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Fターム[4K023BA17]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 基本メッキ浴 (1,380) | Meの亜硫酸塩を含有する (23)

Fターム[4K023BA17]に分類される特許

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【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として1〜20g/Lであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が5〜150g/Lであり、光沢化剤の含有量は、0.5〜100mmol/Lである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び/又はスルホンから選択される1種又は2種以上の化合物が好ましい。 (もっと読む)


【課題】環境に配慮しつつ、ゴムとの接着性に優れたブラスめっき鋼線の製造方法、ブラスめっき鋼線およびそれを用いた空気入りタイヤを提供する。
【解決手段】シアン化合物を含まない非シアンブラスめっき浴を用いて鋼線にブラスめっき処理を施すブラスめっき鋼線の製造方法である。非シアンブラスめっき浴が、銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有し、かつ、pHが8.5〜14であり、ブラスめっき処理を、鋼線の伸線加工による伸線加工歪を是正する熱処理後に、非シアンブラスめっき浴の浴温50℃以下、陰極電流密度3〜10A/dmの条件で施すことにより、ブラスめっき被膜厚を800nm以下で、かつ、ブラスめっき結晶平均粒径を50nm以下とする。 (もっと読む)


【課題】電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。
【解決手段】金イオン源と、コバルト塩またはニッケル塩を含む金属イオン源と、下記式で示されるメルカプトテトラゾールまたはその塩を含む組成物。


(式中、R1は、水素、C1−C20)炭化水素基、(C8−C20)アルアルキル、フェニル、ナフチル、アミンまたはカルボキシル基;Xは水素、(C1−C2)アルキル、またはアルカリ金属、カルシウム、アンモニウムまたは第四級アミンのような好適な対イオンである) (もっと読む)


【課題】
金皮膜の膜厚を0.1μm未満にしても金皮膜にピンホールを生じさせないめっき液を提供する。
【解決手段】
シアン化金及び/又はシアン化金塩と、水溶性コバルト塩又は水溶性ニッケル塩と、有機酸伝導塩と、芳香族スルホン酸化合物と、カルボン酸、オキシカルボン酸、及びこれらの塩から成る群から選択される1又は2種以上の組合わせと、窒素を含む五員複素環式化合物複素芳香族化合物と、を含有する電解硬質金めっき液を用いて部分めっき処理を行うと金皮膜の膜厚が0.1μm未満であっても金皮膜にピンホールを生じさせない。 (もっと読む)


【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液21への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液21へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 (もっと読む)


【課題】プレス打抜き等により所望の複雑な形状に加工された後の、めっき焼けがなく、大量のスラッジ及び泡が発生せず、めっき付着性の良好な高電流密度Snめっき用硫酸浴を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸:30〜120g/l、硫酸錫:30〜150g/lを含有するとともに、光沢剤として親水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー:0.5〜5g/l、エチレンジアミンEO−PO付加物:0.025〜2.5g/l、クミルフェノールEO付加物:0.025〜2.5g/l、酸化防止剤としてピロガロール或いはハイドロキノン:0.3〜10g/l、消泡剤として疎水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー:0.05〜1g/lを含有する。 (もっと読む)


【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】(a)亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として1〜20g/Lと、
(b)Tl化合物、Pb化合物又はAs化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として0.1〜100mg/Lと、
(c)亜硫酸ナトリウムが5〜150g/Lと、
(d)無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として1〜60g/Lと、
(e)所定の置換芳香族化合物が0.1〜200mmol/Lと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 (もっと読む)


【課題】めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、pHが5以上8以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が0.3mol/L以下であり、キレート剤のモル濃度/スズイオンのモル濃度が2.5以下である。 (もっと読む)


【課題】Pd−Au合金めっき液に関して、めっき液としての安定性に優れ、かつ、電流密度に対して安定した共析率のめっき皮膜を得ることが可能なパラジウム金合金(Pd−Au合金)めっき液を提供すること。
【解決手段】本発明によるパラジウム金合金めっき液は、可溶性パラジウム塩と、可溶性金塩と、メタ重亜硫酸カリウム、メタ重亜硫酸ナトリウムおよびメタ重亜硫酸アンモニウムからなる群より選択される1以上のものと、サッカリンおよびサッカリンナトリウムからなる群より選択される1以上のものとの組合せからなる結晶調整剤とを含んでなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】選択的な部分めっき処理が可能で、コネクターなどの電子部品に好適な硬質金系めっき液を提供する。
【解決手段】可溶性金塩または金錯体、伝導塩、キレート化剤を含む硬質金系めっき液において、1つ以上のニトロ基を有する芳香族化合物、例えば、ニトロ安息香酸、ジニトロ安息香酸、ニトロベンゼンスルホン酸の一群から選ばれる芳香族化合物を含有することを特徴とする。また、コバルト塩、ニッケル塩、銀塩の少なくとも1種の金属塩、或いはポリエチレンイミンの有機添加剤をさらに含むことを特徴する。 (もっと読む)


