説明

Fターム[4K023BA15]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 基本メッキ浴 (1,380) | Meのスルファミン酸塩を含有する (74)

Fターム[4K023BA15]に分類される特許

21 - 40 / 74


【課題】被めっき体に対して安定して密着性及び平滑性に優れた緻密な銅−亜鉛合金めっき皮膜を直接形成でき、しかも人体や環境に対する悪影響が少ない安全性に優れ、電解中の電流密度によらず該めっき皮膜の組成が一定であって、長時間連続電解を行った後においても、光沢のあるめっき皮膜が得られる銅−亜鉛合金電気めっき液を提供する。
【解決手段】下記(a)〜(f)に示す成分を含有する、銅−亜鉛合金電気めっき液:
(a)銅化合物、
(b)亜鉛化合物、
(c)ポリリン酸及びその塩から選ばれた少なくとも1種の化合物、
(d)オキシカルボン酸及びその塩から選ばれた少なくとも1種の化合物、
(e)α−アミノ酸のアラルキルエステル、
(f)α−アミノ酸のアラルキルエステルのスルホンアミド化物。 (もっと読む)


【課題】 金属材料の表面に形成された合金電着膜中に鉄とニッケルとクロムが均一に分布するようになる、鉄・ニッケル・クロム合金めっき液及びめっき方法を提供する。
【解決手段】 スルファミン酸ニッケルと、スルファミン酸第一鉄と、スルファミン酸クロムと、クエン酸カリウムと、硫酸アンモニウムとを含み、クロムの含有量が1リットル当たり17〜28gである鉄・ニッケル・クロム合金めっき液、このめっき液を用いて、電流密度が13〜35A/dmによりめっき処理を行うめっき方法により課題を解決した。 (もっと読む)


【課題】
金皮膜の膜厚を0.1μm未満にしても金皮膜にピンホールを生じさせないめっき液を提供する。
【解決手段】
シアン化金及び/又はシアン化金塩と、水溶性コバルト塩又は水溶性ニッケル塩と、有機酸伝導塩と、芳香族スルホン酸化合物と、カルボン酸、オキシカルボン酸、及びこれらの塩から成る群から選択される1又は2種以上の組合わせと、窒素を含む五員複素環式化合物複素芳香族化合物と、を含有する電解硬質金めっき液を用いて部分めっき処理を行うと金皮膜の膜厚が0.1μm未満であっても金皮膜にピンホールを生じさせない。 (もっと読む)


【課題】 実用的な大きさの被めっき物にクロムめっきを施した場合であっても、めっき液の温度が上昇し過ぎることなく、数マイクロメートル以上のクロムめっきを施すことができる3価クロムめっき液、さらには、スルファミン酸クロム溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】 スルファミン酸クロムと、クエン酸カリウムと、硫酸アンモニウムとを含んでなることを特徴とする3価クロムめっき液により課題を解決し、スルファミン酸を水に溶かしたスルファミン酸水溶液に、粒径0.001mm以上5mm以下のクロム金属粉を加えて、35〜65℃に保ちながら攪拌して、スルファミン酸とクロム金属を反応させてなることを特徴とするスルファミン酸クロム溶液の製造方法などにより課題を解決した。 (もっと読む)


【課題】めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、pHが5以上8以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が0.3mol/L以下であり、キレート剤のモル濃度/スズイオンのモル濃度が2.5以下である。 (もっと読む)


【課題】素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、pHが3以上8以下であり、水に対する水酸化物の溶解度が0.5mol/L以上であるカチオンの濃度が、0.5mol/L以下である。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を使用しない、素地との密着性に優れた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法および銅−亜鉛合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法において、銅−亜鉛合金電気めっき浴が銅塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有し、かつ、陰極電流密度を0.5〜1.5A/dmとする。 (もっと読む)


【課題】 広い電流密度範囲での均一性等の向上と、良好な皮膜外観やハンダ付け性を達成し、バレルメッキに際して、導電性媒体や被メッキ物同士の凝集を防止する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。化合物(C)を含有するため、広い電流密度範囲で皮膜の均一性や平滑性を向上でき、皮膜外観やハンダ付け性に優れ、当該浴をバレルメッキに適用すると、導電性媒体同士の凝集を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ICにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ICのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してICを回路基板に装着するICの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するICの装填方法である。アニールの省略でCu3Sn層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 (もっと読む)


【課題】凹部の側面にメッキ層を形成する場合、凹部内に存在するメッキ液の入れ替えが困難であるため、いわゆるエッジ効果により、凹部側面のうち、凹部の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部の開口部に近い部分におけるメッキ層が小さくなってしまう。
【解決手段】主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキと、を備えた配線基板とする。 (もっと読む)


銅イオン源と、式Iの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが30ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化1】


