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Fターム[4K023BA29]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 基本メッキ浴 (1,380) | その他のMe化合物を含有する (204)

Fターム[4K023BA29]に分類される特許

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【課題】本発明は基板に銀あるいは銀合金層を堆積するためのシアン化物を使用しない電解質組成と前記シアン化物を使用しない電解質組成の助けでこのような層を堆積する方法に関する。本発明に従う電解質組成は少なくとも1つの銀イオン源、スルホン酸および/あるいはスルホン酸の誘導体、湿潤剤およびヒダントインからなる。このような電解質組成から本発明に従う方法の手段によって堆積される銀あるいは銀合金層は曇っていてそして延性がある。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜中の炭素粒子の含有量が多く、優れた耐摩耗性の複合めっき材を提供する。
【解決手段】酸化処理を行った後にシランカップリング処理を施した炭素粒子を有機溶媒中に分散させた電気泳動浴に、素材を浸漬して電気泳動を行うことにより、素材上に炭素粒子の堆積層を形成した後、この炭素粒子の堆積層を形成した素材を銀めっき液に浸漬して電気めっきを行うことにより、炭素粒子の堆積層を覆うように銀めっき層を形成する。このように銀めっき層を形成すると、炭素粒子間に銀が入り込んで、銀層中に炭素粒子を含む複合材からなる複合めっき皮膜が素材上に形成される。 (もっと読む)


【課題】 カドミウムを含有しない金、亜鉛、銅ベースの合金製の数100μmの厚さの部品あるいは層を電気鋳造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、電気鋳造する方法で製造した、88〜94重量%の金と、X(2と4の間の数)重量%の銅と/または銀と、2X重量%の亜鉛とを有する金合金の部品である。金合金の層を電気鋳造する本発明の方法は、(A)金属基板をアノードを含むアルカリ電解浴内に浸すステップと、(B)前記基板の表面上に金属製イオンを堆積するために、アノードとカソードの間に電圧を生成することにより、前記層を電気鋳造するステップと、(C)88〜94重量%の金を含有する層を生成するために、電気メッキされた層が所定の厚さに達した時に、電圧を切るステップとを有する。前記浴は、シアン化金カリウムの形態の金塩と、シアン化銅の形態の銅塩と、酸化亜鉛の形態の亜鉛塩と、シアン化ナトリウムと、水酸化ナトリウムと、エチレンジアミン四酢酸と、表面活性剤と、を含み、前記基板は、カソードを形成する。 (もっと読む)


本発明は、均一で、欠陥がなく、滑らかなGa膜を、高いめっき効率及び繰り返し精度で析出させるための、ガリウム(Ga)電気めっき方法及び化学に関する。このような層は、薄膜太陽電池などの電子デバイスの作製に使用され得る。ある実施形態では、本発明は、Ga塩と、錯化剤と、溶媒とを含んだ、導体に適用するための溶液を提供し、サブミクロン厚を有したGa膜は、この溶液を導体に電着させることによって、作製される。この溶液は、Cu塩およびIn塩のうちの一方又は双方を更に含み得る。 (もっと読む)


【課題】空気又は他の高濃度の酸素雰囲気中での高温による酸化を阻止できる磁気マイクロデバイスに用いることのできる磁性陽極酸化アルミニウムを提供する。
【解決手段】コバルト、白金、タングステン、リンからなる合金等を磁性材料として有する磁性陽極酸化アルミニウムは、磁性材料のナノワイヤ14のアレイ10がナノ細孔22内に形成された筐体を構成する陽極酸化アルミニウム層12を備える。ナノワイヤ14は、その側壁が酸化されるのを防止するために、陽極酸化アルミニウム層12のナノ細孔22内に埋め込まれている。 (もっと読む)


【課題】 酸性銅めっき処理において、ブラインドビアホールやスルーホールの内部やコーナー部のめっき付き回り性およびめっき面のレベリング性などのめっき外観のいずれにおいても優れた特性を与え、かつ下地不良にも対応できる新規なめっき用レベリング剤を提供する。
【解決手段】 ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位と、(メタ)アクリルアミド類単位と、二酸化イオウ単位とを含むジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと(メタ)アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなるめっき用レベリング剤である。 (もっと読む)


金属、または金属の化合物、例は、金属塩を備える液晶相から金属の化合物を電気化学的な手段により堆積するとき、イオン性界(表)面活性剤を普通に用いられる非イオン性界面活性剤の代わりに用いることによって、塩の高濃度を採用しうる。 (もっと読む)


【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が2層以上の多層で構成され、上記多層のうちの1層が、上記基体に接して設けられた厚さ0.1〜20μmのバリア層であり、かつ他の1層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ0.1〜20μmの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数CV値が40%以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 (もっと読む)


【課題】錫−銅合金、錫−銀合金および錫−銅−銀合金から選ばれた錫合金電気めっき皮膜に見られるウイスカ発生を、リフロー処理を利用せずに抑制する。
【解決手段】使用する電気めっき浴にボイド形成剤を含有させることによりめっき皮膜に微小なボイドを導入して、皮膜を軟質化する。錫−銅合金めっき皮膜の場合、ボイドを含有しないめっき皮膜のビッカース硬度を100%として、ビッカース硬度が80〜95%になるようにボイドを導入する。 (もっと読む)


基体表面上に亜鉛合金層を析出するための、シアン化物を含有しない水性アルカリ性浴について記載した。上記浴は、光沢剤としてカチオン性ピリジニウム化合物および錯化剤としてポリアミンを含有する。上記電解質浴は、光沢のある、均一な亜鉛合金被覆の電気めっきに適する。 (もっと読む)


