【課題】通電ロールへの金属錫の析出を効果的に抑制することができる錫めっき鋼帯の製造方法と、その製造に用いる水平型錫めっきセルを提供する。
【解決手段】可溶性の錫アノード５とめっき液４を備えるめっき槽１と、該めっき槽１の入側と出側のそれぞれに配設され、被めっき鋼帯Ｓを連続的に搬送する通電ロール２とバックアップロールのロール対とからなる水平型めっきセルを用いて、前記錫アノード５と被めっき鋼帯Ｓとの間に通電して錫めっき鋼帯を製造する方法において、前記錫アノード５と出側通電ロール２との間に遮蔽ダム９を設けた水平型錫めっきセルを用いることを特徴とする錫めっき鋼帯の製造方法。 （もっと読む）

【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】インデント加工して錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材上で複数回摺動させても摩擦係数が極めて低い複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】錫めっき液に炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した複合めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する際に、複合めっき液中の炭素粒子の濃度を８０ｇ／Ｌ以上、好ましくは８０〜１５０ｇ／Ｌにする。 （もっと読む）

【解決手段】 微細結晶子を有さない均質なアモルファス相で形成されてなる金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜、シアン化金塩を金基準で０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、コバルト塩をコバルト基準で０．０２〜０．２ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、及びタングステン酸塩をタングステン基準で０．１〜０．５ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度で含有する電気めっき液、及びこの電気めっき液を用いて金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法。
【効果】 本発明の金−コバルト系アモルファス合金めっき皮膜は、微細結晶を有さない均質なアモルファス相により形成されており、金本来の良好な接触抵抗値や化学的安定性を実用上問題にならない程度に維持しつつ、硬度が向上したものであることから、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に集積回路の配線の製造において銅拡散防止層をコーティングするための、電気めっき用組成物に関する。
【解決手段】
本発明によれば、本組成物は、溶媒中の溶液に、０．４〜４０ｍＭの濃度の銅イオン源と；１級脂肪族アミン、２級脂肪族アミン、３級脂肪族アミン、芳香族アミン、窒素複素環化合物およびオキシムからなる群から選択される少なくとも１種の銅錯化剤とを含み；
銅／錯化剤のモル比は０．１〜２．５、好ましくは０．３〜１．３であり；かつ、
上記組成物のｐＨが７未満、好ましくは３．５〜６．５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リード線や熱交換器、自動車用部品において好適に使用し得る高い強度及び電気伝導率を併有するナノカーボン／アルミニウム複合材、その製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウムハロゲン化物、ナノカーボン、１，３−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物等を含有し、アルミニウムハロゲン化物と１，３−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物等をモル比で２０：８０〜８０：２０の割合で含有するナノカーボン／アルミニウム複合材形成用めっき液。１，３−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物等は炭素数１〜１２のアルキル基を有する。ナノカーボン／アルミニウム複合材形成用めっき液を用い、乾燥無酸素雰囲気中で、直流電流等により、浴温０〜３００℃、電流密度０．０１〜５０Ａ／ｄｍ^２の電解条件で基材表面にめっきするナノカーボン／アルミニウム複合材の製造方法。これにより作製されたナノカーボン／アルミニウム複合材。 （もっと読む）

【課題】 有害な鉛を含まず、優れたはんだぬれ性を有する錫電気めっき液、およびそのような錫電気めっき液を用いて電子部品等に錫被膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】 第一錫イオンと、有機酸と、２−ナフトール−７−スルホン酸またはその塩を含有し、実質的に鉛イオンを含有しない錫電気めっき液であって、任意に酸化防止剤および界面活性剤を含有する。有機酸がアルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸からなる群から選ばれる１以上の酸であることが好ましい。 （もっと読む）

Ｓｎ^２＋イオン源、Ａｇ^＋イオン源、チオ尿素化合物及び／或いは第４級アンモニウム塩の界面活性剤を含む電解メッキ浴にバンプ下冶金構造を曝し、Ｓｎ−Ａｇ合金をバンプ下冶金構造に沈着させるため、外部から電子を電解浴に供給することからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するためのプロセス。 （もっと読む）

【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】建浴後の劣化が殆どなく、微細な溝や穴に対して銅の埋め込み性の良い電解銅メッキ用添加剤、それを用いた電解銅メッキ浴、及び電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物の使用：


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は水素又は一般式（２）


で表される芳香族基、Ｍはアルカリ金属、アンモニウムまたは１価の有機アンモニウム、Ａはベンゼン環又はナフタレン環、Ｒ^３はアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を表す） （もっと読む）

【課題】建浴後の経時的な劣化が殆どなく、且つより微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことを可能にする、電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を必須の有効成分として含有する電解銅メッキ浴、及びこの銅メッキ浴を用いた電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】以下の一般式（１）で表される化合物からなる電解銅メッキ用添加剤：


