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Fターム[4K023CA01]の内容

電気メッキ、そのためのメッキ浴 (5,589) | 添加剤−無機化合物 (353) | 硫黄をを含む化合物 (73)

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Fターム[4K023CA01]に分類される特許

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【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、形状の制御された高密度の配線を有する配線板を製造する。
【解決手段】 絶縁基板上に銅配線を有する配線板の製造方法において、絶縁基板上の配線やバンプを形成する部分に凹凸形状を有する下地金属膜を形成する工程と、電気めっきによって下地金属膜の凹凸を有する部分に銅または銅合金のめっき膜を形成する工程とを含み、めっき液中にめっき反応を抑制する物質を加えることで、前記絶縁基板の表面とめっき膜側面との角度を90度以下とする。 (もっと読む)


耐食性に優れた希土類磁石の製造方法およびそれに用いるめっき浴を提供する。希土類元素を含む磁石素体に、ニッケルを含む第1保護膜と、ニッケルおよび硫黄を含む第2保護膜とを順に積層する。第1保護膜は、ニッケル源と、導電性塩と、pH安定剤とを含み、ニッケル源の濃度がニッケル原子単位で0.3mol/l〜0.7mol/lであり、導電率が80mS/cm以上の第1めっき浴を用い、電気めっきにより形成する。これにより希土類リッチ相の溶出が抑制され、ピンホールの生成が低減される。よって、耐食性が向上する。
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サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をCuを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はCuイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までCu沈積が側面のCu沈積よりも実質的に大となる。 (もっと読む)


【課題】
プリント配線板の電気めっきに際して、ビアホールやめっきレジスト等が存在する基板に対しても良好なビアホール充填性とめっき膜の平坦性を再現性良く保証する電気銅めっき法を提供する。
【解決手段】
プリント配線板の電気めっきに際して用いるめっき液に、N−アルキル、N−アラルキル、又はN−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム,ビピリジニウム,フェナンスロリニウム,キノリニウム,フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも1種の化合物、および有機色素化合物の少なくとも1種を含ませる。 (もっと読む)


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