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Fターム[4K023BA12]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 基本メッキ浴 (1,380) | Meのリン酸塩を含有する (52)

Fターム[4K023BA12]に分類される特許

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【課題】薄膜化しても、はんだぬれ性、ワイヤーボンディング強度等に優れためっき皮膜を与える電解用パラジウムめっき液を提供すること、及び、上記性能に優れたリードフレームを提供すること。
【解決手段】水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液、それを用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜、並びに、電解ニッケルめっき皮膜、上記電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレーム。 (もっと読む)


【課題】不溶性陽極を用いる電解銅めっき方法において、被めっき物中の非貫通孔、例えば、ビルドアッププリント配線板用の基板材料のブラインドビアホール内部を長期間安定して充填できる方法を提供する。
【解決手段】不溶性陽極を用いる電解銅めっき方法において、電解銅めっき液中の溶存酸素量を30mg/L以下に維持することを特徴とする電解銅めっき方法。 (もっと読む)


【課題】表面抵抗の高いフィルムに対しても、メッキを均一に付けることができ、生産性の高いメッキ処理方法を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が1〜1000Ω/□のフィルム表面を、pH3以下の酸性銅メッキ液15でメッキ処理する酸性メッキ処理工程と、前記酸性メッキ処理工程後に、pH8〜13のアルカリ性銅メッキ液19でメッキ処理するアルカリ性メッキ処理工程とを有することを特徴とするメッキ処理方法、該方法により製造された導電性膜および透光性電磁波シールド膜。 (もっと読む)


【課題】 希土類系永久磁石の表面に密着性に優れた銅めっき被膜を形成することができる電気銅めっき処理用めっき液を使用した、銅めっき被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 銅めっき被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法は、pHが9.0〜11.5に調整され、(1)Cu2+イオン、(2)Cu2+イオンとのキレート安定度定数が10.0以上のキレート剤、(3)Fe3+イオンとのキレート安定度定数が16.0以上のキレート剤の少なくとも3成分を含有するめっき液(前記のキレート安定度定数はpHが9.0〜11.5の時という条件付のものである)を使用して、電気銅めっき処理により、希土類系永久磁石の表面に銅めっき被膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐食性やつきまわり性に優れる電気めっき液を提供すること。
【解決手段】(A)Znイオンを1〜600g/L、
(B)鉄族元素イオンを1〜600g/L、
(C)タングステン酸系化合物をWイオンとして0.1〜600g/L、及び(D)塩基性化合物を含有するアルカリ性電気亜鉛合金めっき液。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させたSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Sn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式(I)で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合される。
MFX(X-Y)-・・・(I)
(化学式(I)中、Mは任意の金属を示し、Xは任意の自然数を示し、YはMの酸化数を示す。) (もっと読む)


電気めっき溶液は、非水性の非芳香族の有機溶媒、および可溶性金属塩および非水溶性または非芳香族の有機溶媒に溶融された有機添加剤を含む混合物を含む。電気めっき溶液からの金属の電着は、電気めっき溶液を準備するステップと、カソード電流で導電性基板の上に電気めっき溶液から金属を電着させるステップを含む。電気めっきシステムは、電気めっき溶液を入れためっきチャンバと、電気めっきシステムに対する入口点と、電気めっきされる部品を入口点からめっきチャンバまで運ぶ運搬システムとを備える。電気めっき溶液は、非水性の非芳香族の有機溶媒、および可溶性金属塩および有機添加剤を含む混合物であり、混合物は非水性の非芳香族の有機溶媒に溶融されている。 (もっと読む)


【課題】 耐磨耗性、耐食性に優れ、摩擦係数の小さいW−P系合金を安定して効率的に得るための電気めっき浴、それを用いる電気めっき方法ならびに得られるW−Ni−P系合金めっき皮膜を提供する。
【解決手段】 タングステン(W);ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)もしくは鉄(Fe);ならびにリン(P)の供給源を含有し、WとNi、Co、Ti、MoもしくはFeとの質量比が1:0.02〜0.3であることを特徴とするW−P系合金電気めっき浴。この電気めっき浴を用いて、好適には浴温40〜90℃、pH3.0〜9.0および電流密度0.3〜20A/ dmで電気めっきを行なうことにより、W含有量35.0〜55.0wt%、Ni含有量52.5〜64.3wt%およびP含有量0.7〜2.5wt%であり、ビッカ−ス硬さがHv800〜2500であるW−Ni−P系合金めっき皮膜が得られる。 (もっと読む)


【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮する。
【解決手段】 可溶性銅塩及びベース酸を含有する電気銅メッキ浴において、ベース酸がグリコール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸よりなる群から選ばれたオキシカルボン酸又はその塩の少なくとも一種である電気銅メッキ浴である。また、これらの特定オキシカルボン酸と有機スルホン酸の混合酸、或は、イセチオン酸などの特定の有機スルホン酸をベース酸としても良い。特定の有機酸をベース酸にする銅メッキ浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有するため、ビアホールとスルーホールの混在する基板にも良好に適用できる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させるとともに、薄くかつ均一な厚みを有するSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にSn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】平滑化剤化合物
【解決手段】第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲に亘って実質的に平坦である金属層、特に銅層を堆積する。かかるメッキ浴を使用する金属層の堆積方法も開示される。これらの浴および方法は、電子デバイスをはじめとする小さいアパーチャーを有する基体上に、銅の平坦な層を提供するために有用である。 (もっと読む)


【解決手段】 被めっき物を電気めっき槽内に収容した鉛フリーの電気錫合金めっき浴中に浸漬して、該被めっき物を陰極として電気めっきを行うに際し、上記めっき槽内で陽極をカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスで隔離して電気めっきを行うことを特徴とする電気錫合金めっき方法、及び、電気錫合金めっき液を収容し、該めっき液に被めっき物を浸漬する電気錫合金めっき槽と、該電気めっき槽内の一部を隔離するカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスと、上記アノードバック又はボックス内に設置された陽極とを具備してなることを特徴とする電気錫合金めっき装置を提供する。
【効果】 本発明の電気錫合金めっき方法及び装置は、めっき浴が長期に亘って安定し、効率よくめっきを行うことができる上、陽極として可溶性陽極を使用した場合であっても、金属の置換析出を防ぐことができるものである。 (もっと読む)


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