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜３の置換基を有していてもよい炭素数５〜９のシクロアルキル基であり、Ｒ^１〜Ｒ^４の全てが同時に水素原子であることは無く、Ｍは、アルカリ金属、アンモニウムまたは１価の有機アンモニウムを表す） （もっと読む）

ウィスカの形成又は成長を本質的に起こりにくくするスズ堆積物は、（ア）０．０５ミクロンから５ミクロンの範囲の平均粒子直径を有する微細粒子化されたスズ堆積物の堆積、(イ)熱又は湿度に曝された時でさえ表面の酸化を防止してスズ・ウィスカ形成を低減する、微量のリンをその堆積物が含むように、スズ堆積物を電気めっきするために使用される溶液中のリン化合物、あるいは、(ウ)予め電気めっきされたスズ堆積物の表面に、熱又は湿度に曝されている間中スズ堆積物の酸化物形成又は腐食を最小化し又は防止するように作用する保護塗装を施す溶液中の、リン化合物、メルカプタン化合物、又は、有機化合物、の１つ以上によって得られる。８０重量％から１００重量％のスズを含むそのようなスズ堆積物は、スズ・ウィスカ成長を最小限化し乃至なくすることを呈する。 （もっと読む）

【課題】 電池性能の向上を保持しつつ、電池性能の向上に伴うガス発生による漏液性を低減させることが可能な電池容器用めっき鋼板、その電池容器用めっき鋼板を用いた電池容器、およびその電池容器を用いた電池、ならびに電池容器用めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】 鋼板の電池容器内面となる側にニッケルめっき層を介して、または鋼板上に直接ニッケル−チタン合金めっきを施し、次いでその上に錫めっきを施した後、熱処理を施すことにより、最表面にチタン、ニッケル、錫を含む金属層を形成させて電池容器用めっき鋼板とし、それを電池容器に成形加工して電池に適用する。 （もっと読む）

【課題】インデント加工した場合でも、錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材との間の摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する際に、錫めっき液中の炭素粒子の濃度を２０ｇ／Ｌ未満、好ましくは１０ｇ／Ｌ以下にすることにより、適度に凝集した炭素粒子が錫層中に適度に分散した複合材からなる皮膜を素材上に形成され、リフロー処理を施した錫めっき材との間の摩擦係数が０．１６以下、算出平均粗さＲａが０．１〜０．５μｍ、最大高さＲｙが８〜１６μｍ、十点平均粗さＲｚ７〜１２μｍ、光沢度が０．８以上、皮膜の厚さが０．５〜３μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．２重量％以下の錫めっき材を製造する。 （もっと読む）

【課題】水平型電気めっきラインを用い、めっき浴中への金属帯を構成する金属の溶出を防止できる電気めっき金属帯の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のめっきセルを有する水平型電気めっきラインを用いて金属帯に電気めっき処理を施して電気めっき金属帯を製造するに当り、複数のめっきセルのうち少なくとも第1番目のめっきセルで金属帯の両面に電気めっき処理を施すことを特徴とする電気めっき金属帯の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板等の端子表面や電子部品の端子表面にウイスカのない錫めっきを付与する表面処理方法を提供する。
【解決手段】有機スルホン酸、有機スルホン酸の２価錫塩及び少なくとも２種の非イオン系界面活性剤を含有するめっき液を用いて、電流密度０．５〜２０Ａ／ｄｍ^２、めっき液温度１０〜７０℃の条件下に、プリント配線板等の電子部品の端子表面を電気めっきしてウイスカ発生防止性めっき層を形成する。 （もっと読む）

電気化学的方法で使用する水溶液が開示され、該水溶液は、スルホン酸を含み、低濃度の低原子価または還元されやすい高原子価の硫黄化合物を有し、電着、電池、導電性ポリマーおよびスケール除去方法への使用を目的とする。 （もっと読む）

【課題】 水平型電気錫めっきラインを用いた錫めっき鋼帯の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の水平型のめっきセルを有する水平型電気錫めっきラインを用いて、鋼帯に電気錫めっき処理を施すに当たり、複数のめっきセルのうち、少なくとも錫めっき付着量に応じて決定される必要セル数のめっきセルには、めっき液を供給し、かつめっき液を供給しないめっきセルを１つ以上設けてめっき処理を行う。必要セル数は、Ｉ／Ｑ＝｛Ｋ×（ｍ×W×LS）／η｝／Ｑ（ここで、Ｉ：片面当たりのめっき全電流（Ａ）＝Ｋ×（ｍ×W×LS）／η、なお、Ｋ：係数、ｍ：目標の片面当たりの錫めっき付着量（g/m² ）、W：鋼帯幅（mm）、LS：鋼帯搬送速度（m/min）、η：陰極電流効率、Ｑ：１セル当たりの整流器容量（Ａ））で決定されるＩ／Ｑ値より大きい整数のうちの最小値とする。めっき液を供給しない残りのめっきセルでは、鋼帯に水またはめっき液を噴霧することが好ましい。 （もっと読む）