本発明は、基体表面上に亜鉛および亜鉛合金の被覆を析出するための、シアン化物を含有しない水性アルカリ性電解質浴に関する。前記浴は、(a)亜鉛イオン源および任意的にさらに別の金属イオン源、(b)水酸化物イオン、(c)一般式Iの浴に可溶のポリマーおよび(d)一般式IIまたはIIIの少なくとも一種のピリジニウム化合物を含有する。上記電解質浴は、光沢のある平坦な亜鉛および亜鉛金属被覆の電気的析出に好適である。 (もっと読む)


【課題】非シアンの酸性のめっき浴を用いて、パターンめっきにおけるレジストの溶解がなくかつ密着性の良好な銀めっきを施す方法を提供する。
【解決手段】非シアンの酸性の銀めっき浴(A)を用いて銀めっきを行う銀めっき方法において、当該の銀めっき工程に先立って、非シアンの酸性のストライク浴(B)を用いてストライクめっきする工程を含む銀めっき方法。 (もっと読む)


【課題】ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物、該ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物を有する電気メッキ溶液及び該電気メッキ溶液を用いる表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物はニッケル塩、コバルト塩、リン酸含有化合物、並びに、トリエチレン・テトラアミン、ジエチレン・トリアミン及びヒドラゾベンゼンを含む多座キレート剤を有する。また、前記ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物を含む電気メッキ溶液とこの電気メッキ溶液を用いる材料表面処理方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】 2つの工程を含む電解銅めっき方法を提案する。方法は、非常に狭い場所のめっきに特に適する。
【解決手段】 第1工程は、硫黄含有有機化合物、好ましくは、1つ又は複数のアルカンスルホン酸エステル基及び/又はアルカンスルホン酸を含む抗抑制剤を含む前処理溶液を含む。第2工程は、アルカンスルホン酸に基づく電解銅めっき溶液を含む。 (もっと読む)


【解決手段】水溶性錫塩と、無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩から選ばれる1種又は2種以上と、水溶性タングステン塩、水溶性モリブデン塩及び水溶性マンガン塩から選ばれる1種又は2種以上とを含有する錫電気めっき浴。
【効果】チップ部品、水晶発振子、バンプ、コネクタ、リードフレーム、フープ材、半導体パッケージ、プリント基板等の電子機器を構成する部品などに、錫−鉛合金めっき材料の代替としてウィスカ抑制効果の高い錫めっき皮膜を形成できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、印刷シリンダー上に銅層を形成するための改良された銅めっき浴、及びその使用方法に関する。
【解決手段】銅めっき浴は、a)銅イオン源、b)メタンスルホネートイオン源、c)塩化物イオン源、d)式:R‐S‐R’‐SO‐X、又はX‐OS‐R’‐S‐R‐S‐R’‐SO‐Xを有する有機硫黄化合物(式中、Rはアルキル、ヒドロキシアルキル、又はアルキルエーテル、R’はC‐Cアルキル基、及びXはカチオンである)、及びe)ポリエーテル化合物を含む。銅めっき浴は、安定した硬度を有し、及び高速めっき中に自己アニーリングしないめっき被覆物を作製する。 (もっと読む)


2.8895±0.0025Åの格子定数を有する結晶質クロム堆積物、および該結晶質クロム堆積物を含む物品。結晶質クロム堆積物を含む物品は、該結晶質クロム堆積物が{111}の優先方位を有する。基材上に結晶質クロム堆積物を電析させるための方法は、3価クロムおよび2価硫黄源を含み、そして実質的に6価クロムを含まない電気めっき浴を提供する工程;基材を該電気めっき浴に浸漬する工程;および該基材上に結晶質クロム堆積物を析出させるために電流を付与する工程を包含し、該クロム堆積物は、析出したときに結晶質である。
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【課題】薄膜化しても、はんだぬれ性、ワイヤーボンディング強度等に優れためっき皮膜を与える電解用パラジウムめっき液を提供すること、及び、上記性能に優れたリードフレームを提供すること。
【解決手段】水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液、それを用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜、並びに、電解ニッケルめっき皮膜、上記電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレーム。 (もっと読む)


【課題】はんだ濡れ性に優れ、微小部分のはんだ接続に対しても接続信頼性の高いはんだめっきを提供すること。
【解決手段】錫または錫に、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム、金、銀、銅、ニッケルからなる群より選択される少なくとも一種の金属を含む合金中に、フラックス活性を有する化合物を含有し、また、前記フラックス活性を有する化合物は、分子中にカルボキシル基とフェノール性ヒドロキシル基が少なくとも1つ以上有し、さらに、前記フラックス活性を有する化合物が、めっき皮膜中に5〜30%含有することを特徴とするめっき。 (もっと読む)


【課題】過酷な冷熱サイクル試験条件の下でウイスカー発生が無く、しかも、下地の金属の影響を受けないスズめっき皮膜の形成が可能な技術の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、スズめっき液を電解することにより得られるスズめっき皮膜において、当該スズめっき皮膜は、圧縮応力を内包したものであり、スパイラル法で測定した場合の圧縮応力が1MPa以上であることを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜等を採用する。また、このスズめっき皮膜の形成に、メタンスルホン酸スズをスズイオンの供給源として用い、導電塩としての硫酸ナトリウム、両性界面活性剤を含有したスズめっき液等を採用する。 (もっと読む)


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