【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第４周期から第６周期の第VIII、IＢ、IIＢ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ属から選ばれた金属（例えば、銀、銅、ビスマスなど）の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ベンゾアゾール環の２位のメルカプト基にＣ₃〜Ｃ₆アルキレンが結合した特定の２−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記Ｃ₃〜Ｃ₆アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、ｐＨが８．５〜１４である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。好適にはｐＨは１０．５〜１１．８であり、ピロりん酸アルカリ金属塩としてはピロりん酸カリウムおよびピロりん酸ナトリウムを好適に用いることができる。また、アミノ酸またはその塩としてはヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、銅−亜鉛合金めっき層の表面のやけを抑制し、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、ポリエーテルとを含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴である。好適にはポリエーテルの分子量は１００〜５０００、質量濃度が１００ｐｐｍ〜５％の範囲である。さらに、アミノ酸またはその塩として、ヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のある合金層を、従来よりも高い電流密度であっても形成することができ、生産性に優れた銅−亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、アミノ酸またはその塩の濃度が０．０８ｍｏｌ／Ｌ〜０．２２ｍｏｌ／Ｌである銅−亜鉛合金電気めっき浴である。アミノ酸またはその塩としてはヒスチジンまたはその塩を好適に用いることができる。本発明の銅−亜鉛合金電気めっき浴のｐＨは、好適には１０．５〜１２の範囲である。 （もっと読む）

析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がＴＥＭおよびＸＲＤ結晶質の両方であり得るか、またはＴＥＭ結晶質でありそしてＸＲＤ非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金；｛１１１｝の優先方位；約５００ｎｍ^２未満の平均結晶粒断面積；および２．８８９５±０．００２５Åの格子定数の１または２以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、３価クロム、２価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電析浴を提供する工程；浴に基材を浸漬する工程；および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
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【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式（Ｉ）を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−[Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）Ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ]ｕ−Ｈ（Ｉ）（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−、Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ−；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３、Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−。） （もっと読む）

【課題】ガラス、セラミックス等の非導電性材料表面に対しても適用可能なめっき皮膜の形成方法であって、簡単な処理工程によって優れた密着性を有する金属皮膜を形成でき、しかも、厚膜化が容易な方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を含む電気銅めっき方法：
（１）亜鉛イオン、硝酸イオン及びアミンボラン化合物を含み、亜鉛イオン濃度が０．０３〜０．２モル／Ｌであって、硝酸イオンのモル濃度が亜鉛イオンのモル濃度の１〜３倍の範囲内にある水溶液からなる酸化亜鉛膜形成用組成物を被処理物に接触させて、酸化亜鉛膜を形成する工程、
（２）触媒金属を含有するｐＨ３．５以上の水溶液からなる触媒付与液に接触させて触媒を付与する工程、
（３）無電解めっき皮膜を形成する工程、
（４）酢酸銅、導電性塩及び塩化物イオンを含有する水溶液からなる電気銅めっき液を用いて電気銅めっき皮膜を形成する工程。 （もっと読む）

【課題】固形物の析出が少なく、長時間に亘り保存安定性がよく、製品にクラックやウィスカーが生じ難く、接合強度に優れた錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液及びこれを用いて形成された錫−銀−銅−ニッケル含有めっき被膜を提供する。
【解決手段】スルホン酸類を溶かした水を主体とする媒体に、錫イオンを主体とし、銀イオン及び銅イオンを含み、更に微量のニッケルイオンを含む錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液であって、錫イオンの濃度が０．１５〜１．５ｍｏｌ／Ｌ、銀イオンの濃度が０．００１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、銅イオンの濃度が０．００１〜０．０１ｍｏｌ／Ｌ、ニッケルイオンの濃度が０．００００００１〜０．０００００４ｍｏｌ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金合金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ、所望でない箇所には析出することを抑制する、金合金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】金合金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルトイオン、ヘキサメチレンテトラミンおよび特定の光沢剤を含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 （もっと読む）

