム水溶液から形成されたクロメート皮膜、および該クロメート皮膜に陰極電着された乾燥性の有機性コーティングを含む。このようなコーティングされた金属ピースを得るための方法もまた、記載されている。 （もっと読む）