【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ／銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は１種以上の空隙抑制金属を含む。 （もっと読む）

【課題】めっき工程を用いつつ、母型を用いないで微細構造体を製造する方法およびその方法により製造された微細構造体を提供する。
【解決手段】水溶性第一スズ含有物質、水溶性銅含有物質、硫酸イオンおよびスルホン酸イオンの少なくとも一方、有機錯化剤、ならびに非イオン性界面活性剤を備える酸性のスズ系めっき液を用いて、めっき温度を６０℃以下、電流密度を１０Ａ／ｄｍ^２以下、かつ積算電流量を５００Ａｓｅｃ／ｄｍ^２以上としてめっきを行い、ほぼ薄板状の皮膜部と当該皮膜部の表面から突出し錐形状を有する複数の突起部とを備え、当該突起部について、その底面の円換算直径に対する高さの比率であるアスペクト比が０．５以上、かつ皮膜部上の密度が前記皮膜部の投影面積１ｍｍ^２あたり１００個以上であるスズ系めっき構造体を、前記突起部についての母型を用いることなく得る。 （もっと読む）

【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴において、広範囲の電流密度域での電着皮膜の外観や均一電着性を向上し、スズ合金皮膜の組成比を安定にする。
【解決手段】 （Ａ）スズ塩と、スズ塩及び銀、銅、ビスマス、鉛などの所定の金属塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、（Ｂ）酸又はその塩と、（Ｃ）特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。上記フェナントロリンジオン化合物を含有するため、広範囲の電流密度域で優れた均一電着性と良好な皮膜外観を具備できる。スズ合金メッキでは、広範囲の電流密度域で均一な合金組成を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長法などの多くのエネルギを消費する方法によらず電気めっきによる環境に優しい方法により作製された金属炭化物めっき膜を提供する。
【解決手段】金属イオンと、シアンイオンと、前記金属イオンと錯体を形成する有機酸イオンとを含む電気めっき液に、陰極として電解脱脂処理及び酸活性処理されたＮｉ基板と、陽極として網状の白金被覆チタン電極を浸漬し、電流密度を調整してめっきすることにより、金属炭化物Ｎｉ３Ｃに相当する主相を有するめっき膜Ｂ、Ｃ、Ｄを得た。 （もっと読む）

【課題】めっき処理効率およびめっき層の均一性に優れ、かつ、省スペース性に優れた鋼線への銅−亜鉛合金めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき槽４中のめっき液に鋼線ｗを通線することにより、鋼線ｗに銅−亜鉛合金めっき層を形成する鋼線ｗへの銅−亜鉛合金めっき方法である。めっき槽４中で鋼線ｗの走行方向の反対方向にめっき液を流す。めっき槽４は複数であることが好ましく、また、めっき槽４は並列に配置されていることが好ましく、アノードとしては、銅−亜鉛合金アノードを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】めっきヤケを生じず、均一な銅−亜鉛合金めっき層の生産性を向上させることができる銅−亜鉛合金めっき方法およびそれに用いる銅−亜鉛合金めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有し、ｐＨが８．５〜１４である銅−亜鉛合金めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき方法である。めっき処理の際に、１０Ａ／ｄｍ^２を超える陰極電流密度で銅−亜鉛合金めっき処理を行う。銅−亜鉛合金めっき浴は、下記式、
Ｐ比＝Ｐ_２Ｏ_７の質量／（Ｃｕの質量＋Ｚｎの質量）
で表わされるＰ比が３．０〜７．０を満足することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板のような基体上に平滑な表面を有する、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】特定のイミダゾール化合物と特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む、銅めっき浴である。金属電気めっき浴に使用される平滑化剤の量は、０．２５〜５０００ｐｐｍ、である。該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ；並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する：ことを含む、基体上に銅を堆積する。 （もっと読む）

【課題】被めっき体に対して安定して密着性及び平滑性に優れた緻密な銅−亜鉛合金めっき皮膜を直接形成でき、しかも人体や環境に対する悪影響が少ない安全性に優れ、電解中の電流密度によらず該めっき皮膜の組成が一定であって、長時間連続電解を行った後においても、光沢のあるめっき皮膜が得られる銅−亜鉛合金電気めっき液を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｆ）に示す成分を含有する、銅−亜鉛合金電気めっき液：
（ａ）銅化合物、
（ｂ）亜鉛化合物、
（ｃ）ポリリン酸及びその塩から選ばれた少なくとも１種の化合物、
（ｄ）オキシカルボン酸及びその塩から選ばれた少なくとも１種の化合物、
（ｅ）α−アミノ酸のアラルキルエステル、
（ｆ）α−アミノ酸のアラルキルエステルのスルホンアミド化物。 （もっと読む）