[式中、
−R1基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−R2基は、それぞれ独立して、R1またはアルキルから選ばれ、−XとYは独立して、また各繰返単位のXが独立して、C1〜C6アルキレン及びZ−(O−Z)m(但し、Z基はそれぞれ独立してC2〜C6アルキレンから選ばれる。)から選ばれるスペーサー基であり、−nは0以上の整数であり、−mは1以上の整数である。] (もっと読む)


【課題】各種の素材に対して適用可能であって、しかも特殊な装置を用いることなく、安価に実施可能な方法によって、均質で良好な多孔質皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】疎水性基を有する水溶性第4級アンモニウム化合物からなる多孔質めっき皮膜形成用の電気めっき浴用添加剤、及び
該添加剤を含む電気めっき浴中において、電気めっき処理を行うことを特徴とする多孔質めっき皮膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を含むことなく、耐腐食性の良好なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Mに対する、アミノ酸またはその塩の容量モル濃度Aの比(A/M)が、5%以下である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。 (もっと読む)


【課題】シアン化合物を含むことなく、経時的に安定なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴および銅−亜鉛合金めっき付きスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩、亜鉛塩およびソルビトールを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。さらに、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含有することが好ましく、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Mに対する、ソルビトールの容量モル濃度Sの比(S/M)が、2.0〜6.2%であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。
【解決手段】電解析出で製造した電解銅皮膜において、式1に示すLMP値が9000以上となる加熱処理を施すと、加熱処理後の結晶粒の最大長さが10μm以上となる結晶粒子が70%以上存在する結晶分布となる電解銅皮膜とその製造方法。
式1:LMP=(T+273)*(20+Logt)
ここで、20は銅の材料定数、Tは温度(℃)、tは時間(hr)である。 (もっと読む)


【課題】被亜鉛合金めっき目的物の装飾性、機能性を低下させることのない亜鉛合金めっき方法を提供する。
【解決手段】リンの酸素酸、リンの酸素酸塩およびこれらの無水物からなる群より選ばれる少なくとも一種と、リン酸亜鉛被膜形成助剤と、亜鉛イオンと、を含む亜鉛合金めっき浴に導電性を有する金属材料を接触させ、該金属材料をめっき処理することにより金属材料表面にリン酸亜鉛含有亜鉛合金めっき被膜を形成する。本発明はスチールコード用ワイヤに好適に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、錯化剤を含有せず、電気錫めっきを行う場合、特にバレルめっき法を用いて電気錫めっきを行う場合にカップリングレートが極めて小さく、かつはんだぬれ性の良好なめっき液及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、(A)第一錫イオン、(B)酸、(C)N,N−ジポリオキシアルキレン−N−アルキルアミン、アミンオキシドまたはこれらの混合物及び(D)固着防止剤を含有し、pH1以下のチップ部品用電気錫めっき液を提供する。 (もっと読む)


本発明は、薄膜太陽電池に有用な基質に、11(IB)族金属/2成分もしくは3成分系11(IB)族−13(IIIA)族/3成分、4成分もしくは5成分系11(IB)族−13(IIIA)族−16(VIA)族合金を堆積するための電気メッキ用添加物に関する。添加物は一般式(A)を有する。


式中、XおよびXは同一もしくは異なっていてもよく、アリーレンおよびヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる。FGとFGは同一もしくは異なっていてもよく、−S(O)OH、−S(O)OH、−COOH、−P(O)OH、第1級、第2級、第3級アミノ基およびそれらの塩およびエステルよりなる群から選ばれる。Rはアルキレン、アリーレンまたはヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる、mおよびnは1〜5の整数である。 (もっと読む)


【課題】電子機器のコネクター等の部分めっきに適した、限られた狭い範囲に高い精度でめっきできる金含有部分めっき用めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金塩を金含有量として1.0〜15g/lと、脂肪族α−アミノ酸10〜100g/lと、伝導塩10〜100g/lと、を含有する金含有部分めっき用めっき液。本発明のめっき液は、脂肪族α−アミノ酸を含有するので、電気伝導度が50000μS以下である。本発明のめっき液は、めっきつきまわり性が低いので、フープめっき、リールツーリールめっきを用いた部分めっきに最適である。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板等の端子表面や電子部品の端子表面にウィスカーの発生を抑制する錫めっき及び錫合金めっきを付与する表面処理方法を提供する。
【解決手段】有機スルホン酸、有機スルホン酸の2価錫塩、非イオン系界面活性剤、有機塩素系化合物及び有機塩素系アルデヒド化合物を必須成分として含有するめっき液を用いて、プリント配線板等の電子部品の端子表面を電気めっきしてウィスカー発生防止性めっき層を形成する。 (もっと読む)


21 - 40 / 74