【課題】ノーシアンタイプの銅−錫合金めっきでの課題である２μｍ以上の厚膜時においても、連続的な衝撃による皮膜の剥離あるいは割れのない連続衝撃性に強いノーシアンタイプの銅−錫合金めっきの製造方法の提供。
【解決手段】(1)金属あるいは表層に金属層を有するセラミックの中から選ばれる素材に、または(2)表層に金属層を有するプラスチックの中から選ばれる素材に、少なくとも可溶性銅塩及び可溶性錫塩、有機酸及び／または無機酸及び／またはこれらの可溶性塩、特定の添加剤（光沢剤）から構成されるシアンを含有しない銅−錫合金めっき浴中で、電気めっきを施した後、上記(1)及び(2)で異なる特定の条件でベーキング処理することを特徴とする耐連続衝撃性に優れた、銅−錫合金めっきの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの熱界面材料として熱発生デバイスに結合して用いられるインジウム金属およびその合金の電気化学的な析出のための改善されたインジウム組成物及びインジウム組成物で製造した物品の提供。
【解決手段】イミダゾールなどの窒素含有化合物を共重合化合物とするエピハロヒドリンコポリマーを水素抑制剤化合物として含む１以上のインジウムイオン源からなる組成物、および該組成物から基体上にインジウム金属を電気化学的に析出させて製造した物品。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜上のクラックの発生が少ないイリジウム・コバルト合金めっき液を提供すること。
【解決手段】可溶性イリジウム塩及び可溶性コバルト塩を含有することを特徴とするイリジウム・コバルト合金めっき液。 （もっと読む）

本発明は、均一で、欠陥がなく、滑らかなＧａ膜を、高いめっき効率及び繰り返し精度で析出させるための、ガリウム（Ｇａ）電気めっき方法及び化学に関する。このような層は、薄膜太陽電池などの電子デバイスの作製に使用され得る。ある実施形態では、本発明は、Ｇａ塩と、錯化剤と、溶媒とを含んだ、導体に適用するための溶液を提供し、サブミクロン厚を有したＧａ膜は、この溶液を導体に電着させることによって、作製される。この溶液は、Ｃｕ塩およびＩｎ塩のうちの一方又は双方を更に含み得る。 （もっと読む）

【課題】 酸性銅めっき処理において、ブラインドビアホールやスルーホールの内部やコーナー部のめっき付き回り性およびめっき面のレベリング性などのめっき外観のいずれにおいても優れた特性を与え、かつ下地不良にも対応できる新規なめっき用レベリング剤を提供する。
【解決手段】 ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位と、（メタ）アクリルアミド類単位と、二酸化イオウ単位とを含むジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと（メタ）アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなるめっき用レベリング剤である。 （もっと読む）

【課題】感光性デバイス上の電気的接触部をめっきする方法、太陽電池上の電気的接触部をめっきする方法を提供する。
【解決手段】太陽電池などの、半導体ウェーハ１０の裏面１１は例えば銀などで金属化し、前面１２はバスバー１４および電流収集線１５からなる金属パターンを銀含有伝導性ペースト上に堆積された銀の層から構成する。金属パターンは前面とオーム性接触をしている。ウェーハ前面は、例えば窒化ケイ素または他の誘電体材料をはじめとする反射防止コーティングでコーティングし、半導体ウェーハを入射光に付させながら、シアン化物非含有めっき浴を用いて、金属層、特に銀層が焼成伝導性ペースト上に堆積される。ウェーハ裏面は電源からめっきセルに電位を適用することによって、ウェーハ前面と裏面に同時に行われる。 （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法の提供。
【解決手段】電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる工程；前記表面にバイアスをかけている間に、被膜を形成する工程；前記表面に電気的なバイアスをかけながら、前記表面を電気めっき用浴と分離する工程を含み、前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、０．４〜４０ｍＭの濃度の銅イオン源；ならびに少なくとも１種の銅錯化剤を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 有害な鉛を含まず、優れたはんだぬれ性を有する錫電気めっき液、およびそのような錫電気めっき液を用いて電子部品等に錫被膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】 第一錫イオンと、有機酸と、２−ナフトール−７−スルホン酸またはその塩を含有し、実質的に鉛イオンを含有しない錫電気めっき液であって、任意に酸化防止剤および界面活性剤を含有する。有機酸がアルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸からなる群から選ばれる１以上の酸であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）