【解決手段】３価クロム化合物と６価クロム化合物とを、３価クロムと６価クロムとの合計クロム濃度が６０〜１４０ｇ／Ｌであり、６価クロム濃度が５〜４０ｇ／Ｌであると共に、６価クロム濃度の割合が合計クロム濃度の５〜３５質量％である割合で含み、かつ有機カルボン酸イオンを５０〜４００ｇ／Ｌ含み、鉛イオン濃度が２ｍｇ／Ｌ以下である酸性の電気クロムめっき浴に被めっき物を浸漬し、陽極として酸化イリジウム含有膜を少なくとも表面に有する陽極を用いて電解することを特徴とするクロムめっき方法。
【効果】本発明によれば、長期に亘り安定して良好なクロムめっき皮膜が得られ、めっき浴の管理も非常に容易である。 （もっと読む）

【課題】 リン酸亜鉛化成処理やジルコニウム系化成処理と言った塗装下地処理を行わずに塗装、特に電着塗装を施しても、塗装下地処理を行った場合と同等以上の塗装後耐食性および塗膜密着性を得ることのできると共に、防錆油の除去性に優れた表面処理鋼板およびその製造方法の提供。
【解決手段】 粒子状Ｂｉが鋼板表面に付着し、その上に防錆油が０．５〜２．０ｇ／ｍ^２塗油されていることを特徴とする表面処理鋼板。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用しない、素地との密着性に優れた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法および銅−亜鉛合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いた銅−亜鉛合金めっき被膜の製造方法において、銅−亜鉛合金電気めっき浴が銅塩、亜鉛塩、ピロりん酸アルカリ金属塩、およびアミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物から選ばれた少なくとも一種と、を有し、かつ、陰極電流密度を０．５〜１．５Ａ／ｄｍ^２とする。 （もっと読む）

【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ＩＣにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ＩＣのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してＩＣを回路基板に装着するＩＣの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するＩＣの装填方法である。アニールの省略でＣｕ₃Ｓｎ層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が向上した銅‐亜鉛合金めっき層を形成することができ、かつ、目的組成を有する均一で光沢のある銅‐亜鉛合金めっき層が幅広い電流密度で得ることができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度Ｐ（ｍｏｌ／Ｌ）の比（Ｐ／Ｍ）が２．０〜３．２の範囲である。総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）は０．０３〜０．５０（ｍｏｌ／Ｌ）の範囲であることが好ましく、また、ｐＨは５〜１０の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を含むことなく、耐腐食性の良好なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Ｍに対する、アミノ酸またはその塩の容量モル濃度Ａの比（Ａ／Ｍ）が、５％以下である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】電子機器のコネクター等の部分めっきに適した、限られた狭い範囲に高い精度でめっきできる金含有部分めっき用めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金塩を金含有量として1.0〜15ｇ/ｌと、脂肪族α−アミノ酸10〜100g/lと、伝導塩10〜100g/lと、を含有する金含有部分めっき用めっき液。本発明のめっき液は、脂肪族α−アミノ酸を含有するので、電気伝導度が50000μS以下である。本発明のめっき液は、めっきつきまわり性が低いので、フープめっき、リールツーリールめっきを用いた部分めっきに最適である。 （もっと読む）

【課題】シアン化物を含有せず、均一でおよび光沢のある白色青銅堆積物が得られる電気めっき液を提供する。
【解決手段】電気めっき液は、１以上のスズイオン源と、１以上の銅イオン源と、メルカプトトリアゾールおよびメルカプトテトラゾールからなる群より選択される１以上のメルカプタンとを含む、組成物からなる。 （もっと読む）

【課題】平滑な表面、高い耐食性、十分な耐摩耗性を有するめっき皮膜が得られ、生産性の高い３価クロムめっき浴を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の成分を含有することを特徴とする３価クロムめっき浴：（１）水溶液脂肪族カルボン酸及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分と３価クロム化合物を含む水溶液を加熱下に保持して得られる３価クロムの錯体溶液、（２）伝導性塩（３）ｐＨ緩衝剤、並びに（４）SO₂基を有する化合物及びSO₃基を有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の含イオウ化合物。 （もっと読む）

【課題】改善されたレベリング性能および改善された均一電着性を有する金属メッキ組成物が必要とされている。
【解決手段】基体上に金属をメッキするための金属メッキ組成物が開示される。金属メッキ組成物は、金属メッキ組成物のレベリングおよび均一電着性に影響を及ぼす化合物を含む。基体上に金属を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）