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Fターム[4K023BA23]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 基本メッキ浴 (1,380) | Meに係る錯化合物を含有する (119) | アルカリ金属のハロゲン化Me錯塩を含有する (8)

Fターム[4K023BA23]に分類される特許

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【課題】浴の均一電着性に有意な影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を生成する、PCBの製造に使用される銅電気めっき浴における使用のための平滑化剤及びそれを使用しためっき方法を提供する。
【解決手段】1種以上の特定のシクロジアザ化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む銅めっき浴が提供され、この浴は導電層の表面上に銅を堆積させる。このめっき浴は様々な銅濃度にわたって基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 (もっと読む)


【課題】溶融塩電池の電極として用いることに適した金属多孔体として三次元網目構造を有しアルミニウムからなる金属多孔体およびその製造方法、さらにそれを用いた溶融塩電池を提供することを目的とする。
【解決手段】中空骨格により三次元網目構造をなす金属多孔体であって、該中空骨格は1μm〜100μmの厚さのアルミニウム層で形成され、前記アルミニウム層の内側表面および外側表面に錫層を備えた金属多孔体とした。かかる金属多孔体は三次元網目構造を有する樹脂成形体の表面に錫層を形成する内側錫層形成工程と、前記内側錫層の表面にアルミニウム層を形成するアルミニウム骨格形成工程と、前記アルミニウム骨格の表面に錫層を形成する外側錫層形成工程と、前記アルミニウム骨格形成工程の後または前記外側錫層形成工程の後に、前記樹脂成形体を除去する樹脂除去工程とにより得られる。 (もっと読む)


【課題】環境に配慮しつつ、ゴムとの接着性に優れたブラスめっき鋼線の製造方法、ブラスめっき鋼線およびそれを用いた空気入りタイヤを提供する。
【解決手段】シアン化合物を含まない非シアンブラスめっき浴を用いて鋼線にブラスめっき処理を施すブラスめっき鋼線の製造方法である。非シアンブラスめっき浴が、銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有し、かつ、pHが8.5〜14であり、ブラスめっき処理を、鋼線の伸線加工による伸線加工歪を是正する熱処理後に、非シアンブラスめっき浴の浴温50℃以下、陰極電流密度3〜10A/dmの条件で施すことにより、ブラスめっき被膜厚を800nm以下で、かつ、ブラスめっき結晶平均粒径を50nm以下とする。 (もっと読む)


【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式(I)を有する1以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。H−A’p−Q−[C(O)−CH2O−((R1CH)t−O)Z−CH2−C(O)−NH−A]u−H(I)(式中、A’は、−(NH−(CH2)x’)y’;−NH(CH2)x’−(O−(CHR1)r’)w’−O−(CH2)x’−;または−NH−((R1CH)r’−O)w’−C2H4−、Aは、−((CH2)x−NH)y−;−(CH2)x−(O−(CHR1)r)w−O−(CH2)x−NH−;または−((R1CH)r−O)w−C2H4−NH−、R1は、−Hまたは−CH3、Qは、p=1のとき−NH−、またはp=0のとき、−O−。) (もっと読む)


【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金合金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ、所望でない箇所には析出することを抑制する、金合金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】金合金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルトイオン、ヘキサメチレンテトラミンおよび特定の光沢剤を含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜上のクラックの発生が少ないイリジウム・コバルト合金めっき液を提供すること。
【解決手段】可溶性イリジウム塩及び可溶性コバルト塩を含有することを特徴とするイリジウム・コバルト合金めっき液。 (もっと読む)


【課題】析出効率を高く安定に維持することができ、クラックの発生が実用上問題にならないくらいに少なくて、良好なめっき皮膜を形成することのできるめっき方法を提供すること。
【解決手段】陰極側と陽極側の溶液を隔膜で分離し、陰極側に可溶性イリジウム塩を含有するめっき液を用い、陰極側の部材表面をめっきすることを特徴とするめっき方法。 (もっと読む)


【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が2層以上の多層で構成され、上記多層のうちの1層が、上記基体に接して設けられた厚さ0.1〜20μmのバリア層であり、かつ他の1層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ0.1〜20μmの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数CV値が40%以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 (もっと読む)


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