【課題】
硬質金めっきが可能であり、かつめっき液の安定性が良好な、シアン化合物を用いない電解合金めっき液およびそれを用いた電解合金めっき方法を提供する
【解決手段】
本発明の電解金合金めっき液は、金イオンと、ニッケルまたはコバルトを含む少なくとも1種の金以外の金属イオンと、金亜硫酸塩以外の亜硫酸塩と、チオ硫酸塩および/またはチオシアン酸塩とを含有し、浴組成物にシアン化合物を含有しない。 (もっと読む)


【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩5〜150g/Lと、緩衝剤と、分子量2000〜6000のポリアルキレングリコール0.01〜10mg/Lと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはTl化合物、Pb化合物、またはAs化合物が、水溶性アミンとしては炭素数2〜6のジアミン化合物が好ましい。 (もっと読む)


【課題】異方性導電接着剤を用いた熱圧着による接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、結晶調整剤と、亜硫酸カリウムからなる伝導塩5〜150g/Lと、分子量が200〜6000のポリアルキレングリコール1mg/L〜6g/L及び/又は両性界面活性剤0.1mg〜1g/Lと、水溶性アミン及び/又は緩衝材とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。パターンニングされたウエハ上に本発明の金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、200〜400℃で5分以上熱処理することにより、皮膜硬度が50〜90Hv、表面の高低差が1.8μm以下のバンプが形成される。 (もっと読む)


実用品又は日用品は、装飾の理由から及び腐食の保護のために青銅層で電解被覆される。装飾用青銅層を生じさせるためにこれまで使用されてきた電解液は、シアン化物含有であるか又は有機スルホン酸ベースの浴の場合のように高度に腐食性であるかのいずれかであり、又はシアン化物フリーの二リン酸をベースとする浴の場合のように不十分な長期安定性を有する。エレクトロニクス工業におけるろう付け可能な青銅層の施与に使用される電解液は、たいてい有毒又は非常に有毒なチオ化合物を含有する。本発明を用いて、装飾用青銅層の電解析出のための長期安定で無毒な電解液及び実用品及び工業品上へのそのような装飾用青銅層を施与する相応した方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】 金バンプが相手基板等と接合する際、圧着力で潰れて広がり短絡するという信頼性低下をカバーするために十分な皮膜硬度を達成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムからなる金源と、水溶性アミンからなるスタビライザと、結晶調整剤と、亜硫酸塩及び硫酸塩からなる伝導塩と、緩衝剤とを含有すると共に、ポリアルキレングリコール及び/又は両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴であって、平均分子量300〜900未満のポリアルキレングリコールを1.5〜20g/L含有、又は、平均分子量900〜10000のポリアルキレングリコールを0.01g/L以上含有し且つ両性界面活性剤を0.1〜1000mg/L含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴とする。 (もっと読む)


【課題】 パッシベーション段差に起因して発生した金めっき皮膜上の凹みを解消して金ビーズ、半田ビーズ等のビーズによる十分な密着強度を達成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 金源としての亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩及び硫酸塩と、緩衝剤とを含有すると共に、パラジウム、白金、亜鉛及び銀の塩のいずれか1種以上の塩を金属濃度として0.1mg〜100mg/L含有する金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴とする。 (もっと読む)


【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ所望でない箇所には析出することを抑制する、硬質金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】硬質金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルト塩およびヘキサメチレンテトラミンを含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 (もっと読む)


【課題】電気的に接続する部分に施される金めっきにおいて、硬度および電気伝導性共に優れた金めっき膜を得る金めっき方法を提供する。
【解決手段】カチオン系添加剤を添加された非シアン系の金めっき浴を用い、陰極となる被めっき体と陽極の間にパルス周期5msec以上300msec以内で、デューティ比0.001以上0.5以内のパルス電流を供給することにより、単一金属元素からなり、平均粒径が17nm以上25nm以下の範囲である結晶子から構成され、ビッカース硬度が160Hv以上である金めっき膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 マスク材開口部のめっき時の拡がりを抑制し、設計寸法と大差ない寸法のバンプや配線を形成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤と、ポリアルキレングリコール及び/または両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。ポリアルキレングリコールの配合量は0.1mg〜10g/Lが好ましく、両性界面活性剤の配合量は0.1mg〜1g/Lとすることが好ましい。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン系を好ましく使用できる。 (もっと読む)


【課題】改善された輝きおよび色の一様性を有する堆積物をもたらす、カドミウムを含まない金合金電解質の提供。
【解決手段】金合金を堆積させるための組成物および方法が開示される。組成物は、特定のジチオカルボン酸およびこれらの塩およびエステルと、メルカプト基含有化合物を含み、一様な色を呈する輝いた金合金堆積物を提供する。 (もっと読む)


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